[发明专利]陈列封装式半导体浪涌防护器件

权利要求书

1、一种陈列封装式半导体浪涌防护器件，它包括基体(1)，该基体(1)包括芯片(11)和分别通过高温锡焊结合在芯片(11)两侧的一对第一、第二电极(12、13)以及用于将基体(1)与电路连接的一对第一、第二插脚(3、4)，其特征在于还包括有至少一个叠加基体(2)，该叠加基体(2)包括一叠加芯片(21)和分别通过高温锡焊结合在叠加芯片(21)两侧的一对第一、第二叠加电极(22、23)，其中：第二电极(13)与第一叠加电极(22)通过高温锡焊相结合，所述的第一、第二插脚(3、4)分别与第一电极(12)和第二叠加电极(23)的外侧通过高温锡焊结合。

2、根据权利要求1所述的陈列封装式半导体浪涌防护器件，其特征在于所述的芯片(11)、叠加芯片(21)的材料为单晶硅，叠加芯片(21)的厚度为0.1～0.5mm。

3、根据权利要求1所述的陈列封装式半导体浪涌防护器件，其特征在于所述的芯片(11)、叠加芯片(21)的形状、大小是相同的。

4、根据权利要求1所述的陈列封装式半导体浪涌防护器件，其特征在于所述的第一、第二电极(12、13)以及所述的第一、第二叠加电极(22、23)的材料为金属。

5、根据权利要求1所述的陈列封装式半导体浪涌防护器件，其特征在于所述的第一、第二电极(12、13)以及所述的第一、第二叠加电极(22、23)的形状和大小是相同的。

6、根据权利要求4或5所述的陈列封装式半导体浪涌防护器件，其特征在于所述的第一、第二电极(12、13)以及所述的第一、第二叠加电极(22、23)的厚度各为0.15～0.5mm。

7、根据权利要求1所述的陈列封装式半导体浪涌防护器件，其特征在于所述的叠加基体(2)的数量为1-10个。

8、根据权利要求1所述的陈列封装式半导体浪涌防护器件，其特征在于所述的叠加基体(2)的数量为3-10个。

9、根据权利要求1所述的陈列封装式半导体浪涌防护器件，其特征在于所述的第一、第二插脚(3、4)上所延伸出的第一、第二插脚接线耳(31、41)的形状为直条形或弯曲形。