[发明专利]集成电路封装体及其制作方法有效
| 申请号: | 200710091415.4 | 申请日: | 2007-03-28 |
| 公开(公告)号: | CN101276820A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
| 发明(设计)人: | 颜裕林;范振梅 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 集成电路 封装 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明有关于集成电路封装体及其制作方法,特别有关于一种具有高合格率的集成电路封装体及其制作方法。
背景技术
在集成电路装置的制造工艺中,集成电路必须经过封装步骤处理后,使用于各种不同的应用领域,例如,计算机、手机或数码相机等。因此,集成电路封装的合格率也直接影响最终集成电路装置的合格率。
图1A-图1D显示现有集成电路封装的剖面图。如图1A及图1B显示在接合步骤之前,保护层8形成于盖板4上的形式。而图1C及图1D显示在接合步骤之前,保护层8形成于集成电路芯片2上的形式。在图1A中,显示了上方形成有感光元件12的集成电路芯片2,且感光元件12电连接于接合焊盘6。又如图1A所示,通过粘着剂10,贴附盖板4于集成电路芯片2的上方,且在盖板4与集成电路芯片2之间形成间隙14。在上述接合盖板4与集成电路芯片2的步骤中,粘着剂10会溢流至感光元件12的区域,如图1A所示。图1B显示根据图1A中在接合步骤时粘着剂溢流至感光元件的集成电路封装体的剖面图。在图1B中,粘着剂10会溢流至感光元件12的区域,且覆盖部分感光元件12,使得感光元件12对从外界经盖板4及间隙14的光反应并不一致,而导致集成电路封装体不合格。
如图1C所示,提供上方形成有感光元件12及接合焊盘6的集成电路芯片2,且覆盖保护层8于接合焊盘6的上方。接着,接合盖板4在集成电路芯片2上,且形成间隙14于盖板4与集成电路芯片之间。在上述接合步骤时,粘着剂10会沿着保护层8的侧壁溢流至感光元件12的区域,如图1C所示。图1D显示根据图1C中在接合步骤时粘着剂溢流至感光元件的集成电路封装体的剖面图。如图1D所示,粘着剂10会溢流至感光元件12的区域,且覆盖部分感光元件12,因而导致集成电路封装体的封装合格率降低。由此,可知现有接合方式皆会造成上述的问题。
因此,亟需一种集成路封装体及其制作方法,以解决上述问题,且提高集成电路封装体的制造工艺合格率。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的是提供一种集成电路封装体。上述集成电路封装体,包含集成电路芯片,其上表面形成有感光元件;接合焊盘,形成于该集成电路芯片的上表面,且电连接该感光元件;第一挡墙,形成于该感光元件与该接合焊盘之间;以及导电层,形成于该集成电路芯片的侧壁上,且电连接该接合焊盘。
如上所述的集成电路封装体,还包含第二挡墙,介于该接合焊盘与该第一挡墙之间。
如上所述的集成电路封装体,其中该第二挡墙的高度小于或等于该第一挡墙的高度。
如上所述的集成电路封装体,其中该第二挡墙,位于该集成电路芯片上。
如上所述的集成电路封装体,其中该第二挡墙位于基板上,且该基板对应地设置于该集成电路芯片的上方。
如上所述的集成电路封装体,还包含:保护层,包覆该接合焊盘;以及粘着层,形成于该保护层与该第一挡墙之间,且粘接该集成电路芯片与该基板。
如上所述的集成电路封装体,还包含焊料球体,形成于该导电层上。
本发明的另一目的是提供一种集成电路封装体的制作方法。上述集成电路封装体的制作方法,包括:提供上表面形成有感光元件的集成电路芯片;形成接合焊盘于该集成电路封装体上,且电连接该感光元件;形成第一挡墙于该接合焊盘与该感光元件之间;以及形成导电层于该集成电芯片的侧壁上,且电连接该接合焊盘。上述集成电路封装体还包括通过粘着剂,接合第一基板于该集成电路芯片的上方。根据本发明的实施例的集成电路封装体中,其具有挡墙介于接合焊盘与感光元件之间。
如上所述的集成电路封装体的制作方法,其中形成该第一挡墙于该接合焊盘与该感光元件之间的方式,包括:提供基板;设置该第一挡墙于该基板上;以及通过粘着层,将该基板贴附于该集成电路芯片上,以形成该第一挡墙介于该接合焊盘与该感光元件之间。
如上所述的集成电路封装体的制作方法,还包括设置第二挡墙于该基板上,且通过贴附该基板于该集成电路芯片上方的步骤,以形成该第二挡墙于该接合焊盘与该第一挡墙之间。
如上所述的集成电路封装体的制作方法,还包括设置第二挡墙于该集成电路上,且介于该接合焊盘与该第一挡墙之间。
如上所述的集成电路封装体的制作方法,其中形成该导电层的方式,包括:移除部分该集成电路芯片及该保护层,以形成凹槽,且暴露该接合焊盘;以及形成该导电层于该凹槽之中,电连接该接合焊盘且该导电层延伸至该集成电路芯片的下表面上。
如上所述的集成电路封装体的制作方法,还包括形成焊料球体于该导电层上。
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