[发明专利]离子注入测试体、离子注入区掩膜版及离子注入测试方法有效
| 申请号： | 200710046216.1 | 申请日： | 2007-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101393906A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 丁宇;居建华;赖李龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/266;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子 注入 测试 区掩膜版 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种离子注入测试方法，其特征在于，包括：
提供半导体基体，所述半导体基体具有器件区和至少一个检测区；
确定离子注入操作次数N；
执行离子注入操作，每一所述检测区对应唯一的离子注入制程；
利用所述检测区进行离子注入制程检测，每一离子注入制程的检测利用至少一个所述检测区；
清洗经历离子注入制程检测后的半导体基体；
对清洗后的所述半导体基体顺序执行离子注入操作、离子注入制程检测及清洗操作，直至完成N次清洗操作。
2.根据权利要求1所述的离子注入测试方法，其特征在于：所述检测区与器件区同步进行离子注入操作。
3.根据权利要求1所述的离子注入测试方法，其特征在于：各所述检测区在同一检测区平面内无交叠。
4.一种离子注入测试方法，其特征在于，包括：
提供半导体基体，所述半导体基体具有器件区和至少一个检测区；
确定离子注入操作次数N；
顺序执行N次离子注入操作，每一所述检测区对应唯一的离子注入制程；
利用所述检测区进行离子注入制程检测，每一离子注入制程的检测利用至少一个所述检测区。
5.根据权利要求4所述的离子注入测试方法，其特征在于：所述检测区与器件区同步进行离子注入操作。
6.根据权利要求4所述的离子注入测试方法，其特征在于：各所述检测区在同一检测区平面内无交叠。
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