“tsv”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1603个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种三维集成系统散热TSV阵列的设计方法-CN202210662602.8在审
发明人：谌东东;王祥龙;李迪 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维集成系统散热TSV阵列的设计方法，包括：步骤1、建立热量沿TSV阵列的纵向传播的温度场有限元模型；步骤2、从所述温度场有限元模型中提取单个TSV作为基本计算单元，并利用长方体等效原则，获取所述TSV阵列的设计参数与等效热导率的映射关系模型；步骤3、构建TSV阵列的峰值温度、平均温度和上下表面温度的均匀度的多目标优化函数；步骤4、基于所述映射关系模型和所述多目标优化函数，利用粒子群优化算法优化TSV阵列的设计参数，得到优化后的TSV阵列的设计参数。
一种三维集成系统散热 tsv 阵列设计方法

[发明专利]一种基于图像分析的TSV结构的三维应力表征方法-CN201510585488.3有效
发明人：何虎;李军辉;陈卓;朱文辉 -专利权人：中南大学
申请日： 2015-09-15 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： G01N3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于图像分析的TSV结构的三维应力表征方法，包括如下步骤步骤一、利用高分率X射线显微镜，从不同角度对TSV结构进行成像，然后通过图像重构技术获得TSV结构的三维结构点云数据；步骤二、计算TSV结构在外载荷作用前后，上述点云数据中每一个点的空间三维变形量；步骤三、根据步骤二得到的三维变形量，采用拉格朗日应变张量来计算TSV结构中每个点的三维应力状态。本发明基于图像信号分析来表征TSV结构三维应力，能弥补传统应力表征的成本昂贵、效率较低的不足，对含TSV结构的器件在外载荷作用下的失效分析和可靠性设计意义重大。
一种基于图像分析 tsv 结构三维应力表征方法

[发明专利]一种TSV电镀铜退火效果的检测方法-CN201310751695.2有效
发明人：马丽;于仙仙;李艳艳;王溯 -专利权人：上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种TSV电镀铜退火效果的检测方法，包含：步骤1，对TSV芯片进行物理研磨；步骤2，通过微腐蚀液抛光，将研磨好的TSV芯片在酸性的微腐蚀液介质中于抛光布上进行抛光腐蚀，抛光时间为0.5-10min；微腐蚀液是采用去氧化物的水溶液，按质量体积比计加入250-350g/L的三氧化二铝抛光粉制备而成的悬浮液；步骤3，超声去抛光粉，以水为介质将腐蚀后的TSV芯片超声1-5min，去除TSV孔表面的抛光粉及其异物；步骤4，将超声后的TSV芯片在扫描电镜下观察。本发明提供的TSV电镀铜退火效果的检测方法，有效方便、费用低，分析周期短，可以节约时间和成本。
一种 tsv 镀铜退火效果检测方法

[发明专利]用于系统级封装的TSV转接板-CN201711349173.4有效
发明人：张捷 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于系统级封装的TSV转接板，包括：Si衬底(101)；至少两个TSV区(102)，设置于所述Si衬底(101)内；至少两个隔离区(103)，设置于所述Si衬底(101)内并位于每两个所述TSV区(102)之间；二极管(104)，设置于所述隔离区(103)之上；互连线(105)，对所述TSV区(102)的第一端面和所述二极管(104)进行串行连接。本发明提供的TSV转接板通过在TSV转接板上加工二极管作为ESD防护器件，解决了基于TSV工艺的集成电路系统级封装抗静电能力弱的问题，增强了集成电路系统级封装的抗静电能力。
用于系统封装 tsv 转接

[实用新型]用于系统级封装的TSV转接板-CN201721765776.8有效
发明人：张捷 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于系统级封装的TSV转接板，包括：Si衬底(101)；至少两个TSV区(102)，设置于所述Si衬底(101)内；至少两个隔离区(103)，设置于所述Si衬底(101)内并位于每两个所述TSV区(102)之间；二极管(104)，设置于所述隔离区(103)之上；互连线(105)，对所述TSV区(102)的第一端面和所述二极管(104)进行串行连接。本实用新型提供的TSV转接板通过在TSV转接板上加工二极管作为ESD防护器件，解决了基于TSV工艺的集成电路系统级封装抗静电能力弱的问题，增强了集成电路系统级封装的抗静电能力。
二极管衬底集成电路系统抗静电能力系统级封装隔离区封装本实用新型串行连接转接互连线加工

