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[发明专利]一种UIS测试电路及其MOSFET雪崩能量补偿方法-CN201911104414.8在审
发明人：王煜 -专利权人：陕西三海测试技术开发有限责任公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种UIS测试电路及其MOSFET雪崩能量补偿方法，UIS测试电路包括直流电源、电感器、开关、二极管、栅极驱动模块、线路阻抗、MOSFET和电流采样模块，直流电源的正极通过开关与电感器连接，电感器经过线路阻抗连接被测MOSFET的漏极，被测MOSFET的栅极连接于栅极驱动模块，栅极驱动模块通过控制信号控制源极和漏极之间的通断，被测MOSFET的源极通过电流采样部件连接于直流电源的负极，二极管与被测MOSFET并联维持回路中的电流。本发明的一种UIS测试电路及其MOSFET雪崩能量补偿方法，能够快速准确的测试MOSFET的雪崩能量并对其进行补偿。
一种 uis 测试电路及其 mosfet 雪崩能量补偿方法

[发明专利]提高开通性能的碳化硅MOSFET驱动电路及控制方法-CN202110275343.9在审
发明人：丁晓峰;宋心荣 -专利权人：北京航空航天大学;北京航空航天大学宁波创新研究院
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高开通性能的碳化硅MOSFET驱动电路，包括：PWM驱动模块，用于基于接收的PWM信号，向碳化硅MOSFET发送驱动信号，以控制所述碳化硅MOSFET的通断；漏源极电压获取模块，用于获取所述碳化硅MOSFET的漏源极电压；漏极电流获取模块，用于获取所述碳化硅MOSFET的漏极电流；栅极电流控制模块，用于基于所述碳化硅MOSFET的漏源极电压和漏极电流的变化，改变栅极电流控制电路的通断状态，以改变所述碳化硅MOSFET的栅极电流的大小。本发明通过栅极电流控制模块，能够降低开通电流过冲，提升开通速度，降低开通损耗，提升碳化硅MOSFET的效率和可靠性。
提高开通性能碳化硅 mosfet 驱动电路控制方法

[发明专利]一种有效防止电流过冲的LED色温调节电路-CN202010597396.8在审
发明人：顾佳斌;胡国勤;高文飞 -专利权人：鸣志电器（太仓）有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H05B45/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种有效防止电流过冲的LED色温调节电路，该电路分别与冷色温LED和暖色温LED连接，所述的调节电路包括LED恒流驱动电路、调光控制单片机、冷色温驱动MOSFET和暖色温驱动MOSFET，所述的LED恒流驱动电路分别与调光控制单片机、冷色温驱动MOSFET和暖色温驱动MOSFET连接，所述的冷色温驱动MOSFET与冷色温LED连接，所述的暖色温驱动MOSFET与暖色温LED连接，所述的调节电路还包括色温调节驱动电路，该色温调节驱动电路分别与调光控制单片机、冷色温驱动MOSFET和暖色温驱动MOSFET连接。
一种有效防止流过 led 色温调节电路

[发明专利]基于超结MOSFET的集成器件及其制造方法-CN202111216859.2在审
发明人：盛琳;东伟 -专利权人：茂睿芯（深圳）科技有限公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，提供了基于超结MOSFET的集成器件及其制造方法。本发明提供的基于超结MOSFET的集成器件包括：漏极、半导体衬底、半导体衬底上设置的至少两个超结MOSFET、用于源极不相连的超结MOSFET之间的源极隔离结构，所述隔离结构包括至少一个浮空P柱结构，所述超结MOSFET包括了P型体掺杂区、P柱、外延区、源极区、源极金属层、绝缘介质层、氧化物层、多晶硅栅极；所述两个源极不相连的超结MOSFET相邻P柱之间具有隔离距离，通过设置不同的隔离结构增大所述隔离距离，可以提高超结MOSFET之间的隔离电压，保证隔离电压性能同时将超结MOSFET集成一体。
基于 mosfet 集成器件及其制造方法

[发明专利]适用于高温环境的宽禁带功率模块的双面倒装封装结构-CN202210037750.0在审
发明人：王来利;朱梦宇;马定坤;杨成子;杨奉涛;齐志远;伍敏;张彤宇;尉哲元 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于高温环境的宽禁带功率模块的双面倒装封装结构，包括顶部陶瓷基板、底部陶瓷基板、第一SiC MOSFET器件、第二SiC MOSFET器件、第三SiC MOSFET器件、第四SiC MOSFET器件、第五SiC MOSFET器件、第六SiC MOSFET器件、第七SiC MOSFET器件、第八SiC MOSFET器件、第一钼柱、第二钼柱、第三钼柱、第四钼柱、第五钼柱、第六钼柱、第七钼柱、第八钼柱
适用于高温环境宽禁带功率模块双面倒装封装结构

