[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体结构的方法，其包括：

提供一种结构，其包含位于半导体衬底表面上的至少一个图形化栅区，所述至少一个图形化栅区包含源区侧和漏区侧；

在所述至少一个图形化栅区的所述漏区侧上形成第一阻挡掩模，所述第一阻挡掩模至少部分地扩展到该至少一个图形化栅区上；

执行第一扩展注入以在所述源区侧内形成第一扩展区域，其中所述第一阻挡掩模防止在所述漏区侧内形成所述第一扩展区域；

除去所述第一阻挡掩模；以及

至少在该图形化栅区的所述漏区侧内执行第二扩展注入，从而至少在所述漏区侧内形成具有与该第一扩展区域的分布不同的第二扩展区域。

2.权利要求1所述的方法，其中所述分布不同包括结深度不同、掺杂剂浓度不同或其组合。

3.权利要求1所述的方法，进一步包括在所述源区侧内形成晕区域，所述晕区域在所述第一阻挡掩模在适当位置的情况下形成。

4.权利要求3所述的方法，其中在执行所述第一扩展注入之前形成所述晕区域。

5.权利要求3所述的方法，其中在执行所述第一扩展注入之后形成所述晕区域。

6.权利要求3所述的方法，其中与所述半导体衬底的表面成一定角度地执行晕注入从而形成晕区，所述角度为约10°至约45°。

7.权利要求1所述的方法，其中所述第一扩展注入包含注入p型掺杂剂或n型掺杂剂。

8.权利要求1所述的方法，进一步包括在所述源区侧上形成第二阻挡掩模，该阻挡掩模部分地扩展到该至少一个图形化栅叠层上，而且在所述除去所述第一阻挡掩模和所述执行所述第二扩展注入之间执行所述形成所述第二阻挡掩模。

9.权利要求1所述的方法，其中不使用阻挡掩模而执行所述第二扩展注入，使得在所述源区侧内也形成所述第二扩展区域。

10.权利要求1所述的方法，其中所述图形化栅区包含位于所述半导体衬底表面上的栅电介质和栅导体。

11.权利要求1所述的方法，进一步包括在所述源区侧内形成晕区域，在所述第一阻挡掩模在适当位置的情况下形成所述晕区域，并进一步包括在所述源区侧上形成第二阻挡掩模，该阻挡掩模至少部分地扩展到至少一个图形化栅叠层上，且在所述除去所述第一阻挡掩模和所述执行所述第二扩展注入之间执行所述形成所述第二阻挡掩模。

12.权利要求1所述的方法，进一步包含在所述源区侧内形成晕区域，在所述第一阻挡掩模在适当位置的情况下形成所述晕区域，并使用所述结构上的第二阻挡掩模执行所述第二扩展注入。

13.一种制造半导体结构的方法，包括：

提供一种结构，其包含位于半导体衬底表面上的至少一个图形化栅区，所述至少一个图形化栅区包含源区侧和漏区侧；

在所述至少一个图形化栅区的所述漏区侧上形成第一阻挡掩模，所述第一阻挡掩模至少部分地扩展到该至少一个图形化栅区上；

以任何顺序执行第一扩展注入和晕注入，从而在所述源区侧内形成第一扩展区域和晕区域，其中所述第一阻挡掩模防止在所述漏区侧内形成所述第一扩展区域和所述晕区域；

除去所述第一阻挡掩模；以及

至少在该图形化栅区的所述漏区侧内执行第二扩展注入，从而至少在该漏区侧内形成具有与该第一扩展区域的分布不同的第二扩展区域。

14.权利要求13所述的方法，其中所述分布不同包括结深度不同、掺杂剂浓度不同或其组合。

15.权利要求13所述的方法，进一步包括在所述源区侧上形成第二阻挡掩模，该阻挡掩模部分地扩展到该至少一个图形化栅叠层上，而且在所述除去所述第一阻挡掩模和所述执行所述第二扩展注入之间执行所述形成所述第二阻挡掩模。

16.权利要求13所述的方法，其中不使用阻挡掩模而执行所述第二扩展注入，使得在所述源区侧内也形成所述第二扩展区域。

17.一种半导体结构，包括：

位于半导体衬底表面上的至少一个图形化栅区，所述至少一个图形化栅区包含源区侧和漏区侧；以及

位于该源区侧内的第一扩展区域和位于该漏区侧内的第二扩展区域，其中所述第二扩展区域具有与第一扩展区域不同的分布。