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[发明专利]MOSFET漏电流检测装置、系统、方法及可读存储介质-CN202110905628.6在审
发明人：罗文庆;高桂芬;邵杰;苏建宝;刘海涛 -专利权人：上汽通用五菱汽车股份有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G01R31/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOSFET漏电流检测装置、系统、方法及存储介质，该MOSFET漏电流检测装置包括：电流检测模块和MOSFET桥臂电路PCB，所述MOSFET桥臂电路PCB上包括至少一组上、下桥MOSFET电路，所述MOSFET桥臂电路PCB的电源端与电源连接，所述电流检测模块设置于所述MOSFET桥臂电路PCB与电源之间；所述电流检测模块，用于在所述MOSFET桥臂电路PCB与电源导通时，对所述MOSFET桥臂电路PCB上的MOSFET的漏电流信号进行采样。本发明提高了MOSFET漏电流的检测精确度，并降低了检测成本。
mosfet 漏电检测装置系统方法可读存储介质

[实用新型]一种MOSFET并联电路系统-CN201621186506.7有效
发明人：吴丙炎;万炳呈;盛孝雄 -专利权人：湖南省耐为数控技术有限公司
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种MOSFET并联电路系统，包括n个并联的MOSFET组以及驱动信号；所述MOSFET并联电路焊接在PCB上，n为大于等于1的整数，每个MOSFET组并联有四个MOSFET，所述MOSFET应用本实用新型的技术方案，效果如下本实用新型采用等长等距走线方式使得流过每个MOSFET的电流相同，从而使得各个MOSFET发热均衡，单颗MOSFET由于不会一直承受过大的电流，进而保护了每颗MOSFET不被损坏,这就保证了每个并联的MOSFET的使用寿命基本相同。
一种 mosfet 并联电路系统

[发明专利]半导体场效应晶体管的测试方法及测试结构-CN200910082352.5有效
发明人：沈良;邵芳;黄威森 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2009-04-14 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体场效应晶体管MOSFET的测试结构，由测试平台通过从MOSFET引出的接点垫pad对MOSFET进行测试，该结构包括：MOSFET和金属引线，其中，从MOSFET的两个源极分别直接引出MOSFET两个源极pad、通过金属引线从MOSFET1的两个漏极分别引出MOSFET两个漏极pad、通过金属线从MOSFET的两个栅极分别引出MOSFET两个栅极pad、及通过金属线从MOSFET的器件衬底引出两个衬底本发明提供的测试结构及测试方法提高了MOSFET测试准确性。
半导体场效应晶体管测试方法结构

[发明专利]内容可寻址存储器-CN201210043857.2有效
发明人：丸亀孝生;井口智明;杉山英行;石川瑞恵;齐藤好昭;木下敦宽;辰村光介 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-02-24 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： G11C15/00 文献下载
摘要：一个实施例提供一种内容可寻址存储器，包括：自旋MOSFET对，所述自旋MOSFET对包括：第一自旋MOSFET，第一自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置；和第二自旋MOSFET，第二自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置，第二自旋MOSFET与第一自旋MOSFET并联连接；第一布线，第一布线被构造为施加栅电压，以使得第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET中的任何一个根据搜索数据变为导电；和第二布线，第二布线被构造为将电流施加于第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET这二者。
内容寻址存储器

[发明专利]用于CMOS的双轴向拉伸应变的Ge沟道-CN201380081249.3有效
发明人： P·马吉;N·慕克吉;R·皮拉里塞;W·拉赫马迪;R·S·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种装置，包括：互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器，该反相器包括n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；以及p沟道MOSFET，其中，n沟道MOSFET中的沟道的材料和p沟道MOSFET一种方法，包括：形成n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；形成p沟道MOSFET；以及连接n沟道MOSFET和p沟道MOSFET的栅极电极，并且连接n沟道MOSFET和p沟道MOSFET的漏极区，其中，n沟道MOSFET中的沟道的材料和p沟道MOSFET中的沟道的材料经受双轴向拉伸应变。
用于 cmos 轴向拉伸应变 ge 沟道

