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[发明专利]谐振回路电路和用于配置谐振回路电路的方法-CN201980017931.3在审
发明人：何晨;G.杨 -专利权人：法雷奥西门子新能源汽车（深圳）有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：谐振回路电路(102)包括：‑变压器(T)；‑初级电路(M1)；以及‑次级电路(M2)；其中，所述变压器(T)以及所述初级电路和所述次级电路(M1，M2)被设计为在正向模式和反向模式下操作；其中，当分别在正向模式和反向模式下操作时，所述变压器(T)以及所述初级电路和所述次级电路(M1，M2)在谐振频率(FR)处分别具有基本独立于负载的正向增益(GF(FR))和反向增益((GR(FR))。所述初级电路和所述次级电路(M1，M2)彼此不同，并且在谐振频率(FR)处的正向增益(GF(FR))和反向增益(GR(FR))基本彼此相等，特别地，差别在5％以内。
谐振回路电路用于配置方法

[发明专利]一种单模光纤-CN201310394404.9有效
发明人：杨晨;龙胜亚;朱继红;黄利伟;曹蓓蓓;罗杰 -专利权人：长飞光纤光缆有限公司
申请日： 2013-09-03 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种光纤通信系统中使用的低衰减单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于芯层的折射率分布n（r）满足g型折射率分布：n（r）=n0[1-2Δ1(r/R1)g]1/2（r≦R1），芯层Δ1为-0.05%~+0.05%，g为10~30，芯层半径R1为4.0μm~5.0μm，包层从内至外依次包括内包层、中间包层和外包层，内包层Δ2为-0.3%~-0.45%，半径R2为20μm~30μm，中间包层Δ3大于Δ2，并且中间包层的相对折射率差、半径与内包层的相对折射率差、半径存在以下的数值关系：设V=(R3-R2)×(Δ3-Δ2)，则V值的范围为0.5×10-2μm%~7×10-2μm%。
一种单模光纤

[发明专利]优先抑制促炎细胞因子的释放-CN200510064046.0无效
发明人：邓哲明;顾记华;潘秀玲;郭盛助;李芳裕 -专利权人：永信药品工业股份有限公司
申请日： 2005-03-15 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： A61K31/416 文献下载
摘要：一种使用式(I)的稠合吡唑基化合物，相对于抗炎细胞因子的释放优先抑制促炎细胞因子释放的方法：A是R或其中R是H，烷基，芳基，环基，杂芳基，或杂环基；Ar₁、Ar₂和Ar₃各自独立地为苯基，噻吩基，呋喃基或吡咯基；R₁、R₂、R₃、R₄、R_{5<>)_mSR’，－(CH₂)_mNR’R”，－(CH₂)_mCN，－(CH₂)_mC(O)－OR’，－(CH₂)_mC(O)H，或者R₁和R₂一起，R_{3m为0，1，2，3，4，5，或6；n为1，2，或3。}}
优先抑制细胞因子释放

[发明专利]一种由一氧化碳和烯烃制备聚合物的方法-CN88104471.7无效
发明人：约翰尼斯·艾德里安思·范·多恩;尼科拉斯·梅布姆;约翰尼斯·雅各布斯·玛丽亚·斯力;理查德·刘易恩·威福 -专利权人：国际壳牌研究有限公司
申请日： 1988-07-21 - 公布日： 1994-02-02 - 主分类号： C08G67/02 文献下载
摘要：组成如下的新的催化剂组合物a)钯化合物，b)Pka值小于6的酸的阴离子，和c)通式为R1R2M1-R9-M2R3R4的化合物，其中M1和M2代表选自砷、锑、磷和氮的相同或不同的元素，R1、R2、R3和R4代表可任意取代有极性基的相同或不同的烃基，R9是二价桥基，桥中依次含有碳原子，硅原子和碳原子，且该硅原子形成-SiR7R8基，其中R7和R8是只含碳、氢和任选的氧的相同的或不同的一价取代基。
一种一氧化碳烯烃制备聚合物方法

[发明专利]一种带高阶补偿电路的基准源电路结构-CN201911312751.6有效
发明人：王红义;王竞成;张海峰;刘沛;张国和 -专利权人：西安交通大学;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种带高阶补偿电路的基准源电路结构，包括：pnp型三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5，p型MOS管M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8，n型MOS管M9，M10，电阻R1、R2、R3，以及单端输出运放A1；p型MOS管M1、M2、M3，单端输出运放A1，电阻R1，以及pnp型三极管Q1、Q2、Q3、Q4构成正温度系数电流产生电路，用于产生包含一阶项和高阶项的电流；其中，Q1并联在Q2上，Q3并联在Q4；p型MOS管M5、M6、M7、M8、M9、M10，电阻R3，以及pnp型三极管Q5构成零温度系数电流产生电路，用于为Q3提供电流偏置；p型MOS管M4，电阻R2，以及pnp型三极管Q5
一种带高阶补偿电路基准结构

