“m1r”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果8197630个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]稳定的含氟聚合物及其制造方法-CN200810108928.6有效
发明人：本多英司;饭嶋秀树;桥本康博;伊野忠;井坂忠晴;近藤昌宏 -专利权人：旭化成化学株式会社;大金工业株式会社
申请日： 2004-09-10 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： C08F214/26 文献下载
摘要：本发明提供稳定的含氟聚合物及其制造方法，所述制造方法是通过对含有具有磺酸衍生基团的含氟聚合物的处理对象物进行氟化处理来制造稳定的含氟聚合物的制造方法，其特征在于，所述含有磺酸基团的含氟聚合物是具有－SO₃M(M表示H、NR¹R²R³R⁴或M¹_1/L，R¹、R²、R³和R⁴可以相同或相异，表示H或碳原子数为1～4的烷基，M¹表示L价的金属)的含氟聚合物，所述处理对象物中
稳定聚合物及其制造方法

[发明专利]稳定的含氟聚合物及其制造方法-CN200480026107.8有效
发明人：本多英司;饭嶋秀树;桥本康博;伊野忠;井坂忠晴;近藤昌宏 -专利权人：旭化成化学株式会社;大金工业株式会社
申请日： 2004-09-10 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： C08F8/20 文献下载
摘要：本发明提供稳定的含氟聚合物的制造方法，其是通过对含有具有磺酸衍生基团的含氟聚合物的处理对象物进行氟化处理来制造稳定的含氟聚合物的制造方法，其特征在于，所述含有磺酸基团的含氟聚合物是具有－S0₃M(M表示H、NR¹R²R³R⁴或M¹₁/L，R¹、R²、R³和R⁴可以相同或相异，表示H或碳原子数为1～4的烷基，M¹表示L价的金属)的含氟聚合物，所述处理对象物中
稳定聚合物及其制造方法

[实用新型]一种功率检测器-CN201620926795.3有效
发明人：陈友兵 -专利权人：池州睿成微电子有限公司
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： G01R21/00 文献下载
摘要：包括隔直电容器C0、C1，耦合电容C2、C3，偏置电阻R1、R2、R3、R4，由R5、C4、C5组成的低通滤波器和PMOS管M8、M9；输入射频信号VIN+、VIN‑分别经耦合电容耦合到M2、M1管子的栅极，管子漏端输入的射频信号与栅端输入的射频信号经M1、M2实现自混频功能，然后由低通滤波器滤除高频分量，从而得到直流电平输出，所述M8、M9组成源跟随器结构。本实用新型通过M9管稳定的栅源电压差来钳制M1管和M2管的栅源两端的电压差，从而稳定管子的直流偏置，不使管子截止。
一种功率检测器

[发明专利]用于制备异丁烯基聚合物的方法-CN03802539.6无效
发明人： M·博赫曼;S·加拉特;M·肖尔曼 -专利权人：拜尔公司
申请日： 2003-01-21 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： C08F10/10 文献下载
摘要：]²⁺[M₂X₉]^－化合物的方法，其中，R为通式为SiR¹R²R³的基团，R″为氢、C₁－C₁₂烷基、C₆－C₁₄芳基或C₇－C₂₀烷芳基，M为Zr或Hf，X为卤素原子，和R¹－R³为C₁－C₁₂烷基，所述稳定是采用通式为M′R⁴R⁵R⁶的化合物R′进行的，其中，M′为Si、Ge、Sn或Pb，R⁴－R⁶为C₁－C₁₂烷基，以及具有通式[M₂X₉]^－的非配位阴离子，其中，M为Zr或Hf，X为卤素原子。
用于制备异丁烯聚合物方法

[发明专利]金属配位化合物以及使用其的有机电致发光元件-CN200580045903.0无效
发明人：齐藤雅俊;池田秀嗣 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2005-12-28 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： C07F15/00 文献下载
摘要：通式(1)中，M是Ir、Pt、Rh，L₁和L₂是互相不同的二齿配位体，部分结构(L₁)_mM由上记通式(2)表示，部分结构M(L₂)_n由上记通式(3)表示，m+n为2或3的整数。通式(2)中，A1环是芳香族杂环基团，B1环是芳基，A1环和B1环通过Z以共价键结合。Z表示单键等。通式(3)中，R₁、R₂、R₂’和R₃各自独立为烷基等。R₁与R₂、R₁与R₂’、R₂与R₂’、R₂与R
金属化合物以及使用有机电致发光元件

