[发明专利]一种制备稀磁半导体薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备稀磁半导体薄膜的方法，其特征在于，该方法包括：

选择一III族氮化物半导体薄膜材料，该III族氮化物半导体薄膜材 料是氮化镓、氮化铝、氮化铟及其合金；

在该半导体薄膜材料表面采用双能态离子注入法注入稀土金属离 子；其中，所述离子注入时样品温度为300至500℃，注入的稀土金属 离子为钆Gd离子或钐Sm离子，双能态注入的低端能量值为150至 300KeV，对应的剂量为10¹²至10¹⁴cm^-2，高端能量值为350至550KeV， 对应的剂量为10¹²至10¹⁴cm^-2；

将注入稀土金属离子后的样品送入快速退火炉在氮气氛中退火。

2.根据权利要求1所述的制备稀磁半导体薄膜的方法，其特征在 于，所述选择一III族氮化物半导体薄膜材料的步骤，通过以下方式实 现：

采用金属有机物气相沉积法或分子束外延方法，在衬底上外延生 长一III族氮化物半导体薄膜层。

3.根据权利要求1所述的制备稀磁半导体薄膜的方法，其特征在 于，所述半导体薄膜材料的厚度为1至5μm。

4.根据权利要求1所述的制备稀磁半导体薄膜的方法，其特征在 于，所述离子注入之后的退火温度为700至1000℃，退火时间为4至 6分钟。