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[发明专利]一种用于磁性随机存储器中参照磁性隧道结单元筛选方法-CN201710899558.1有效
发明人： 俞华樑;戴瑾 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种用于磁性随机存储器中参照磁性隧道结单元筛选方法，用于筛选自旋扭矩磁性随机存储器中参照磁性隧道结单元，在电路中加入一个已知阻值的电阻作为参照检测电阻，然后依次将所有的参照磁性隧道结写到高阻态或低组态，逐一对所述参照磁性隧道结与所述参照检测电阻进行比较，并对不良参照磁性隧道结进行记录；最后得到允许进入参照平均电路的所述参照磁性隧道结。本发明公开的方法能够排除不良参照磁性隧道结参与参照电阻平均，解决由于不良参照磁性隧道结的存在而使得大量以此为参照的数据记忆单元不能准确读取的问题。
一种用于磁性随机存储器参照隧道单元筛选方法

[发明专利]一种非对称磁性随机存储器及其磁性记忆单元读取方法-CN201610284020.5有效
发明人： 俞华樑;陈峻;郭一民 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种非对称磁性随机存储器，包括多个磁性记忆单元构成的阵列，磁性记忆单元包括非对称磁性隧道结，非对称磁性隧道结的低阻态到高阻态的转换电流的绝对值小于高阻态到低阻态的转换电流的绝对值，非对称磁性随机存储器还包括自参照读取模块，自参照读取模块用于根据磁性记忆单元的非对称磁性隧道结改变为高阻态的状态电压，利用非对称性读取磁性记忆单元的逻辑状态。本发明还提供一种非对称磁性随机存储器的磁性记忆单元读取方法。本发明提供的非对称磁性随机存储器及其磁性记忆单元读取方法,利用非对称磁性隧道结的磁电阻偏压依赖性，能够低能耗且更准确获取非对称磁性隧道结的状态，实现自参照的数据读取，解决了读取数据对参考电阻的标准差分布要求苛刻的而导致读取错误率高的问题。
一种对称磁性随机存储器及其记忆单元读取方法

[发明专利]磁性隧道结读取电路、MRAM芯片及读取方法-CN201611237579.9有效
发明人： 俞华樑;戴瑾 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性隧道结读取电路，磁性隧道结读取电路包括信号感测电路与比较电路，信号感测电路用于采用交叉分步叠加输出第一电位与第二电位，比较电路用于比较第一电位与第二电位，比较电路的一个输入端设置有分压电路。本发明还提供一种MRAM芯片及磁性隧道结读取方法。本发明提供的磁性隧道结读取电路、MRAM芯片及磁性隧道结读取方法，通过设置分压电路，调整了高阻态参照电阻与低阻态参照电阻的权重，从而使参照电阻处于最佳参照值，减小发生读取错误的可能性；采用交叉分步叠加获取信号，使得信号在进入比较电路前使用分压电路调整权重成为可能，且增强了磁性随机存储器数据读取信号强度，减小发生读取错误的可能性。
磁性隧道读取电路 mram 芯片方法

[发明专利]一种用于磁性随机存储器的冗余参照布局电路-CN201810027177.9有效
发明人： 俞华樑;戴瑾 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于磁性随机存储器的冗余参照布局电路，用于读取所述磁性随机存储的数据记忆单元，包括参照单元、电流镜、控制限流电路、参照选择开关和比较器；所述参照选择开关选择所述参考单元中的参照列，通过所述电流镜进行参照平均处理，得到平均电位VP和所述记忆单元待测磁性隧道结电位VMTJ，并发送到所述比较器进行比较，读出数据记忆单元内的数据。本发明改进了由于个别不良参照磁性隧道结的存在，使得大量以此为参照的数据记忆单元不能准确读取的问题，把含有不良参照磁性隧道结排除最终的参照以外，从而提高了数据读取的准确性。
一种用于磁性随机存储器冗余参照布局电路

[发明专利]一种磁性随机存储器及其读取方法-CN201611238874.6有效
发明人： 俞华樑 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性随机存储器，包括多个由磁电阻存储单元组成的阵列，每个阵列的源线与字线平行，每个阵列还包含了连接在两条参考位线的两列参考单元，每i条字线对应一条参考字线，其中i为正整数，参考字线与对应行上的所有参考单元相连。本发明还提供一种磁性随机存储器的读取方法。本发明提供的磁性随机存储器及其读取方法，通过采用新的参考单元的布局，读取阵列中i行存储单元时，使用相同的i行参考单元的平均值，从而减少了每个阵列中参考单元的个数，改善了小容量磁性随机存储器中参考单元个数与存储单元个数比率过高的问题。
一种磁性随机存储器及其读取方法

[发明专利]一种磁性随机存储器及其读取方法-CN201611240037.7有效
发明人： 俞华樑 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性随机存储器，包括多个由磁电阻存储单元组成的阵列，每个阵列的源线与字线平行，每个阵列还包含了一列参考单元，其中每个与相邻的两条参考位线之一相连，每i条字线对应一条参考字线，参考字线位于i条字线之后，并与对应行上的所有参考单元相连。本发明还提供一种磁性随机存储器的读取方法。本发明提供的磁性随机存储器及其读取方法，通过采用新的参考单元的布局，读取阵列中i行存储单元时，使用相同的i行参考单元的平均值，从而减少了每个阵列中参考单元的个数，改善了小容量磁性随机存储器中参考单元个数与存储单元个数比率过高的问题；能够调整连接到高或低参考位线的参考单元的数量，使中值参考值处于更优的参考点。
一种磁性随机存储器及其读取方法