[发明专利]化合物、树脂、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜、图案形成方法以及化合物或树脂的纯化方法-CN201680025648.1在审
发明人：堀内淳矢;越后雅敏;牧野嶋高史 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2016-03-02 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： C07C39/15 文献下载
摘要：一种如下述式(1)所示的化合物。(式(1)中，R1各自独立地为碳数1～30的2价基团，R2～R7各自独立地为碳数1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的烯基、巯基或羟基，在此，R5中的至少1个为羟基或巯基，m2、m3和m6各自独立地为0～9的整数，m4和m7各自独立地为0～8的整数，m5为1～9的整数，n为1～4的整数，p2～p7各自独立地为0～2的整数。)
化合物树脂光刻下层形成材料图案方法以及纯化

[发明专利]一种放电电路故障检测装置及其检测故障的方法-CN201811575815.7在审
发明人：蒋哲;张驰;虞冠杰;乔海;杨桂林;黄晓路 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2018-12-22 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种放电电路故障检测装置，包括二极管D1、功率器件Q1、分压电阻R2与R3、故障判断装置U1，以及控制单元M1。R1与Q1串联后与正负母线U+、U‑并联；D1并联在R1的两端；R2与R3串联后与R1的一端和负母线U‑并联；U1的输入端连接R2与R3之间的OUT1输出点，其输出端连接M1。M1发送Q1闭合、断开指令，U1根据OUT1的分压电压值V_OUT1判断Q1是否发生短路或者断路故障而通知M1。
放电电路故障检测装置并联串联故障判断装置输出端连接输入端连接二极管闭合断开指令断路故障分压电压分压电阻功率器件故障反馈硬件设备正负母线装置结构负母线输出点短路检测发送

[实用新型]一种放电电路故障检测装置-CN201822160855.7有效
发明人：蒋哲;张驰;虞冠杰;乔海;杨桂林;黄晓路 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2018-12-22 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种放电电路故障检测装置，包括二极管D1、功率器件Q1、分压电阻R2与R3、故障判断装置U1，以及控制单元M1。R1与Q1串联后与正负母线U+、U‑并联；D1并联在R1的两端；R2与R3串联后与R1的一端和负母线U‑并联；U1的输入端连接R2与R3之间的OUT1输出点，其输出端连接M1。M1发送Q1闭合、断开指令，U1根据OUT1的分压电压值V_OUT1判断Q1是否发生短路或者断路故障而通知M1。
放电电路故障检测装置并联串联故障判断装置本实用新型输出端连接输入端连接二极管闭合断开指令断路故障分压电压分压电阻功率器件故障反馈硬件设备正负母线装置结构负母线输出点短路发送检测

[发明专利]包含聚丙烯酸酯与含氟聚丙烯酸酯的混合物的组合物-CN201580036692.8有效
发明人：沃尔夫冈·克瑙普;雷吉娜·布鲁恩迈尔 -专利权人：昂高知识产权有限公司
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： C08L33/16 文献下载
摘要：一种组合物，其包含含聚丙烯酸酯(A1)和蜡(B)的第一组分(I)，和含聚丙烯酸酯(A2)的第二组分(II)，其中聚丙烯酸酯(A1)包含衍生自(甲基)丙烯酸酯单体(M1)和(M2)和任选地(M3)的部分，(M1)CH₂＝CR³COO‑R¹(M2)CH₂＝CR³COO‑R²(M3)CH₂＝CR³‑X‑R⁴；其中R¹是单体(M1)中含有1‑8个碳原子的醇部分；R²是单体(M2)中含有9‑40个碳原子的醇部分；R³是H、CH₃或C₂H₅；X是COO或CONH；R⁴是缩水甘油基或CH₂(CH₂)_n‑OR⁵，其中n是1‑10范围内的整数和R⁵是H或含有1‑
包含聚丙烯酸酯混合物组合

[发明专利]含氟磺酰氟化物的制造方法-CN200480019166.2无效
发明人：村田浩一;岡添隆;室谷英介 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2004-07-02 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： C07C303/22 文献下载
摘要：即本发明提供了在液相中使(FSO₂－)_nR^A (－E－R^B)_m (1F)与氟反应，生成(FSO₂－)_nR^AF (－E^F－R^BF)_m (2)，再分解该化合物生成(FSO₂－)_nR^AF (－E^F1)_m (3)的方法。R^A是碳原子数大于等于2的(n+m)价有机基团，R^AF是R^A被氟化的基团等，R^B、R^BF是被氟化的1价有机基团等，E是－COOCH₂－等，E^F是－COOCF₂－等，F^E1是－COF等，n表示大于等于2的整数，m表示大于等于
含氟磺酰氟制造方法

