[发明专利]制备半导体基板的方法

权利要求书

1.一种制备半导体基板的方法，其特征在于：该方法包括：

一个凸块形成步骤，是自一块磊晶基板向上形成多数个呈现间隔散布的凸块，且该每一凸块具有一自该磊晶基板向上形成的墩部，及一自该墩部向上形成的端部；

一个横向磊晶步骤，是以横向磊晶方式自该多数个凸块的端部形成一层连接该多数个凸块端部并与该磊晶基板、多数个凸块的墩部共同界定一个空间的基础层；

一个增厚步骤，是累积增厚该层基础层至预定厚度而成该半导体基板；及

一个分离步骤，是破坏该多数个凸块的墩部使该磊晶基板与该半导体基板分离，制得该半导体基板。

2.如权利要求1所述的制备半导体基板的方法，其特征在于：该凸块形成步骤是先在该磊晶基板表面形成一层晶格常数同时与该磊晶基板与该凸块不相匹配的晶种层，再自该晶种层向上形成该多数个呈现间隔散布的凸块。

3.如权利要求2所述的制备半导体基板的方法，其特征在于：该凸块形成步骤在形成该多数个呈现间隔散布的凸块后，于该每一凸块表面形成一层晶格常数与该多数个凸块不相匹配的阻障层。

4.如权利要求3所述的制备半导体基板的方法，其特征在于：该磊晶基板的材料是选自于蓝宝石、碳化硅、氧化锌、氮化铝，或硅，且该凸块、基础层是以氮化镓系列为主的材料所构成，其中，该氮化镓系列为主的材料的化学式是Al_xIn_yGa_1-x-yN，x≥0，y≥0，1-x-y＞0，同时，该缓冲层与该阻障层是分别由氮化硅为材料构成。

5.如权利要求4所述的制备半导体基板的方法，其特征在于：构成该缓冲层与阻障层的氮化硅是以硅烷与氨气反应生成。

6.如权利要求1或4所述的制备半导体基板的方法，其特征在于：该凸块形成步骤是以有机金属化学气相沉积法以氨气与含镓的有机金属气体形成该多数个凸块。

7.如权利要求6所述的制备半导体基板的方法，其特征在于：该凸块形成步骤是先在500℃～700℃下生成一层以氮化镓为材料构成的低温层，接着升高温度至900℃～1100℃，并控制氨气的分压低于生成该层低温层时的氨气分压，而使该层低温层转成该多数个凸块。

8.如权利要求1或4所述的制备半导体基板的方法，其特征在于：该横向磊晶步骤是在大于900℃的温度下，以氨气以及含镓的有机金属气体由该多数个凸块的端部进行横向磊晶。

9.如权利要求1或4所述的制备半导体基板的方法，其特征在于：该增厚步骤是以氢化物气相累积成长方式进行该基础层的增厚。

10.如权利要求1或4所述的制备半导体基板的方法，其特征在于：该分离步骤是以湿蚀刻方式自该空间蚀刻移除该多数个墩部。