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[发明专利]SiC单晶生长装置-CN202280011111.5在审
发明人： 盐见弘 -专利权人： SEC炭素株式会社
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种SiC单晶生长装置，其能够对固体原料均匀地进行加热而使其升华为气体原料，并且能够减少使SiC单晶生长时的原料的浪费。SiC单晶生长装置(1)包括：加热容器(10)，其具有原料收纳部(12)和晶种安装部(16)，原料收纳部(12)在由筒状的侧周部分(14)划分形成的内部空间(S)的局部收纳有由SiC构成的固体原料(M(s))，在原料收纳部(12)的内部空间(S)的未收纳固体原料(M(s))的一侧具有晶种安装部(16)，该晶种安装部供SiC的晶种(2)配置；以及加热部件(3)，其对加热容器(10)进行加热，加热部件(3)具有第1加热部(31)，该第1加热部(31)具有第1加热面(31a)，该第1加热面相对于处于加热容器(10)的外表面侧且是原料收纳部(12)的与晶种安装部(16)相对的主面部分而言以覆盖该主面部分的整个外表面的位置关系与该主面部分相对配置，在将内部空间(S)的圆形切片面积设为A并将第1加热面(31a)的面积设为B时，满足B/A≥2的关系。
sic 生长装置

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201280039033.6在审
发明人： 盐见弘;岛津充 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2012-09-11 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的MOSFET制造方法具有：制备由碳化硅构成的衬底（10）的步骤；形成与衬底（10）接触的栅极氧化物膜（20）的步骤；以及在包括了衬底（10）和栅极氧化物膜（20）之间的界面的区域中引入氮原子。在引入氮原子的步骤中，在通过将包含氮原子但不包含氧原子的氮化处理气体加热至超过1200℃的温度而形成的气氛气体中加热上面已经形成了栅极氧化物膜（20）的衬底（10），从而将氮原子引入到包括了衬底（10）和栅极氧化物膜（20）之间的界面的区域中。
制造半导体器件方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201280052312.6无效
发明人： 盐见弘 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法具有以下步骤。制备具有第一导电类型的碳化硅层(122)的衬底(10)。在碳化硅层(122)上形成掩膜层(1)。通过从掩膜层(1)上方进行离子注入而在碳化硅层(122)中形成第二导电类型的阱区(123)。在形成掩膜层(1)的步骤中，形成具有带有锥角的开口的掩膜层(1)，该锥角为形成在掩膜层(1)的底表面和倾斜表面之间的大于60°且不大于80°的角。因此，能提供能够获得具有高集成度和高耐受电压的半导体器件的制造半导体器件的方法。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件-CN201180020478.5无效
发明人：日吉透;和田圭司;增田健良;盐见弘 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：一种MOSFET（100），包括：碳化硅衬底（1），其包括具有相对于{0001}面不小于50°且不超过65°的偏离角的主表面（1A）；缓冲层（2）和漂移层（3），其两者均形成在主表面（1A）上；栅极氧化物膜（91），其形成在漂移层（3）上并与漂移层（3）接触；以及p导电类型的p型体区（4），其形成在漂移层（3）中以包括与栅极氧化物膜（91）接触的区域。p型体区（4）的p型杂质密度不小于5×1016cm-3。
半导体器件

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201180018861.7无效
发明人：久保田良辅;和田圭司;增田健良;盐见弘 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2011-11-07 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：制备具有表面的碳化硅衬底。通过执行通过表面到碳化硅衬底中的离子注入而形成杂质区（123至125）。执行用于活化杂质区的退火。退火包括：利用具有第一波长的第一激光照射碳化硅衬底的表面的步骤，以及利用具有第二波长的第二激光照射碳化硅衬底的表面的步骤。碳化硅衬底在第一和第二波长下分别具有第一和第二消光系数，第一消光系数与第一波长的比率大于5×105/m。第二消光系数与第二波长的比率小于5×105/m。因此可以减小在激光退火期间对碳化硅衬底表面的损伤。
制造半导体器件方法

[发明专利]用于制造碳化硅半导体器件的方法-CN201180013622.2无效
发明人：大井直树;盐见弘 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：一种用于制造碳化硅半导体器件（100）的方法包括通过借助于采用包含氧气和从由CF4、C2F6、C3F8和SF6组成的组中选择的至少一种氟化合物气体的气体的蚀刻移除氧化硅膜（31）的一部分来形成氧化硅膜（31）的掩膜图案的步骤。
用于制造碳化硅半导体器件方法

[发明专利]制造碳化硅半导体器件的方法和装置-CN201180004782.0无效
发明人：伊藤里美;盐见弘;并川靖生;和田圭司;岛津充;日吉透 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2011-02-23 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造碳化硅半导体器件（200）的方法，该方法包括：制备包括第一表面（100a）的碳化硅半导体（100）的步骤，该第一表面（100a）至少部分地注入有杂质；通过使用含有氢气的气体对碳化硅半导体（100）的第一表面（100a）进行干法刻蚀，来形成第二表面（100b）的步骤；以及在所述第二表面（100b）上形成构成所述碳化硅半导体器件（200）的氧化膜（126）的步骤。
制造碳化硅半导体器件方法装置

[发明专利]半导体器件、组合衬底及其制造方法-CN201180005072.X无效
发明人： 盐见弘;玉祖秀人 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2011-05-02 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：公开了一种低成本高质量的半导体器件、在所述半导体器件的制造中使用的接合衬底以及其制造方法。公开的用于制造半导体元件的方法包括：制备单晶半导体构件的步骤（S10）；制备支撑材料的步骤（S20）；使用包含碳的接合层将支撑材料和单晶半导体构件彼此接合的步骤（S30）；在单晶半导体构件的表面上形成外延层的步骤（S40）；使用外延层形成半导体元件的步骤（S50）；在形成半导体元件的步骤（S50）之后通过氧化分解接合层并且将单晶半导体构件与支撑材料分离的步骤（S60）；以及分割与支撑材料分离的单晶半导体构件的步骤（S80）。
半导体器件组合衬底及其制造方法