[发明专利]一种MRAM芯片及其存储单元的读取方法-CN201611237565.7有效
发明人： 俞华樑 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种MRAM芯片，包括多个阵列组，每个阵列组包括m个阵列，一个字中的m位分别存入m个阵列，每个阵列还包括低阻态参考电阻列与高阻态参考电阻列。本发明还提供一种存储单元的读取方法。本发明提供的MRAM芯片及其存储单元的读取方法，由于一个字中的m位分别存入m个阵列，参考电阻被安排在只包含一位的阵列中，使得共用同一参考电阻的存储单元个数减小，因而标准差减小，能够避免信号差较小导致的读取错误率高的问题；每个阵列只包含两列参考电阻，使得参考电阻和存储单元个数比较小，因而能够增大单位面积中有效存储单元个数；采用交叉分步叠加获取信号并调整权重，使参考电阻处于最佳值，减小发生读取错误的可能性。
一种 mram 芯片及其存储单元读取方法

[发明专利]一种使用对称阵列参考单元的MRAM芯片-CN201711251086.5在审
发明人：戴瑾;俞华樑 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用对称阵列参考单元的MRAM芯片，所述对称阵列参考单元包括读/写控制电路、行地址解码器以及对称分布于所述控制电路两侧的第一MRAM块和第二MRAM块；所述第一MRAM块和所述第二MRAM块均包括列地址解码器和MRAM阵列，所述第一MRAM块和所述第二MRAM块共用所述读/写控制电路；每一个所述MRAM阵列有一行或多行参考单元，每一行所述参考单元中有一个或多个参考字。本发明能够大幅降低参考单元占据的面积，提高芯片面积使用率，并且使用的参考单元数目更少，有助于提高系统的良率。
参考单元对称阵列读/写控制电路芯片列地址解码器面积使用率解码器对称分布控制电路行地址多行良率参考占据

[发明专利]一种MRAM芯片-CN201610905519.3在审
发明人：戴瑾;俞华樑;叶力;郭一民;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种MRAM芯片，包括多个由MRAM存储单元组成的阵列，每个阵列采用位线和源极线垂直的布局，每个字中的比特分别存储在不同的阵列中，每一个阵列存储一个比特。位线与源极线垂直，每个字中的每个比特分别存储在多个阵列中，由于一个阵列每次只写一个比特，不再需要高电压或负电压，使得阵列设计简单且能耗降低，解决了源极线供电不足的问题；阵列中同一行的所有位线共享读出放大器，一个阵列仅需一个读出放大器，降低了MRAM芯片的成本；在使用ECC纠错时，由于同一个字的不同比特不存在相邻的位置，降低了连续出错的几率，保证了ECC能够正确地纠正错误，提高了MRAM芯片的可靠性。
一种 mram 芯片

[发明专利]一种MRAM芯片及其自测试方法-CN201610532014.7在审
发明人：戴瑾;俞华樑 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明提供一种MRAM芯片，包括一个或多个区域，区域包括多个存储阵列与一个备份阵列，备份阵列中的存储单元行用于替换MRAM芯片中包括失效或损坏的存储单元的存储单元字,存储单元字的宽度小于存储阵列的列的数目。本发明还提供一种MRAM芯片的自测试方法。本发明提供的MRAM芯片及其自测试方法，通过设置备份阵列，使用备份阵列中的存储单元行替换存储阵列与备份阵列中包括损坏的存储单元的存储单元字，存储单元字的宽度小于存储阵列的列的数目，从而更有效利用备份阵列中的存储单元，延长MRAM芯片的使用寿命。
一种 mram 芯片及其测试方法

[发明专利]一种MRAM芯片及其自测试方法-CN201610423370.5在审
发明人：戴瑾;叶力;俞华樑 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： G11C29/18 文献下载
摘要：本发明提供一种MRAM芯片，包括一个或多个阵列，阵列包括由MRAM存储单元组成的存储行，每个阵列与控制电路连接，控制电路包括行地址解码器、列地址解码器、读写控制器与输入输出控制，控制电路还包括自测试控制器，每个阵列包括多个备用行，备用行用于替换具有损坏的MRAM存储单元的行。本发明还提供一种MRAM芯片的自测试方法。本发明提供的MRAM芯片及其自测试方法，通过自测试，将检测到的具有损坏的MRAM存储单元的存储行的数据存储到替换备用行中，提高了MRAM芯片的数据可靠性及使用寿命。
一种 mram 芯片及其测试方法

[发明专利]一种磁性随机存储器及其磁性记忆单元读取方法-CN201610283466.6在审
发明人： 俞华樑;郭一民;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性随机存储器，包括多个磁性记忆单元构成的阵列，磁性随机存储器还包括自参照读取模块，自参照读取模块用于根据磁性记忆单元的磁性隧道结改变为高阻态的状态电压，读取磁性记忆单元的逻辑状态。本发明还提供一种磁性随机存储器的磁性记忆单元读取方法。本发明提供的磁性随机存储器及其磁性记忆单元读取方法,利用磁性隧道结的磁电阻偏压依赖性，实现自参照的数据读取，解决了读取数据对参考电阻的标准差分布要求苛刻的而导致读取错误率高的问题。
一种磁性随机存储器及其记忆单元读取方法

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