[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200680024512.5 | 申请日： | 2006-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101218681A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 下井田良雄;田中秀明;林哲也;星正胜;山上滋春;川本典明;鬼头孝之;三浦峰生;中村孝 | 申请（专利权）人： | 日产自动车株式会社;罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/267;H01L21/04;H01L29/772;H01L29/24 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括：
1)半导体衬底；
2)异质半导体区域，其被配置为与所述半导体衬底的第一主面接触，并且在带隙上与所述半导体衬底不同；
3)栅电极，其通过栅极绝缘膜与所述异质半导体区域和所述半导体衬底之间的接合部的一部分接触；
4)源电极，其被配置为连接到所述异质半导体区域；以及
5)漏电极，其被配置为与所述半导体衬底进行欧姆连接，
所述半导体装置的制造方法包括以下连续工序：
i)形成所述栅极绝缘膜；以及
ii)氮化所述栅极绝缘膜。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，通过不进行热氧化的沉积来形成所述栅极绝缘膜。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述氮化是在包含从由N2O、NO和NOx构成的组中选择出的至少一种的大气中进行的高温退火。
4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述半导体衬底由从碳化硅、氮化镓和金刚石所构成的组中选择出的至少一个制成；以及
所述异质半导体区域由从单晶硅、多晶硅、非晶硅、锗和砷化镓所构成的组中选择出的至少一个制成。
5.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在900℃到1300℃的温度下，在所述大气中进行所述高温退火几十分钟到几小时。
6.一种半导体装置，包括：
1)半导体衬底；
2)异质半导体区域，其被配置为与所述半导体衬底的第一主面接触，并且在带隙上与所述半导体衬底不同；
3 )通过以下连续工序制造的栅极绝缘膜：
i)形成所述栅极绝缘膜，以及
ii)氮化所述栅极绝缘膜；
4)栅电极，其通过所述栅极绝缘膜与所述异质半导体区域和所述半导体衬底之间的接合部的一部分相接触；
5)源电极，其被配置为连接到所述异质半导体区域；以及
6)漏电极，其被配置为与所述半导体衬底进行欧姆连接。
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