[发明专利]一种基于MOSFET的智能后沿调光装置-CN202011374105.5有效
发明人：陈考敏;薛柯利;曾义;杜其昌 -专利权人：广州河东科技有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H05B45/36 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种基于MOSFET的智能后沿调光装置，包括MOSFET基本斩波电路、MOSFET驱动及短路保护电路、MOSFET驱动取电电路、MOSFET抗高压脉冲保护电路以及EMI干扰消除电路；MOSFET基本斩波电路分别与MOSFET驱动及短路保护电路、EMI干扰消除电路、MOSFET抗高压脉冲保护电路连接；EMI干扰消除电路与MOSFET抗高压脉冲保护电路连接；MOSFET抗高压脉冲保护电路与驱动负载连接；MOSFET驱动及短路保护电路与MOSFET驱动取电电路连接；MOSFET驱动取电电路与驱动负载连接。配置多个保护电路，提高MOSFET基本斩波电路的稳定性，提高智能后沿调光装置的可靠性。
一种基于 mosfet 智能调光装置

[实用新型]防止反向电压的电路-CN201921014605.0有效
发明人：傅焱辉;杜宝海 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H02H3/18 文献下载
摘要：该电路包括：第一MOSFET，第一MOSFET的漏极与电池组的负极连接，第一MOSFET的栅极与第二MOSFET的漏极和第一限流模块的一端连接，第一MOSFET的源极与负载连接；第二MOSFET，第二MOSFET的栅极与驱动电源连接，第二MOSFET的源极与电池组的正极连接；驱动电源，用于向第二MOSFET提供驱动电压，以驱动第二MOSFET导通；第一限流模块，第一限流模块的另一端与电池组的正极和负载连接；其中，第一MOSFET为N沟道MOSFET，第二MOSFET为P沟道MOSFET。
防止反向电压电路

[实用新型]一种开关电源的输出软启动开关控制电路-CN202021219932.2有效
发明人：张遥 -专利权人：青岛美凯麟科技股份有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种开关电源的输出软启动开关控制电路，包括通过导线连接的MOSFET A、MOSFET B、MOSFET C、限流电阻、电容和控制器，所述MOSFET A、MOSFET B和电容与电池串联组成闭合电路，所述MOSFET C和限流电阻串联后并联于MOSFET B两端，所述MOSFET A、MOSFET B、MOSFET C的源极连接在一点，然后与控制器的地线相连，所述MOSFET A、MOSFET B、MOSFET C的栅极与控制器的三个控制信号线相连，本实用新型所公开的软启动开关控制电路采用电压mosfet代替继电器，不论电池电压E高于电容C1电压，还是低于电容C1电压，都可以达到软启动的目的，成本低
一种开关电源输出启动开关控制电路

[发明专利]一种增强型MOSFET驱动电路及车载直流电源转换装置-CN201810489348.X在审
发明人：倪远;方波 -专利权人：苏州舜唐新能源电控设备有限公司
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种增强型MOSFET驱动电路，包括N型MOSFET、P型MOSFET、电阻R3、电容C73；N型MOSFET与P型MOSFET为互补对管；N型MOSFET的基底内部连接；P型MOSFET的基底内部连接；N型MOSFET的G极、P型MOSFET的G极连接PMW电路输入端；N型MOSFET的S极连接接地端；P型MOSFET的S极连接电源Vdd，N型MOSFET的D极、P型MOSFET的D极连接PMW电路输入端；N型MOSFET的S极与P型MOSFET的S极间并联电容C73；PMW电路输入端与接地端之间并联电阻R3。
电路输入端车载直流电源内部连接转换装置接地端增强型基底快速充放电并联电容并联电阻连接电源驱动波形驱动电流转换效率结电容开关管电容电阻对管陡峭电源

[实用新型]一种增强型MOSFET驱动电路及车载直流电源转换装置-CN201820756184.8有效
发明人：倪远;方波 -专利权人：苏州舜唐新能源电控设备有限公司
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种增强型MOSFET驱动电路，包括N型MOSFET、P型MOSFET、电阻R3、电容C73；N型MOSFET与P型MOSFET为互补对管；N型MOSFET的基底内部连接；P型MOSFET的基底内部连接；N型MOSFET的G极、P型MOSFET的G极连接PWM电路输入端；N型MOSFET的S极连接接地端；P型MOSFET的S极连接电源Vdd，N型MOSFET的D极、P型MOSFET的D极连接PWM电路输入端；N型MOSFET的S极与P型MOSFET的S极间并联电容C73；PWM电路输入端与接地端之间并联电阻R3。
本实用新型输入端车载直流电源内部连接转换装置接地端增强型基底快速充放电并联电容并联电阻连接电源驱动波形驱动电流转换效率结电容开关管电容电阻对管陡峭电源

