[发明专利]包括两片带有多个半导体芯片和电子元件的衬底的功率电子封装件

权利要求书

1.一种功率电子封装件，包括：

第一和第二高导热性绝缘非平面衬底(1、2)；以及

多个半导体芯片(20)和多个电子元件(30)，设置在所述第一和第二高导热性绝缘非平面衬底(1、2)之间，其中：

所述第一和第二高导热性绝缘非平面衬底(1，2)均包括交替叠置的多个电绝缘体层(77)和图案化的电导体层(7a、7b、8a、8b、9a、9b、9c、10a、10b)；

所述电导体层(7a、7b、8a、8b、9a、9b、9c、10a、10b)以机械和电气连接的方式与所述电子元件(30)相连接；

所述第一和第二高导热性绝缘非平面衬底(1、2)还均包括多个凸起区或立柱(70)；

所述凸起区或立柱(70)接合在一起，从而将所述第一和第二高导热性绝缘非平面衬底(1、2)机械连接和电气连接；

调整所述凸起区或立柱(70)的数量、所述凸起区或立柱(70)的排列以及每个凸起区或立柱(70)的形状，从而在所述第一和第二高导热性绝缘非平面衬底(1、2)之间获得机械分离；以及

所述电导体层(7a、7b、8a、8b、9a、9b、9c、10a、10b)被彼此分开和隔离，从而在所述第一和第二高导热性绝缘非平面衬底(1、2)中的至少一个衬底上设置多个电路(7a、7b、8a、8b、9a、9b、9c、10a、10b)。

2.一种功率电子封装件，包括：

第一和第二高导热性绝缘非平面衬底(1、2)；以及

多个半导体芯片(20)和多个电子元件(30)，设置在所述第一和第二高导热性绝缘非平面衬底(1、2)之间，其中：

所述第一和第二高导热性绝缘非平面衬底(1、2)均包括交替叠置的多个电绝缘体层(77)和图案化的电导体层(7a、7b、8a、8b、9a、9b、9c、10a、10b)；

所述电导体层(7a、7b、8a、8b、9a、9b、9c、10a、10b)以机械和电气连接的方式与所述电子元件(30)相连接；

所述第一和第二高导热性绝缘非平面衬底(1、2)还均包括多个凹处或阱；

所述凹处或阱被设置在所述第一和第二高导热性绝缘非平面衬底(1、2)中的至少一个衬底的预定区域上，所述电子元件(30)位于所述预定区域上；

所述第一和第二高导热性绝缘非平面衬底(1、2)通过多个接合区(70)进行机械接合和电气接合；以及

所述电导体层(7a、7b、8a、8b、9a、9b、9c、10a、10b)被彼此分开和隔离，从而在所述第一和第二高导热性绝缘非平面衬底(1、2)中的至少一个衬底上设置多个电路(7a、7b、8a、8b、9a、9b、9c、10a、10b)。

3.根据权利要求1所述的功率电子封装件，其中：

所述第一和第二高导热性绝缘非平面衬底(1、2)中之一包括多个凹处；

所述凹处被设置在所述第一和第二高导热性绝缘非平面衬底(1、2)中的所述之一的预定区域上，所述电子元件(30)位于所述预定区域上；

所述第一和第二高导热性绝缘非平面衬底(1、2)通过多个接合区(70)进行机械接合和电气接合；以及

所述凸起区或立柱(70)提供所述接合区(70)。

4.根据权利要求3所述的功率电子封装件，其中：

所述第一高导热性绝缘非平面衬底(1)具有无任何凹处的平面。

5.根据权利要求1-4中任何一项所述的功率电子封装件，其中：

所述凸起区或立柱(70)在所述第一和第二高导热性绝缘非平面衬底(1、2)之间提供多个接合区(70)；以及

所述接合区(70)具有预定的排列，其能够在所述第一和第二高导热性绝缘非平面衬底(1、2)中的至少一个衬底以及外部电路之间进行连接。

6.根据权利要求1-4中任意一项所述的功率电子封装件，其中：

所述第一和第二高导热性绝缘非平面衬底(1、2)之间的所述机械分离由所述凸起区或立柱(70)的材料来控制；以及

所述凸起区或立柱(70)的材料具有高热膨胀系数。