[发明专利]堆栈式芯片封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种堆栈式芯片封装结构，其特征在于，包括：

一第一封装结构，包括：

一第一基板，具有一第一表面以及一第二表面；以及

一第一芯片，配置于该第一基板的该第一表面上方，且与该第一基板电性连接；

一第二封装结构，堆栈于该第一封装结构上，包括：

一第二基板，具有一第三表面以及一第四表面，且与该第一基板电性连接；

一第二芯片，配置于该第二基板的该第三表面上方，且与该第二基板电性连接，其中该第二芯片是透过一黏着层固定于该第一芯片上；以及

多个焊块，配置于该第二基板的该第四表面；以及

一第一封胶材料，配置于该第一基板上，且包覆该第一封装结构与该第二封装结构，其中该第一封胶材料具有一凹部，以暴露出所述焊块。

2.如权利要求1所述的堆栈式芯片封装结构，其特征在于，该第一封装结构还包括多个第一凸块，使该第一芯片透过所述第一凸块与该第一基板电性连接。

3.如权利要求1所述的堆栈式芯片封装结构，其特征在于，该第二封装结构还包括多个第二凸块，使该第二芯片透过所述第二凸块与该第二基板电性连接。

4.如权利要求1所述的堆栈式芯片封装结构，其特征在于，还包括多条打线导线，连接于该第一基板与该第二基板之间。

5.如权利要求1所述的堆栈式芯片封装结构，其特征在于，还包括一第三封装结构，配置于该第一封胶材料的该凹部中，该第三封装结构包括：

一第三基板，具有一第五表面以及一第六表面；

一第三芯片，配置于该第三基板的该第五表面上方，且与该第三基板电性连接；以及

多个焊球，配置于该第三基板的该第六表面上，且分别与相对应的该焊块连接，以使该第三封装结构透过所述焊球及所述焊块而与该第二封装结构电性连接。

6.一种堆栈式芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一第一封装结构以及一第二封装结构，其中该第一封装结构包括一第一基板以及一第一芯片，该第一基板具有一第一表面以及一第二表面，该第一芯片配置于该第一基板的该第一表面上方，且与该第一基板电性连接，该第二封装结构包括一第二基板、一第二芯片以及多个第一焊球，该第二基板具有一第三表面以及一第四表面，该第二芯片配置于该第二基板的该第三表面上方，且与该第二基板电性连接，所述第一焊球是配置于该第二基板的该第四表面；

将该第二封装结构倒置并堆栈于该第一封装结构上，并使该第二芯片固定于该第一芯片上方；

电性连接该第二基板与该第一基板；

在该第一封装结构的该第一基板上形成一第一封胶材料，使该第一封胶材料包覆该第一封装结构以及该第二封装结构；以及

移除该第二封装结构上方的部分该第一封胶材料以及部分各该第一焊球，以在该第一封胶材料上形成一凹部，且各该第一焊球分别形成一焊块。

7.如权利要求6所述的堆栈式芯片封装结构的制作方法，其特征在于，该第一封装结构还包括多个第一凸块，使该第一芯片透过所述第一凸块与该第一基板电性连接。

8.如权利要求6所述的堆栈式芯片封装结构的制作方法，其特征在于，该第二封装结构还包括多个第二凸块，使该第二芯片透过所述第二凸块与该第二基板电性连接。

9.如权利要求6所述的堆栈式芯片封装结构的制作方法，其特征在于，在提供该第一封装结构以及该第二封装结构之后，还包括在该第一封装结构的该第一芯片上形成一黏着层，使该第二芯片透过该黏着层固定于该第一芯片上。

10.如权利要求6所述的堆栈式芯片封装结构的制作方法，其特征在于，电性连接该第二基板与该第一基板的方法为打线接合技术。

11.如权利要求6所述的堆栈式芯片封装结构的制作方法，其特征在于，移除该第二封装结构上方的部分该第一封胶材料以及部分各该第一焊球的方法包括研磨、激光切割或化学刻蚀。

12.如权利要求6所述的堆栈式芯片封装结构的制作方法，其特征在于，在移除该第二封装结构上方的部分该第一封胶材料以及部分各该第一焊球之后，该制作方法还包括：

提供一第三封装结构，该第三封装结构包括一第三基板、一第三芯片以及多个第二焊球，其中该第三基板具有一第五表面以及一第六表面，该第三芯片是配置于该第三基板的该第五表面上方，且与该第三基板电性连接，所述焊球配置于该第三基板的该第六表面上；以及

将该第三封装结构配置于该第一封胶材料的该凹部中，并熔接所述第二焊球与相对应的该焊块，使该第三封装结构透过所述第二焊球及所述焊块而与该第二封装结构电性连接。