[发明专利]碳化硅半导体的清洗方法-CN201180004060.5无效
发明人：和田圭司;增田健良;宫崎富仁;日吉透;伊藤里美;盐见弘 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC半导体(2)的清洗方法，包括：在SiC半导体(2)的表面(2a)处形成氧化膜的步骤；和去除该氧化膜的步骤。在形成氧化膜的步骤，使用浓度大于或等于30ppm的臭氧水形成氧化膜。形成步骤优选地包括加热SiC半导体(2)的表面(2a)和臭氧水中的至少一个。因而，可以得到能够表现出对SiC半导体(2)的清洗效果的SiC半导体的清洗方法。
碳化硅半导体清洗方法

[发明专利]碳化硅衬底、设置有外延层的衬底、半导体器件和用于制造碳化硅衬底的方法-CN201180002713.6无效
发明人： 盐见弘;玉祖秀人;原田真;筑野孝;并川靖生 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2011-02-21 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅衬底、设置有外延层的衬底、半导体器件和用于制造碳化硅衬底的方法，它们都实现了导通电阻的减小。碳化硅衬底(10)是具有主表面的碳化硅衬底(10)，并且包括：SiC单晶衬底(1)，其形成在所述主表面的至少一部分中；以及基底构件(20)，其被设置成环绕所述SiC单晶衬底(1)。所述基底构件(20)包括边界区域(11)和基底区域(12)。边界区域(11)在沿着所述主表面的方向上与所述SiC单晶衬底(1)相邻并且在边界区域(11)内部具有晶粒边界。基底区域(12)在垂直于所述主表面的方向上与所述SiC单晶衬底(1)相邻并且具有的杂质浓度高于所述SiC单晶衬底(1)的杂质浓度。
碳化硅衬底设置外延半导体器件用于制造方法

[发明专利]SiC单晶的生长方法和由该方法生长的SiC单晶-CN201110272676.2无效
发明人：木本恒畅;盐见弘;齐藤广明 -专利权人：丰田自动车株式会社;住友电气工业株式会社
申请日： 2005-05-13 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本申请涉及SiC单晶的生长方法和由该方法生长的SiC单晶。本发明提供一种可以以实用的生长速度生长可以用作半导体材料的低缺陷、低杂质的SiC单晶的4H-SiC单晶外延生长方法以及由该方法得到的4H-SiC单晶。本发明的方法包括在使4H-SiC单晶衬底的外延生长面相对于4H-SiC单晶的(0001)面在<11-20>轴方向上以至少12度且低于30度的偏角倾斜的同时通过外延生长在所述衬底上生长4H-SiC单晶。
sic 生长方法

[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体电子器件、制作Ⅲ族氮化物半导体电子器件的方法以及Ⅲ族氮化物半导体外延片-CN200980141759.9无效
发明人： 盐见弘;住吉和英;斋藤雄;木山诚 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-10-20 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：提供具有能减少漏电流的结构的III族氮化物半导体电子器件。层叠体(11)包括衬底(13)及III族氮化物半导体外延膜(15)。衬底(13)由具有超过1×1018cm-3的载流子浓度的III族氮化物半导体构成。外延结构物(15)包括III族氮化物半导体外延膜(17)。衬底(13)的第一面(13a)相对于向c轴方向延伸的轴(Cx)以大于5度的角度θ倾斜。法线矢量VN以及c轴矢量VC形成角度θ。III族氮化物半导体外延膜(17)包括依次配置在第一面(13a)的法线方向上的第一、第二及第三区域(17a、17b、17c)。第三区域(17c)的位错密度小于第一区域(17a)的位错密度。第二区域(17b)的位错密度小于衬底(13)的位错密度。
氮化物半导体电子器件制作方法以及外延

[发明专利]SiC单晶的生长方法和由该方法生长的SiC单晶-CN200580015054.4无效
发明人：木本恒畅;盐见弘;齐藤广明 -专利权人：丰田自动车株式会社;六方有限公司
申请日： 2005-05-13 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明提供一种可以以实用的生长速度生长可以用作半导体材料的低缺陷、低杂质的SiC单晶的4H－SiC单晶外延生长方法以及由该得到的4H－SiC单晶。本发明的方法包括在使4H－SiC单晶衬底的外延生长面相对于4H－SiC单晶的(0001)面在<11－20>轴方向上以至少12度且低于30度的偏角倾斜的同时通过外延生长在所述衬底上生长4H－SiC单晶。
sic 生长方法

[发明专利]制造碳化硅单晶的方法和用于制造碳化硅单晶的装置-CN99100967.3有效
发明人： 盐见弘;西野茂弘 -专利权人：住友电气工业株式会社;西野茂弘
申请日： 1999-01-18 - 公布日： 1999-08-18 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种用于制造SiC单晶的装置,包括一Si设置部分,其中放有固态硅;一籽晶设置部分,其中放有SiC的籽晶;一合成容器,适合于容纳Si设置部分、籽晶设置部分和碳;加热构件,适合于加热Si设置部分和籽晶设置部分;和一控制部分,用于向加热构件输送一指令,以将硅加热到硅的蒸发温度或更高,和将籽晶加热到高于Si的温度;其中,由加热构件蒸发的Si适于达到籽晶设置部分。本发明还涉及制造SiC单晶的方法。
制造碳化硅方法用于装置

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