[发明专利]一种具有故障报告结构的集成电路-CN202211062750.2在审
发明人：张加欣;赵涛;律欣彤 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H03K17/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有故障报告结构的集成电路(IC)，包括至少一个功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。所述至少一个功率MOSFET包括多个MOSFET单元，每个MOSFET单元包括漏极金属和源极金属，所述IC包括功率MOSFET区域，用于所述多个MOSFET单元的多个漏极金属和多个源极金属的布线。所述故障报告结构包括金属网，在功率MOSFET区域内或在功率MOSFET区域上方或下方的区域内或布线。
一种具有故障报告结构集成电路

[发明专利]准谐振双向全桥拓扑中MOSFET过零关断检测及控制方法及系统-CN202310065799.1在审
发明人：杨元胜;刘向栋;张佩刚 -专利权人：西安盛弘电气有限公司
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种用于准谐振双向全桥拓扑中MOSFET过零关断检测及控制的方法，包括：采样高压侧MOSFET电流；将高压侧MOSFET电流与预设阈值进行比较，生成比较结果信号；利用比较结果信号与使能信号生成过零信号，发送至控制芯片；以及在过零信号为高电平时，由控制芯片触发对应MOSFET关断PWM使能。本发明通过采样高压侧MOSFET电流，然后将电流幅值送入预设阈值的比较器电路，比较器产生的逻辑电平送入与门，与门产生的信号在控制芯片内部延迟及逻辑处理后触发对应MOSFET关断PWM使能，实现MOSFET零电流关断；由此，可以避免准谐振参数差异较大时，MOSFET在关断过程中出现较大的反向电流或能量反向流动，从而降低无功损耗，提升效能。
谐振双向拓扑 mosfet 零关断检测控制方法系统

[发明专利]一种基于功率MOSFET的开关电路-CN202111232495.7在审
发明人：张宏林 -专利权人：上海岭芯微电子有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于功率MOSFET的开关电路，包括输入电源、开关和功率MOSFET，所述的电源通过开关连接功率MOSFET的源极，功率MOSFET的漏极为输出端并连接电容，所述的开关前端设有外设供电引脚，所述的功率MOSFET为P型MOSFET，该电路还包括：第一调节子电路，所述的第一调节子电路控制功率MOSFET在开关闭合且输出端电压低于设定阈值时工作于饱和区，所述的电容小电流充电；第二调节子电路，所述的第二调节子电路控制功率MOSFET在开关闭合且输出端电压大于设定阈值时工作于线性区，所述的电容大电流充电。
一种基于功率 mosfet 开关电路

[发明专利]有源滤波器低开关损耗补偿电流调制方法-CN201410306600.0有效
发明人：王城钧;刘挺;于淼;王园淞 -专利权人：国家电网公司;国网辽宁省电力有限公司沈阳供电公司
申请日： 2014-07-01 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H02J3/01 文献下载
摘要：本发明有源滤波器低开关损耗电路结构包括IGBT三相逆变桥、MOSFET三相逆变桥和电容，其结构要点IGBT三相逆变桥包括第一IGBT、第二IGBT、第三IGBT、第四IGBT、第五IGBT、第六IGBT，MOSFET三相逆变桥包括第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET、第四MOSFET、第五MOSFET、第六MOSFET。
有源滤波器开关损耗补偿电流调制方法

[发明专利]一种快速直流接触器的控制器-CN201811241521.0有效
发明人：乔卿阳;王竞;邓为;陈瑶;曾晶晶;张婷 -专利权人：武汉船用电力推进装置研究所（中国船舶重工集团公司第七一二研究所）
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01H47/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速直流接触器的控制器，包括单片机、电源转换电路和辅助开关电路；所述的单片机依次连接PWM输出模块、功率MOSFET驱动电路和MOSFET功率输出电路，用于对输入电压检测和负载电流检测，通过PWM输出模块控制功率MOSFET驱动电路；所述的辅助开关电路连接功率MOSFET驱动电路和MOSFET功率输出电路；所述的电源转换电路分别与单片机、功率MOSFET驱动电路和MOSFET功率输出电路连接，还包括与单片机和MOSFET功率输出电路连接的关断缓冲电路；本发明使用单片机进行输入电压和负载电流的AD采集转换，并根据输入电压和负载电流的大小来调整PWM脉宽，实现输出自适应调节功能。
单片机功率输出电路功率MOSFET 驱动电路电源转换电路辅助开关电路直流接触器负载电流输入电压控制器负载电流检测输入电压检测自适应调节缓冲电路控制功率依次连接关断输出转换

