[发明专利]形成与4H-SIC材料直接接触的3C-SIC层的方法在审
| 申请号： | 202310260665.5 | 申请日： | 2023-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN116779451A | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | G·贝洛基;S·拉斯库纳;P·巴达拉;A·巴西 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/428 | 分类号： | H01L21/428 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李兴斌 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及形成与4H‑SIC材料直接接触的3C‑SiC层的方法。用于制造3C‑SiC层的方法，包括以下步骤：提供具有表面的4H‑SiC晶片；通过激光束加热所述晶片的选择性部分至少达到所述选择性部分的材料的熔融温度；使熔融的选择性部分冷却和结晶，从而形成3C‑SiC层，在3C‑SiC层上的硅层和在硅层上的富碳层；完全去除富碳层和硅层，暴露3C‑SiC层。如果硅层保持在4H‑SiC晶片上，则该工艺导致在4H‑SiC晶片上形成硅层。这样形成的3C‑SiC或硅层可以用于电或电子元件的集成，甚至只是部分集成。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 sic 材料 直接 接触 方法 | ||
【主权项】：
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
