[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括衬底，且所述衬底上至少包含一个NMOS晶体管和一个PMOS晶体管，其特征在于：所述PMOS晶体管的栅极高度低于所述NMOS晶体管的栅极高度。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述NMOS晶体管和PMOS晶体管上还具有一层应力层，且所述应力层具有张应力。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：所述应力层为氮化硅层或氮氧化硅层。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述NMOS晶体管和PMOS晶体管的栅极高度差在100至500之间。

5.一种半导体器件的制作方法，包括步骤：

提供衬底；

在所述衬底上形成栅氧化层；

在所述栅氧化层上形成第一介质层；

在所述第一介质层上形成第二介质层；

刻蚀所述第二介质层和第一介质层，以形成栅极孔；

沉积多晶硅层；

平坦化所述多晶硅层；

刻蚀所述多晶硅层，在所述栅极孔内形成栅极；

利用光刻方法在所述衬底上定义出NMOS晶体管区和PMOS晶体管区；

刻蚀所述PMOS晶体管区，形成低栅极；

去除所述第二介质层；

刻蚀所述第一介质层，形成栅极侧壁层。

6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于：形成栅极侧壁层后，还在所述衬底上形成具有张应力的应力层。

7.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于：所述第二介质层的厚度由设定的NMOS晶体管和PMOS晶体管之间的栅极高度差以及第二介质层与栅极材料之间的刻蚀速率差确定。

8.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于：所述第二介质层的厚度在100至800之间。

9.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于：所述第一介质层为氮化硅层或氮氧化硅层。

10.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于：所述第二介质层为氧化硅层或组份含量不同于所述第一介质层的氮氧化硅层。

11.一种半导体器件的制作方法，包括步骤：

提供衬底；

在所述衬底上形成栅氧化层；

在所述栅氧化层上形成第一介质层；

在所述第一介质层上形成停止层；

在所述停止层上形成第二介质层；

刻蚀所述停止层、第二介质层和第一介质层，形成栅极孔；

在所述衬底上沉积多晶硅层；

平坦化所述多晶硅层；

刻蚀所述多晶硅层，在所述栅极孔内形成栅极；

利用光刻方法在所述衬底上定义出NMOS晶体管区和PMOS晶体管区；

刻蚀所述PMOS晶体管区，形成低栅极；

去除所述停止层和第二介质层；

刻蚀所述第一介质层，形成栅极侧壁层。

12.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于：形成栅极侧壁层后，还在所述衬底上形成具有张应力的应力层。

13.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于：所述停止层为氧化硅层，所述第一和第二介质层为氮化硅或氮氧化硅层。

14.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于：所述第二介质层的厚度由设定的NMOS晶体管和PMOS晶体管的栅极高度差确定。

15.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于：所述停止层的厚度在100至300之间，所述第二介质层的厚度在100至500之间。