[发明专利]用于靠近硅过孔放置晶体管的方法及装置-CN201080017985.9有效
发明人： J·D·斯普罗施;V·莫罗兹;胥晓鹏;A·P·卡玛卡 -专利权人：新思科技有限公司
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及表征、考虑或者利用由晶体管附近的TSV所引起的应力的方式。当对电路进行表征时可以将TSV与附近晶体管之间的物理关系考虑在内。为此可以修改在不知晓TSV与附近晶体管之间的物理关系的情况下获得的版图。宏单元可以包括TSV和附近的晶体管这两者，以及将晶体管与TSV之间的物理关系考虑在内的针对宏单元的仿真模型。宏单元可以包括TSV和附近的晶体管这两者，晶体管之一被相对于其他晶体管旋转。IC也可以包括与TSV靠近到使沟道中载流子迁移率改变超过先前所认为的用于限定禁区的限度的晶体管。
用于靠近放置晶体管方法装置

[发明专利]一种含高深宽比TSV的转接板的制作方法-CN201510214323.5在审
发明人：官勇;魏晓旻;马盛林;曾清华;邱颖霞;陈兢;金玉丰 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所;北京大学
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种含高深宽比TSV的转接板的制作方法。该转接板包括多个高深宽比的垂直TSV通孔、绝缘层、再布线层，所述转接板具有相对的第一表面和第二表面；所述TSV为直径5～150μm，深宽比约10:1，垂直贯穿所述转接板的第一表面和第二表面的垂直通孔；所述绝缘层保型覆盖整个衬底表面及TSV侧壁；所述再分布线层在所述转接板第一表面和第二表面。本发明可以有效的避免TSV尺寸太小带来的背面绝缘层不连续、背面绝缘层开裂，以及小尺寸TSV侧壁种子层金属生长过快导致快速封口而带来TSV内存空洞的问题，能够提高含高深宽比TSV的转接板的成品率和电学可靠性
一种高深 tsv 转接制作方法

[发明专利]一种三维集成电路缺陷TSV的动态自修复方法和装置-CN201810708362.4在审
发明人：赵凯;邝艳梅;缪旻 -专利权人：北京信息科技大学
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维集成电路缺陷TSV的动态自修复方法和装置。修复电路分为主端修复电路和从端修复电路，主端修复电路用于配置修复路径，从端修复电路用于恢复修复后的数据信号。当缺陷TSV的数量小于或等于冗余TSV数量时，应用冗余容错修复(硬修复)对其进行修复。否则，先对缺陷TSV进行冗余容错修复(硬修复)，再将剩余缺陷TSV进行并串‑串并转换修复(软修复)。本发明避免了传统修复方案中修复率高低取决于冗余TSV数量的弊端，增加了修复路径的选择，进而提高了缺陷TSV被修复的可能性。通过重构电路来修复由于工作环境及芯片老化率等因素影响下的TSV数据通道缺陷问题，有利于延长芯片的工作寿命，减少经济损失。
修复修复电路冗余三维集成电路方法和装置串并转换工作寿命经济损失缺陷问题冗余容错剩余缺陷数据通道数据信号芯片老化因素影响应用冗余自修复重构主端电路芯片配置恢复

[发明专利]用于系统级封装的防静电装置-CN201711352400.9有效
发明人：张捷 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：Si衬底(101)；器件区，设置于所述Si衬底(101)内，包括纵向结构的SCR管(102)和隔离区(103)，所述隔离区(103)设置于所述SCR管(102)两侧且上下贯通所述Si衬底(101)；第一TSV区(104)和第二TSV区(105)，设置于所述Si衬底(101)内且位于所述器件区两侧且上下贯通所述Si衬底(101)；互连线，设置于所述Si衬底(101)上用于串行连接所述第一TSV区(104)的第一端面、所述SCR管(102)和所述第二TSV区(105)的第一端面；金属凸点(106)；设置于所述第一TSV区(104)的第二端面和所述第二TSV区(105)的第一端面上。本发明提供的TSV转接板通过在TSV转接板上加工ESD防护器件SCR管，增强了层叠封装芯片的抗静电能力。
用于系统封装静电装置

[发明专利]基于三极管的TSV转接板及其制备方法-CN201711349158.X有效
发明人：张捷 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于三极管的TSV转接板及其制备方法，该方法包括：选取Si衬底；在所述Si衬底内制备三极管；刻蚀所述Si衬底分别在所述三极管两侧形成隔离沟槽和TSV；在所述隔离沟槽填充SiO2形成隔离区；在所述TSV填充铜材料形成TSV区；在所述Si衬底上表面制备所述TSV区的第一端面与所述三极管的互连线；在所述TSV区的第二端面制备金属凸点以完成所述TSV转接板的制备本发明提供的硅通孔转接板通过在硅通孔转接板上设置三极管作为ESD防护器件，解决了基于TSV工艺的集成电路系统级封装抗静电能力弱的问题，增强了集成电路系统级封装的抗静电能力。
基于三极管 tsv 转接及其制备方法