[发明专利]大环内酯化合物及它们的使用方法-CN201510330210.1在审
发明人： J·严;郑小霞;V·D·巴塔 -专利权人：万能医药公司
申请日： 2008-03-11 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： A61K31/436 文献下载
摘要：本发明提供一种药物组合物，其包含药学上可接受的赋形剂和式(I)的化合物及其盐、水合物、异构体、代谢物、N-氧化物和前药，其中R¹、R²、R³、R⁵、R⁶、R⁸、M¹、M²、M³、M⁴、M⁵、M⁶和M⁷各自独立地选自H、C_1-6烷基、OH和C_1-6羟烷基；R⁴、R⁷和R⁹各自独立地选自C_1-6烷氧基和OH；R¹⁰选自H、-OH、-OP(O)Me₂、o-CH₃，其中下标n和m各自独立的是2-8，下标o是1-6；L¹和L⁴各自独立地选自(IV)和(V)，其中各M⁸
内酯化合物它们使用方法

[发明专利]可植入的可生物吸收的聚合物-CN201080045686.6有效
发明人： L·穆瓦纳;L·贝杜埃;A·洛朗;D·拉巴尔;M·瓦塞夫;V·N·源 -专利权人：欧克露杰尔公司;国家科学研究中心;巴黎第十一大学;法国公立援助医院;巴黎大学迪德罗特第七分校
申请日： 2010-09-09 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C08F290/06 文献下载
摘要：本发明涉及由以下(i)和(ii)的聚合而得到的聚合物：(i)至少一种通式(I)的单体：(CH2＝CR1)CO-K(I)，其中：K代表0-Z或NH-Z，Z代表(CR2R3)m-CH3、(CH2-CH2-O)m-H、(CH2-CH2-O)m-CH3、(CH2)m-NR4R5，其中m代表1至30的整数；R1、R2、R3、R4和R5独立地代表H或C1-C6烷基；和(ii)至少一种可生物吸收的嵌段共聚物交联剂。
植入生物吸收聚合物

[发明专利]多次甲基化合物-CN201780043103.8有效
发明人：久保田裕介;冈田光裕 -专利权人：株式会社艾迪科
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C09B23/00 文献下载
摘要：(R1～R7表示氢原子、C1～30烃基等；R5及R9表示氢原子、C1～30烃基等；R8表示C1～20卤代烷基、C6～20芳基等；X表示＞CR10R表示氢原子、C1～30烃基等；R12表示氢原子、C1～30烃基等；m为1～6；m＝1时，A不存在，m≥2时，A表示直接键合、氮原子、＞NR:Sup>、Lm‑或特定的有机基团；在m≥2且A不为Em+或Lm‑的情况下，A以将R1～R9所示的基团的氢原子取代的形式连结。)
多次甲基化合物

[发明专利]负电压基准电路-CN201510201093.9无效
发明人：任罗伟;王成;于宗光;俞小平 -专利权人：无锡中微爱芯电子有限公司
申请日： 2015-04-24 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供一种负电压基准电路，包括运算放大器U1和U2，电阻R1、R2、R3和R4，PMOS管M1和NMOS管M2；U1的同相输入端接正基准电压+Vref，输出端接PMOS管M1的栅极，PMOS管M1的源极接正电源电压VCC，漏极接电阻R1的一端；U1的反相输入端接电阻R1的另一端和电阻R2的一端；电阻R2的另一端接电阻R3的一端和U2的反相输入端；U2的同相输入端接地；电阻R3的另一端接电阻R4的一端，电阻R4的另一端接NMOS管M2的漏极；NMOS管M2的栅极接U2的输出端，源极接负电源电压Vee；从电阻R3与R4连接的那一端获得负基准电压-Vref。
电压基准电路

[发明专利]鞘氨醇激酶抑制剂-CN201080055098.0无效
发明人： F·施蒂贝尔;D·维恩克 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2010-11-18 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： C07D249/06 文献下载
摘要：本发明涉及用于治疗受Sph激酶1抑制影响的疾病的式(I)化合物，和其生理学上可接受的盐、衍生物、前药、溶剂化物、互变异构体和立体异构体，包括其所有比例的混合物，其中R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷、R⁸、R⁹、R¹⁰、R¹¹、R¹²、R¹³、R¹⁴、R¹⁵、R¹⁶、R¹⁷、M₁、M₂、M₃、Y₁、Y₂、V、W、n、M和o具有文中所给的含义。
鞘氨醇激酶抑制剂

