[发明专利]覆晶封装体及其制造方法

权利要求书

1、一种覆晶封装体，其特征在于该覆晶封装体包含：

一玻璃电路板，其表面是具有一电路层；以及

至少一晶片，是以覆晶接合方式电性连接于该电路层，且该晶片及/或玻璃电路板的厚度小于200微米。

2、根据权利要求1所述的覆晶封装体，其特征在于其更包含：

至少一第一散热元件及/或至少一第一导热元件，是设置于该晶片相对于该玻璃电路板的一侧。

3、根据权利要求2所述的覆晶封装体，其特征在于其更包含：

至少一第二散热元件及/或至少一第二导热元件，是设置于该玻璃电路板相对于该晶片的一侧。

4、根据权利要求3所述的覆晶封装体，其特征在于其中所述的第一散热元件及该第二散热元件是选自散热片、导热膜、风扇及冷却装置所构成的群组。

5、根据权利要求3所述的覆晶封装体，其特征在于其中所述的第一导热元件及该第二导热元件为热管。

6、根据权利要求1所述的覆晶封装体，其特征在于其更包含：

至少一第二散热元件及/或至少一第二导热元件，是设置于该玻璃电路板相对于该晶片的一侧。

7、根据权利要求1所述的覆晶封装体，其特征在于其中所述的晶片是以异方性导电膜及多数个焊球的方式与该玻璃电路板电性连接。

8、根据权利要求1所述的覆晶封装体，其特征在于其中所述的晶片是以非导电颗粒膏配合激光熔接的方式与该玻璃电路板电性连接。

9、一种覆晶封装体的制造方法，其特征在于该制造方法包含下列步骤：

提供一玻璃电路板，该玻璃电路板的表面具有一电路层；

以覆晶接合方式将至少一晶片电性连接于该电路层；以及

减薄该晶片及/或玻璃电路板，使该晶片及/或玻璃电路板的厚度小于200微米。

10、根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于其中所述的减薄步骤是以该玻璃电路板为载台。

11、根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于其中所述的减薄方式为研磨或蚀刻。

12、根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于其更包含下列步骤：

设置至少一第一散热元件及/或至少一第一导热元件于该晶片相对于该玻璃电路板的一侧。

13、根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于其更包含下列步骤：

设置至少一第二散热元件及/或至少一第二导热元件于该玻璃电路板相对于该晶片的一侧。

14、根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于其更包含下列步骤：

设置至少一第二散热元件及/或至少一第二导热元件于该玻璃电路板相对于该晶片的一侧。

15、根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于其中所述的晶片是以异方性导电膜及多数个焊球的方式与该玻璃电路板电性连接。

16、根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于其中所述的晶片是以非导电颗粒膏配合电射熔接的方式与该玻璃电路板电性连接。