[发明专利]一种金属做密闭壳体的射频芯片系统级封装结构及工艺-CN201811176941.5有效
发明人：冯光建;郑赞赞;王永河;马飞;程明芳;郭丽丽;郁发新 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本发明提供一种金属做密闭壳体的射频芯片系统级封装结构，包括底座晶圆和盖板晶圆，底座晶圆和盖板晶圆通过晶圆级工艺键合在一起，底座晶圆和盖板晶圆的外表面均设有绝缘层，底座晶圆的中部设有TSV布孔区域，TSV布孔区域内设有多个并行排列的TSV孔，这些TSV孔在厚度方向上贯穿底座晶圆，TSV孔内铸铜形成TSV铜柱，在布孔区域的上表面设有上部RDL结构，在布孔区域的下表面设有下部RDL结构，TSV铜柱的上下两端分别连接上部本发明不需要做TSV和空腔结构，适合大量制造和批量生产。
一种金属密闭壳体射频芯片系统封装结构工艺

[发明专利]一种集成FPGA芯片和人工智能芯片的系统级封装方法-CN201910257501.0有效
发明人：连荣椿;王海力;马明 -专利权人：京微齐力(北京)科技有限公司
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成FPGA芯片和人工智能芯片的系统级封装方法，在FPGA裸片上设置人工智能裸片；在FPGA裸片的合适位置增加FPGA硅片通孔TSV，在人工智能裸片上对应FPGA TSV的位置增加人工智能裸片的TSV；将人工智能裸片的IO与人工智能裸片的TSV和/或焊盘建立对应关系，导出对应关系；根据对应关系限制人工智能裸片的TSV和/或焊盘所对应的最优的FPGA裸片的TSV和/或焊盘位置上的FPGA IO，FPGA裸片的TSV和/或焊盘参照人工智能裸片的TSV和/或焊盘设计，可有效地减少总体绕线长度、绕线难度以及信号负载，提高绕线的时序性能。
一种集成 fpga 芯片人工智能系统封装方法

[发明专利]TSV结构电击穿寿命测试方法、装置、系统和控制设备-CN201910703529.2有效
发明人：陈思;王之哲;周斌;付兴;尧彬;黄云;恩云飞 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请涉及一种TSV结构电击穿寿命测试方法、装置、系统和控制设备；所述方法包括在第一个温度循环周期内，通过信号采集设备采集待测TSV矩阵晶圆样品在初始电压下的初始漏电流；第一个温度循环周期为控制温度调节设备调节待测TSV矩阵晶圆样品的测试环境温度循环变化的第一个周期；在初始漏电流小于或等于预设值时，控制电源设备以初始电压为起点逐渐增大施加在待测TSV矩阵晶圆样品上的电压，并通过信号采集设备实时采集待测TSV矩阵晶圆样品的当前漏电流；在当前漏电流满足失效判据时，获取电源设备调节电压的总时长，并将总时长确认为待测TSV矩阵晶圆样品的失效时间，实现高效准确地测试TSV结构的寿命性能，实现高效准确地测试TSV结构的电击穿可靠性。
tsv 结构击穿寿命测试方法装置系统控制设备

[实用新型]用于系统级封装的防静电装置-CN201721767596.3有效
发明人：张捷 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：Si衬底(101)；器件区，设置于所述Si衬底(101)内，包括纵向结构的SCR管(102)和隔离区(103)，所述隔离区(103)设置于所述SCR管(102)两侧且上下贯通所述Si衬底(101)；第一TSV区(104)和第二TSV区(105)，设置于所述Si衬底(101)内且位于所述器件区两侧且上下贯通所述Si衬底(101)；互连线，设置于所述Si衬底(101)上用于串行连接所述第一TSV区(104)的第一端面、所述SCR管(102)和所述第二TSV区(105)的第二端面；铜凸点(106)；设置于所述第一TSV区(104)的第二端面和所述第二TSV区(105)的第二端面上。本实用新型提供的TSV转接板通过在TSV转接板上加工ESD防护器件SCR管，增强了层叠封装芯片的抗静电能力。
衬底本实用新型防静电装置系统级封装上下贯通隔离区器件区抗静电能力层叠封装串行连接纵向结构互连线凸点芯片加工

[实用新型]一种带有TSV通孔束的封装结构和3DIC芯片封装结构-CN202123286028.0有效
发明人：樊嘉祺;孙鹏;徐成 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带有TSV通孔束的封装结构，包括：第一电接触部；第二电接触部；功能层，其布置在第一电接触部与第二电接触部之间；以及TSV通孔束，其具有多个具有第一尺寸的第一TSV通孔，所述多个第一TSV通孔贯穿所述功能层以用于将第一电接触部与第二电接触部彼此电连接，其中所述多个第一TSV通孔被布置为使得它们共同形成具有第二尺寸的TSV通孔，其中第一尺寸小于第二尺寸。该封装结构采用TSV通孔束可以加增大电流传输时的横截面积，有效降低TSV通孔的电阻，进而优化整个供电网络，还可以降低应力，进而降低产品失效的风险，还可以扩宽了信号的传输通道，可以有效的保证信号传输质量，
一种带有 tsv 通孔束封装结构 dic 芯片