[发明专利]一种用于熔丝修调的低压保护烧写电路-CN202210455332.3在审
发明人：陈阳;孙权;张龙;袁婷;王玉伟 -专利权人：西安航天民芯科技有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：包括偏置电路和主电路，偏置电路用于为主电路提供偏置电压，偏置电路包括三极管Q1、8个MOS管M1‑M8和第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3，主电路包括MOS管一M1’、MOS管二M2’、MOS管三M3’、MOS管四M4’、压敏电阻fuse和电平移位器；其中，所述主电路中的MOS管二M2’、MOS管三M3’、压敏电阻fuse以及所述偏置电路中的第四MOS管M4、第七MOS管M7、第三电阻R3组成比较器，所述比较器用于通过比较压敏电阻fuse和第三电阻R3的阻值大小判断输出点的输出电平。
一种用于熔丝修调低压保护电路

[发明专利]一种硅基射频单刀四掷开关-CN202210549942.X在审
发明人：段小波;余益明 -专利权人：成都通量科技有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H03K17/693 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基射频单刀四掷开关，由电阻、电感、MOS管、传输线和隔直电容组成,包括4条支路，其中一条支路是端口P1连接隔直电容C1一端，隔直电容C1另一端连接MOS管M1的源极、电感L1的一端，MOS管M1的栅极安装一个电阻R17再接控制电压VC1，MOS管M1的衬底安装一个电阻R1再接地，MOS管M1的漏极连接MOS管M2的源极，MOS管M2的栅极安装一个电阻R18再接控制电压VC1，MOS管M2的衬底安装一个电阻R2再接地，MOS管M2的漏极连接MOS管M3的源极，MOS管M3的栅极安装一个电阻R19再接控制电压VC1，MOS管M3的衬底安装一个电阻R3再接地。
一种射频单刀开关

[发明专利]复合结构体及其制造方法-CN201980093306.7有效
发明人：鸟垣俊和;竹本真一郎;松冈直哉;蒋喆 -专利权人：日产自动车株式会社
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： B62D29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种复合结构体，该复合结构体(A)具备：板状的第一金属部件(M1)；板状的第二金属部件(M2)；将第一及第二金属部件(M1、M2)一体化的树脂部件(R)，树脂部件(R)具有跨过第一及第二金属部件(M1、M2)而覆盖各自的一方的主面的第一树脂层(R1)；跨过第一及第二金属部件(M1、M2)而覆盖各自的另一方的主面的第二树脂层(R2)，该复合结构体(A)成形性良好，并且能够确保充分的强度，适合作为车身等结构物的构成要素
复合结构及其制造方法

[发明专利]一种无运放超低温漂的带隙基准电路-CN201610246320.4有效
发明人：陈忠学;章国豪;唐杰;余凯 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开一种无运放超低温漂带隙基准电路，包括正温度系数电路、负温度系数电路和高阶补偿电路,所述正温度系数电路包括各自组成共源共栅对的PMOS管M1a与PMOS管M1b、NMOS管M2a与NMOS管M2b、PMOS管M3a与PMOS管M3b、PMOS管M4a与PMOS管M4b、NMOS管M5a与NMOS管M5b、NMOS管M6a与NMOS管M6b，电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4，NPN型三极管Q1
一种无运放超低温基准电路

[实用新型]一种无运放超低温漂的带隙基准电路-CN201620332700.5有效
发明人：陈忠学;章国豪;唐杰;余凯 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本实用新型公开一种无运放超低温漂带隙基准电路，包括正温度系数电路、负温度系数电路和高阶补偿电路,所述正温度系数电路包括各自组成共源共栅对的PMOS管M1a与PMOS管M1b、NMOS管M2a与NMOS管M2b、PMOS管M3a与PMOS管M3b、PMOS管M4a与PMOS管M4b、NMOS管M5a与NMOS管M5b、NMOS管M6a与NMOS管M6b，电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4，NPN型三极管Q1、NPN型三极管Q2。
一种无运放超低温基准电路

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top