[发明专利]栅层的制造方法、半导体器件的制造方法和半导体结构

权利要求书

1.一种栅层的制造方法，其特征在于，包括：

提供具有栅极绝缘层的半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成具有柱状晶粒的第一多晶硅层；

在所述第一多晶硅层上形成晶粒无序分布的第二多晶硅层，以减缓 后续离子注入时注入离子的能量；

对所述第二多晶硅层和第一多晶硅层进行离子注入掺杂。

2.如权利要求1所述的栅层的制造方法，其特征在于：形成所述 第二多晶硅层的方法为低压化学气相沉积。

3.如权利要求1所述的栅层的制造方法，其特征在于：形成所述 第二多晶硅层的反应气体为SiH₄、Si₂H₆和H₂。

4.如权利要求1至3中任一权利要求所述的栅层的制造方法，其 特征在于：形成所述第二多晶硅层的工艺和形成第一多晶硅层的工艺原 位进行或在不同的工艺腔中分别进行。

5.如权利要求1所述的栅层的制造方法，其特征在于：进行离子 注入掺杂之前在所述第二多晶硅层上形成非晶硅层。

6.如权利要求1所述的栅层的制造方法，其特征在于：在进行离 子注入掺杂之前在所述第二多晶硅层上形成第三多晶硅层。

7.如权利要求6所述的栅层的制造方法，其特征在于：形成所述 第三多晶硅层的工艺与形成第一多晶硅层的工艺相同。

8.如权利要求6或7所述的栅层的制造方法，其特征在于：形成 所述第三多晶硅层的工艺与形成所述第二多晶硅层的工艺可以原位进行 或在不同的工艺腔中分别进行。

9.如权利要求1所述的栅层的制造方法，其特征在于：所述第二 多晶硅层为一层或多层。

10.如权利要求1所述的栅层的制造方法，其特征在于：所述第二 多晶硅层为多层，且随着层数的增加，晶粒尺寸减小。

11.如权利要求1所述的栅层的制造方法，其特征在于：在进行离 子注入掺杂之后对所述第一多晶硅层和第二多晶硅层进行退火。

12.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供具有栅极绝缘层的半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成具有柱状晶粒的第一多晶硅层；

在所述第一多晶硅层上形成晶粒无序分布的第二多晶硅层，以减缓 后续离子注入时注入离子的能量；

对所述第二多晶硅层和第一多晶硅层进行离子注入掺杂；

图形化所述第二多晶硅层和第一多晶硅层，形成栅极。

13.如权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其特征在于： 形成所述第二多晶硅层的方法为低压化学气相沉积。

14.如权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其特征在于： 形成所述第二多晶硅层的反应气体为SiH₄、Si₂H₆和H₂。

15.如权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其特征在于： 形成所述第二多晶硅层的工艺和形成第一多晶硅层的工艺原位进行或在 不同的工艺腔中分别进行。

16.如权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其特征在于， 该方法进一步包括：在所述栅极上形成金属硅化物和对所述栅极两侧的 半导体衬底进行掺杂。

17.如权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其特征在于， 该方法进一步包括：图形化所述第二多晶硅层和第一多晶硅层之前或之 后，对所述第二多晶硅和第一多晶硅层进行退火。