[发明专利]三电平双向DC/DC电路-CN201810263647.1在审
发明人：向军;黄敏;方刚;卢进军;刘滔 -专利权人：江苏固德威电源科技股份有限公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明涉及一种三电平双向DC/DC电路，连包括MOSFET管M1、MOSFET管M2、MOSFET管M3、MOSFET管M4、飞跨电容和二极管、电感，MOSFET管M1的漏极与电池的正极相连接，MOSFET管M2的漏极与MOSFET管M1的源极相连接，MOSFET管M2的源极与电池的负极相连接，MOSFET管M3的源极与MOSFET管M1的漏极相连接，MOSFET管M4的源极与MOSFET管M3的漏极相连接，MOSFET管M4的漏极与直流母线的一端相连接，飞跨电容的一端与MOSFET管M3的漏极相连接，飞跨电容的另一端与MOSFET管M1的源极相连接，MOSFET管M1的源极经电感和二极管与直流母线的中点相连接，直流母线的另一端与MOSFET管M2的源极相连接。本发明可以采用低电压等级MOSFET替代高电压等级MOSFET，克服高压MOSFET器件性能参数较差的劣势，能够减小开关管的开关损耗，避免损坏开关管。
源极漏极飞跨电容直流母线双向DC/DC电路电感二极管开关管三电平器件性能参数电池正极高压MOSFET 开关损耗低电压高电压负极减小替代

[发明专利]并联MOSFET的失效预测-CN200480025163.X无效
发明人： T·迪尔鲍姆 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2004-08-20 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：功率转换电路通常由若干并联工作的MOSFET组成。因为热循环和机械运作，MOSFET或MOSFET的各个电连接可能失效。根据本发明，提供一种用于多个并联的MOSFET的诊断电路，其至少基于MOSFET的温度或MOSFET的栅电压之一预测或确定可能的失效。有利的是，可以提供MOSFET的连续监测，并可以提供MOSFET失效的早期确定。
并联 mosfet 失效预测

[发明专利]MOSFET短路测试装置-CN201210127717.3无效
发明人：杨富森 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： G01R31/02 文献下载
摘要：一种MOSFET短路测试装置，用于测试一MOSFET是否短路，所述MOSFET短路测试装置包括主控制器、驱动电路以及温度采集电路，所述驱动电路电性连接至所述MOSFET的源极及漏极，用于提供一驱动电流至所述MOSFET的源极或漏极，当所述MOSFET短路时，所述MOSFET源极、漏极及所述驱动电路之间形成电流通路，所述MOSFET温度升高；所述温度采集电路用于感测所述MOSFET的温度，并将感测到的温度值输出至所述主控制器；所述主控制器用于判断所述温度值是否高于一预设温度值，以相应判断出所述MOSFET是否短路。所述MOSFET短路测试装置能方便地测试所述MOSFET是否短路。
mosfet 短路测试装置

[发明专利]一种具有上电清零功能的电平转换器-CN201410471349.3在审
发明人：车文毅 -专利权人：上海坤锐电子科技有限公司
申请日： 2014-09-16 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：一种具有上电清零功能的电平转换器，包括第一P型MOSFET、第二P型MOSFET、第三P型MOSFET、第四P型MOSFET、第五P型MOSFET、第一N型MOSFET、第二N型MOSFET、第三N型MOSFET、第四N型MOSFET和第五N型MOSFET，以及上述各MOSFET之间的互联线。
一种具有清零功能电平转换器

[发明专利]用于电量计量的集成MOSFET电流感测-CN201110306382.7有效
发明人： D·哈林顿;J·B·范登维梅伦伯格;M·L·小皮克;J·A·沃萨姆 -专利权人：马克西姆综合产品公司
申请日： 2011-09-21 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G01R19/25 文献下载
摘要：用于电量计量的集成MOSFET电流感测。要被感测所通过的电流的第一MOSFET耦合于相同类型的第二MOSFET，该第二MOSFET偏置成具有与该第一MOSFET相同的电阻。该第二MOSFET具有比该第一MOSFET小得多的面积，并且耦合于代表通过该第一MOSFET的最大电流的电流源。相对于该第二MOSFET两端的电压的第一MOSFET两端的电压提供通过该第一MOSFET的电流的测量。公开各种实施例，包括在电池组中的实施例，其用于消除对额外的以及昂贵的外部部件的需要。
用于电量计量集成 mosfet 流感