[实用新型]一种锂电池组均衡充电电路-CN202123456125.X有效
发明人：薛家祥;欧宁;朱亮华;晋刚;袁伟;曾敏;万珍平;刘旺玉 -专利权人：东莞市钜大电子有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及锂电池技术领域，尤其是指一种锂电池组均衡充电电路，其包括主控模块以及与主控模块连接的控制电路和均衡电路，所述控制电路包括电流反馈控制部分和电压反馈控制部分；所述电压反馈控制部分包括主开关管Q1、整流管Q2、电阻R、电感L、电容C、电阻R1、电阻R2、电阻R3、EA放大器M1和PWM比较器M2；所述电流反馈控制部分包括主开关管Q1’、整流管Q2’、电阻R’、电感L’、电容C’、电容C1、电阻R1’、电阻R2’、电阻R3’、EZ放大器M1’、PWM比较器M2’、电阻Ri、触发器M3和放大器M4。
一种锂电池均衡充电电路

[发明专利]一种峰值检测电路-CN201910044330.3在审
发明人：戴澜;陈纲 -专利权人：高科创芯(北京)科技有限公司
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： G01R19/04 文献下载
摘要：本发明公开一种峰值检测电路，包括差分放大电路和积分电路，所述差分放大电路包括晶体管(M1)、晶体管(M2)、晶体管(M3)、电阻(R1)、电阻(R2)；所述积分电路包括晶体管(M4)、晶体管(M5)、电阻(R3)、电容(C1)；所述晶体管(M1)、晶体管(M2)、晶体管(M3)的基极分别连接输入信号，该晶体管(M1)的集电极和电阻(R1)一端连接，该电阻(R1)另一端信号输出；所述晶体管(M4)基极与晶体管(M1)的集电极连接，所述积分电路通过该晶体管(M4)的集电极与该晶体管(M5)的集电极信号输出。
晶体管电阻峰值检测电路积分电路差分放大电路集电极集电极连接集电极信号信号输出一端连接电容检测输出

[实用新型]一种峰值检测电路-CN201920077458.5有效
发明人：戴澜;陈纲 -专利权人：高科创芯(北京)科技有限公司
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： G01R19/04 文献下载
摘要：本实用新型公开一种峰值检测电路，包括差分放大电路和积分电路，所述差分放大电路包括晶体管(M1)、晶体管(M2)、晶体管(M3)、电阻(R1)、电阻(R2)；所述积分电路包括晶体管(M4)、晶体管(M5)、电阻(R3)、电容(C1)；所述晶体管(M1)、晶体管(M2)、晶体管(M3)的基极分别连接输入信号，该晶体管(M1)的集电极和电阻(R1)一端连接，该电阻(R1)另一端信号输出；所述晶体管(M4)基极与晶体管(M1)的集电极连接，所述积分电路通过该晶体管(M4)的集电极与该晶体管(M5)的集电极信号输出。
晶体管电阻峰值检测电路积分电路差分放大电路本实用新型集电极集电极连接集电极信号信号输出一端连接电容检测输出

[发明专利]一种无钥匙启动车辆的方法-CN202010725356.7有效
发明人：刘平;谭成宇;张鹏;王晓伟;罗薇;袁野 -专利权人：重庆长安汽车股份有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： B60R25/10 文献下载
摘要：包括：BCM接收用户输入信号生成随机因子R1，发送启动请求信号至车机；车机点亮屏幕，请求用户确认，若车机收到确认信号，转发启动请求信号至云平台；云平台生成控制指令原文T和随机因子R2，使用非对称加密算法的私钥对T、R1加密生成E，使用R2对E进行单向散列算法生成M；发送E、M至车机，发送R2至移动终端；若车机收到R2，转发R2、E、M至BCM；BCM使用R2对E、进行单向散列算法生成M’；若M’与M相同，则密文E完整性校验通过；BCM使用非对称密码算法的公钥解密E得到T、R1’；若R1’与R1相同且控制指令原文T各项参数满足条件，则BCM根据T执行启动车辆。
一种钥匙启动车辆方法

[发明专利]多孔路面透水性修补材料及其生产方法和施工方法-CN201410844676.9无效
发明人：王力兵;马全胜;巩利伟;许克胜;郑瑞玲;张洪涛;吴思源;尚光辉;张强;刘丹;魏红军;洪伟峰;汪鑫;申德煜;满士慧;郭双燕;王路;魏若然;朱卫东;庞超;苏小军;刘江波 -专利权人：新乡市公路勘察设计院
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： E01C7/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔路面透水性修补材料及其生产方法和施工方法，该修补材料采用的石料质量为M，石料的公称最大粒径是4.75mm，石料的粒径为rmm；其中，r满足4.75≤r＜9.5的石料的质量为m₂，m₂/M为5％-20％，r满足2.36≤r＜4.75的石料的质量为m₃，m₃/M为70％-80％，r满足1.18≤r＜2.36的石料的质量为m₄，m₄/M为1％-7％，r满足0.6≤r＜1.18的石料的质量为m₅，m₅/M为0％-3％，r满足0.3≤r＜0.6的石料的质量为m₆，m₆/M为0％-3％，r满足0.15≤r＜0.3的石料的质量为m₇，m₇/M为0％-2％，r满足0.075≤r＜0.15的石料的质量为m₈，m₈/M为0％-2％。
多孔路面透水性修补材料及其生产方法施工