[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，包括：

提供半导体基底，其具有PMOS区域以及NMOS区域；

形成PMOS元件于该PMOS区域，包括：

形成第一栅极叠层于该半导体基底上；

形成第一补偿间隙壁于该第一栅极叠层的侧壁；

使用该第一补偿间隙壁作为掩模，而形成应激源于该半导体基底之中，其中该应激源的顶部表面大体上与该半导体基底的顶部表面齐平或者高于该半导体基底的该顶部表面；及

外延成长第一凸出源极/漏极延伸区域于该应激源上，且连接该第一补偿间隙壁，其中该第一凸出源极/漏极延伸区域原位掺杂有第一P型杂质；以及

形成NMOS元件于该NMOS区域，包括：

形成第二栅极叠层于该半导体基底上；

形成第二补偿间隙壁于该第二栅极叠层的侧壁；

使用该第二补偿间隙壁作为掩模，外延成长第二凸出源极/漏极延伸区域于该半导体基底上，其中该第二凸出源极/漏极延伸区域原位掺杂有第一N型杂质；以及

形成深源极/漏极区域，其连接该第二凸出源极/漏极延伸区域，其中该深源极/漏极区域不含形成于该半导体基底之中的应激源。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该PMOS元件的应激源原位掺杂有第二P型杂质，并且该第二P型杂质的浓度小于该第一凸出源极/漏极延伸区域的第一P型杂质的浓度。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其中该第二P型杂质的浓度大约小于1×10¹⁸离子/立方厘米，且该第一P型杂质的浓度大约大于5×10¹⁹离子/立方厘米。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该应激源不含原位掺杂的P型杂质。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中形成该应激源以及该PMOS元件的第一凸出源极/漏极延伸区域的步骤还包括：

形成凹陷于该半导体基底之中；

等向性蚀刻该半导体基底以延伸该凹陷于该第一补偿间隙壁的下方；以及

外延成长硅锗于该凹陷之中。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，还包括：

形成第一主要间隙壁于该第一补偿间隙壁的侧壁，其中该第一主要间隙壁位于该第一凸出源极/漏极延伸区域的顶部表面上；以及

形成第二主要间隙壁于该第二补偿间隙壁的侧壁，其中该第二主要间隙壁位于该第二凸出源极/漏极延伸区域的顶部表面上。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该第一凸出源极/漏极延伸区域包括硅锗，并且该第二凸出源极/漏极延伸区域包括硅且不含锗，并且形成该第二凸出源极/漏极延伸区域的步骤的温度高于形成该第一凸出源极/漏极延伸区域的步骤的温度。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中在形成该第一凸出源极/漏极延伸区域之前，形成该第二凸出源极/漏极延伸区域。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中形成该PMOS元件以及该NMOS元件的步骤不含用以形成源极/漏极延伸区域的注入步骤。