[发明专利]横向超级结MOSFET器件及端接结构-CN201610420569.2有效
发明人：马督儿·博德;管灵鹏;卡西克·帕德马纳班;哈姆扎·耶尔马兹 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种MOSFET器件及端接结构，尤其涉及一种横向超级结MOSFET器件及端接结构，一种横向超级结MOSFET器件包括一个栅极结构、一个连接到横向超级结结构的第一立柱以及一个紧靠第一立柱的第二立柱该横向超级结MOSFET器件包括第一立柱，当MOSFET接通时接收来自通道的电流，并将电流分配至横向超级结结构，用作漏极漂流区。位于第一立柱附近的第二立柱用于当MOSFET器件断开时，夹断第一立柱，防止MOSFET器件在漏极端承受的高电压接触栅极结构。在一些实施例中，横向超级结MOSFET器件还包括用于漏极、源极以及本体接触掺杂区梳的端接结构。
横向超级 mosfet 器件端接结构

[发明专利]可变增益放大电路、接收器以及接收器集成电路-CN200810004875.3有效
发明人：冈信大和 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2008-02-05 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H03G3/30 文献下载
摘要：在此公开了一种可变增益放大电路，其中第一和第二MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的源极被连接到与电流源连接的公共连接点。输入信号被提供给第一和第二MOSFET的栅极。所述第一和第二MOSFET的漏极分别连接到第三和第四MOSFET的源极，而第三和第四MOSFET的漏极分别连接到两输出端，增益控制电压被提供给所述第三和第四MOSFET的栅极。当执行控制以便降低提供给所述第三和第四MOSFET的所述栅极的所述增益控制电压时，还执行其它控制，以便提高施加到所述第一和第二MOSFET的所述栅极的偏置电压。
可变增益放大电路接收器以及集成电路

[发明专利]用于现场测试总线功能模块的热插拔系统及方法-CN201911055898.1有效
发明人：朱利文;陈盼辉;刘明辉;金传喜;张龙飞;毛伟 -专利权人：中国人民解放军海军工程大学
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于现场测试总线功能模块的热插拔系统，它的控制器通过现场测试总线接通控制器与MCU之间的状态监测线；控制器通过现场测试总线向MOSFET驱动模块输送MOSFET接通的控制信号；MOSFET驱动模块的源极电压输出端连接MOSFET管的源极，MOSFET驱动模块的栅极电压输出端连接MOSFET管的栅极，MOSFET管的漏极向现场测试总线功能模块供电，输出电压监测模块监测现场测试总线功能模块的供电电压，并反馈给MCU，输入电流监测模块检测通过现场测试总线输入到MOSFET管源极的输入电流，并反馈给MCU。
用于现场测试总线功能模块热插拔系统方法

[发明专利]SIC-MOSFET并联均流电路及其控制方法-CN202211414384.2有效
发明人：曹文平;刘辉;孙路;严志尚;胡存刚 -专利权人：合肥安赛思半导体有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明提供一种SIC‑MOSFET并联均流电路及其控制方法，包括SIC‑MOSFET并联模块，具有并联的i个SIC‑MOSFET；电阻网络模块，通过并联的i组驱动回路驱动i个SIC‑MOSFET；控制模块" imgContent="drawing" imgFormat="JPEG" orientation="portrait" inline="yes" />的计数结果进行排序，将计数结果越大的SIC‑MOSFET导通更多的驱动电阻，使该SIC‑MOSFET的驱动电阻值减小，可以减短其开通时间，向计数结果最小的SIC‑MOSFET上升沿时间逼近，提升了流过各SIC‑MOSFET的电流均衡度。
sic mosfet 并联流电及其控制方法

[发明专利]一种大功率MOSFET驱动电路-CN201410000233.1无效
发明人：李栋;冷宇;王玉龙;孙小龙 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2014-01-02 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种大功率MOSFET驱动电路，PWM输入信号依次通过硬件死区电路、脉冲封锁电路、光耦隔离电路、外围电路产生上、下桥臂的Mosfet的栅极驱动信号，硬件死区电路产生硬件死区时间，脉冲封锁电路在出现保护状态时用来封锁脉冲信号，硬件死区电路和光耦隔离电路、外围电路和自举回路组合成为大功率Mosfet驱动电路，以用来驱动大功率Mosfet，为避免上桥臂的Mosfet栅源电压有浮动，采取附加自举电路的措施。加快Mosfet开头和关断速度，从而减少Mosfet的开通和关断损耗，并且有封锁判断电路，用来实现硬件封锁驱动，从而保护Mosfet，该电路提高了驱动电路的驱动能力，提高了电路的工作效率，从而降低成本。
一种大功率 mosfet 驱动电路