[发明专利]等离子体处理装置及其屏蔽环

权利要求书

1.一种等离子体屏蔽环，包括固定连接于一体的上、下两层，其上层为耐等离子体的绝缘层(21)，其下层为导体层(22)；至少一个轴向延伸的排气通道(23)贯穿所述绝缘层(21)和导体层(22)，其特征在于，所述排气通道(23)为弯折通道，所述弯折通道沿所述排气通道(23)的轴向弯折，所述排气通道(23)的进气口中的任意一点与所述排气通道(23)的排气口中任意一点的连线，与所述排气通道(23)的内壁存在至少一个交点。

2.如权利要求1所述的等离子体屏蔽环，其特征在于，所述排气通道(23)包括竖直地贯穿所述绝缘层(21)的第一轴向通孔(211)，和倾斜地贯穿所述导体层(22)的第二轴向通孔(221)；所述排气通道(23)的弯折部分形成于所述第一轴向通孔(211)与所述第二轴向通孔(221)的连通部位。

3.如权利要求2所述的等离子体屏蔽环，其特征在于，所述导体层(22)的底部进一步固定连接辅助层(24)；所述排气通道(23)进一步包括倾斜地贯穿所述辅助层(24)的第三轴向通孔(241)，所述第三轴向通孔(241)的倾斜方向与所述第二轴向通孔(221)的倾斜方向相反；所述排气通道(23)的弯折部分还形成于所述第二轴向通孔(221)与所述第三轴向通孔(241)的连通部位。

4.如权利要求2所述的等离子体屏蔽环，其特征在于，所述导体层(22)的底部进一步固定连接辅助层(24)，所述排气通道(23)进一步包括竖直地贯穿所述辅助层(24)的第三轴向通孔(241)；所述排气通道(23)的弯折部分还形成于所述第二轴向通孔(221)与所述第三轴向通孔(241)的连通部位。

5.如权利要求1所述的等离子体屏蔽环，其特征在于，所述排气通道(23)包括竖直贯穿所述绝缘层(21)的第一轴向通孔(211)，和竖直贯穿所述导体层(22)的第二轴向通孔(221)；所述第一轴向通孔(211)与第二轴向通孔(221)的开口相错离；所述排气通道(23)的弯折部分形成于所述第一轴向通孔(211)与所述第二轴向通孔(221)的连通部位。

6.如权利要求5所述的等离子体屏蔽环，其特征在于，所述导体层(22)的底部进一步固定连接辅助层(24)，所述排气通道(23)进一步包括贯穿所述辅助层(24)的第三轴向通孔(241)；所述第三轴向通孔(241)与第二轴向通孔(221)的开口相错离；所述排气通道(23)的弯折部分还形成于所述第二轴向通孔(221)与第三轴向通孔(241)的连通部位。

7.如权利要求1所述的等离子体屏蔽环，其特征在于，所述排气通道(23)包括贯穿所述绝缘层(21)的第一轴向通孔(211)，和贯穿所述导体层(22)的第二轴向通孔(221)；所述排气通道(23)的弯折部分形成于所述第二轴向通孔(221)。

8.如权利要求7所述的等离子体屏蔽环，其特征在于，所述排气通道(23)的弯折部分为弯孔。

9.如权利要求7所述的等离子体屏蔽环，其特征在于，所述排气通道(23)的弯折部分为折孔。

10.如权利要求7至9中任一项所述的等离子体屏蔽环，其特征在于，所述绝缘层(21)为耐等离子体材料的喷涂层或者氧化层。

11.如权利要求1至9中任一项所述的等离子体屏蔽环，其特征在于，所述排气通道(23)排气口的面积占所述绝缘层(21)顶面面积的比例范围为20％-95％。

12.如权利要求11所述的等离子体屏蔽环，其特征在于，所述排气通道(23)排气口的面积占所述绝缘层(21)顶面面积的比例范围为50％-70％。

13.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括如权利要求1至9中任一项所述的等离子体屏蔽环(2)。