[发明专利]用于形成半导体装置用内插器的复层板、半导体装置用内插器以及它们的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及用来形成用于作为搭载半导体芯片的衬底的半导体装置的内插器的复层板、用该复层材料制造的用于半导体装置的内插器(interposer)、以及它们的制造方法。

背景技术

近年来，随着电子器件的小型、轻质和高性能化，还要求搭载在其上的半导体封装装置的小型化，已经开发了小型的半导体封装装置。于是，提出了与芯片尺寸大体同样大小的半导体装置。

日本专利特开平10-74807号公报披露了这样了半导体装置的制造方法，其示意图示于图12。在内插器100(衬底)的一个表面上搭载半导体芯片101，与衬底上的布线图案102相连接。另外，布线通过在衬底厚度方向上形成的通孔103与安装衬底侧导通，在通孔的安装衬底侧形成外部连接用的焊点104。

在上述构成的半导体装置中，内插器的两个表面的导通是在通孔形成之后用电镀等填充导电物质而实现的。但是，有形成微小的通孔和向其电镀的工序，存在技术上的困难，而且由于进行比较厚的电镀，成本也增加的问题。

本发明正是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供可廉价制造且具有良好特性的形成半导体装置用内插器的复层板、用它制造的半导体装置用内插器以及它们的制造方法。

发明概述

本发明的用于形成半导体装置用内插器的复层板，其特征在于是通过把铜箔材料和镍箔材料以0.1～3％的轧制率压接而制成的。

本发明的用于形成半导体装置用内插器的复层板，其特征在于是通过把其单面或双面上镀镍的铜箔材料、和其它铜箔材料或其单面上镀镍的铜箔材料以0.1～3％的轧制率压接而制成的。

本发明的的复层板，其特征还在于上述复层板是铜/镍/铜/镍/铜的五层结构。

本发明的半导体装置用内插器，其特征在于：对如权利要求1～3中任一项所述的复层板选择性蚀刻，形成与半导体芯片连接用的凸点、布线层，使用各向异性导电粘接剂通过半导体芯片连接用凸点实现半导体芯片与布线层的连接，借助于通过蚀刻形成的柱状导体实现内插器厚度方向上的导通。

本发明的半导体装置用内插器的制造方法，其特征在于包括下列工序：形成用于形成半导体装置用内插器的复层板，该复层板是通过把形成导体层等的铜箔材料和形成蚀刻停止层的镍箔材料或镀镍层层叠起来并以0.1～3％的轧制率进行压接而形成的；对该复层板选择性蚀刻，形成柱状导体；在形成布线层的铜箔材料上形成绝缘层；以及在该复层板的与柱状导体形成面相反的一侧上形成与半导体芯片连接用的凸点和布线层。

本发明的用于形成半导体装置用内插器的复层板的制造方法，其特征在于：上述用于形成半导体装置用内插器的复层板是通过在真空槽内将上述铜箔和上述镍箔或镀镍层的接合面预先活性化处理之后，把上述铜箔和上述镍箔材料或镀镍层层叠起来并以0.1～3％的轧制率冷轧接合而成的，而且上述活性化处理通过如下进行，即，(1)在1×10¹～1×10^-2Pa的极低压的不活泼气体气氛中；(2)以具有接合面的上述铜箔和上述镀镍层作为分别接地的电极A，并在它和另一被绝缘支撑的电极B之间施加1～50MHz的交流电，进行辉光放电；(3)在因上述辉光放电生成的等离子体中露出的电极的面积是电极B的面积的1/3以下；(4)进行溅射蚀刻处理。

附图简述

图1是根据本发明的一实施方案的半导体装置用内插器的制造方法的工序说明图；

图2是根据本发明的一实施方案的半导体装置用内插器的制造方法的工序说明图；

图3是根据本发明的一实施方案的半导体装置用内插器的制造方法的工序说明图；

图4是根据本发明的一实施方案的半导体装置用内插器的制造方法的工序说明图；

图5是根据本发明的一实施方案的半导体装置用内插器的制造方法的工序说明图；

图6是根据本发明的一实施方案的半导体装置用内插器的制造方法的工序说明图；

图7是根据本发明的一实施方案的半导体装置用内插器的制造方法的工序说明图；

图8是根据本发明的一实施方案的半导体装置用内插器的制造方法的工序说明图；

图9是根据本发明的一实施方案的半导体装置用内插器的制造方法的工序说明图；

图10是根据本发明的一实施方案的半导体装置用内插器的制造方法的工序说明图；

图11是复层板的制造装置的剖面正视图；

图12是现有的半导体装置用内插器的剖面图。

实施发明的具体方式