[发明专利]半导体稳压器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体稳压器件，所述稳压器件包括：

一由第一导电性半导体构成的衬底基片；

一建构于所述衬底基片表面的具有第一导电性的第一半导体区，所述第一半导体区的阻值是所述衬底基片的阻值的10倍以上；

一建构于所述第一半导体区表面的具有第二导电性的第二半导体区；

一建构于所述第一半导体区表面的具有第二导电性的且杂质固浓度高的多晶硅层；

其中，所述具有第一导电性半导体构成的第一半导体区和具有第二导电性的第二半导体区形成的PN结上形成反向偏置，以产生所述稳压器件的稳压特性。

2.根据权利要求1所述的半导体稳压器件，其特征在于，所述具有第一导电性的第一半导体区是重掺杂的

3.根据权利要求1所述的半导体稳压器件，其特征在于，所述具有第二导电性的第二半导体区是重掺杂的。

4.根据权利要求3所述的半导体稳压器件，其特征在于，所述第二半导体区的具有第二导电性的重掺杂是由掺杂的多晶硅层引入的。

5.根据权利要求1所述的半导体稳压器件，其特征在于，所述衬底基片由低阻值的半导体构成，其电阻率低于0.01欧姆·厘米。

6.根据权利要求1所述的半导体稳压器件，其特征在于，所述第一导电性是N型，所述第二导电性是P型。

7.根据权利要求1所述的半导体稳压器件，其特征在于，所述第一导电性是P型，所述第二导电性是N型。

8.一种半导体稳压器件的制造方法，包括：

在由第一导电性半导体构成的衬底基片上生长一层二氧化硅；

在所述二氧化硅层光刻形成一个环形扩散窗口，由第二导电性杂质在所述环形扩散窗口的表面扩散形成第二导电型扩散区；

在由所述的环形扩散窗口包围的二氧化硅层中形成圆形扩散窗口并对所述圆形扩散窗口引入第一导电性杂质以形成重掺杂的的具有第一导电性的第一半导体区，所述第一半导体区的阻值是所述衬底基片的阻值的10倍以上；

在所述圆形扩散窗口中沉积一层多晶硅并对所述多晶硅掺以第二导电性杂质；

所述多晶硅经由干法或湿法腐蚀成所需图形，并进一步对所述第二导电性杂质作推进扩散以形成重掺杂的具有第二导电性的第二半导体区。

9.根据权利要求8所述的半导体稳压器件的制造方法，其特征在于，所述衬底基片由低阻值的半导体构成，其电阻率低于0.01欧姆·厘米。

10.根据权利要求8所述的半导体稳压器件的制造方法，其特征在于，所述环形扩散窗口表面扩散形成的第二导电型扩散区的表面浓度为每立方厘米1.0e19至1.0e20，结深为3至7微米。

11.根据权利要求8所述的半导体稳压器件的制造方法，其特征在于，在圆形扩散窗口中引入第一导电性杂质的方式包括离子注入或杂质源的扩散，所述第一半导体区的表面浓度为1.0×10¹⁹/厘米³至2.0×10²⁰/厘米³。

12.根据权利要求8所述的半导体稳压器件的制造方法，其特征在于，以低压化学沉积法沉积的多晶硅层的厚度在1000埃至3000埃，对所述多晶硅层掺入第二导电型杂质的方式包括离子注入或杂质源扩散。

13.根据权利要求12所述的半导体稳压器件的制造方法，其特征在于，离子注入杂质的注入浓度为5×10¹⁵/厘米³。

14.根据权利要求8所述的半导体稳压器件的制造方法，其特征在于，推进扩散中的温度在900摄氏度到1100摄氏度之间。

15.根据权利要求8～14中任一项所述的半导体稳压器件的制造方法，其特征在于，所述第一导电性是N型，所述第二导电性是P型。

16.根据权利要求8～14中任一项所述的半导体稳压器件的制造方法，其特征在于，所述第一导电性是P型，所述第二导电性是N型。