[发明专利]用于芯片模块的芯片载体及芯片模块的制造方法

权利要求书

1.一种用于形成芯片模块的芯片载体，所述芯片模块具有衬底及设在衬底上的连接引线，其中连接引线被设计成类似于条状且在衬底上平行延伸，

其特征在于

连接引线由加到衬底的导电连接导线束(12，13)构成，衬底由载体膜(11)形成。

2.如权利要求1所述的芯片载体，

其特征在于

在与连接导线束(12，13)相对的载体膜(11)一侧设有至少一个附加的导电背导线束(27)，以产生电容，其中绝缘载体膜设为一面的连接导线束与另一面的背导线束之间的中间层。

3.如权利要求1或2所述的芯片载体，

其特征在于

连接导线束(12，13)至少部分地设有用于与芯片(14)的接触金属化(15，16)接触的连接材料涂层这一事实。

4.如以上权利要求中任一项所述的芯片载体，

其特征在于

连接导线束(12，13)至少部分地设有用于与芯片(14)的接触金属化(15，16)接触的接触金属化。

5.如以上权利要求中任一项所述的芯片载体，

其特征在于

连接导线束(12，13)与线圈单元的端子相连。

6.一种芯片模块，具有如权利要求1到5中任一项所述的芯片载体以及芯片，所述芯片具有凸出的接触金属化的连接表面，

其特征在于

芯片(14)的接触金属化(15，16)与连接导线束(12，13)的顶面(21)接触。

7.如权利要求6所述的芯片模块，

其特征在于

与芯片的接触金属化(15，16)接触的连接导线束(12，13)与线圈单元的端子相连。

8.一种用于制造如权利要求6或7所述的芯片模块的方法，

其特征在于以下步骤：

-把至少两个导电连接导线束(12，13)加到载体膜(11)的一侧，从而连接导线束在载体表面上平行延伸，以及

-使芯片(14)的接触金属化(15，16)与连接导线束接触，从而芯片的接触金属化与各连接导线束接触。

9.如权利要求8所述的制造芯片模块的方法，

其特征在于

在使连接导线束(12，13)与芯片(14)接触前，连接导线束与线圈单元接触。

10.如权利要求8或9所述的制造芯片模块的方法，

其特征在于

把连接导线束(12，13)以这样的方式连续加到载体膜(11)，从而把连接导线束与载体膜制备为连续导线束，并使它们在接触区(38)内连续相向移动，同时形成粘合。

11.如权利要求10所述的方法，

其特征在于

在形成与连接导线束(12，13)的接触区(38)前，在载体膜的限定距离处设置窗口孔，从而以连接导线束(12，13)覆盖随后形成的接触区中的窗口孔，同时形成穴状接触插孔(23，24)。

12.如权利要求8到11中任一项所述的方法，

其特征在于

在载体膜(11)的与待加上连接导线束(12，13)的一侧相对的一侧上涂敷至少一个附加的导电背导线束。

13.如权利要求8到12中任一项所述的方法，

其特征在于

在层压工艺中把连接导线束(12，13)和/或至少一个背导线束(27)加到载体膜(11)。

14.如权利要求13所述的方法，

其特征在于

通过施加热熔在连接导线束(12，13)和/或至少一个背导线束(27)与载体膜(11)之间产生粘合。