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[发明专利]固化性硅树脂组合物及硅树脂固化物-CN201280015013.5有效
发明人：村上悠子;斋藤宪;汤浅正敏 -专利权人：新日铁住金化学株式会社
申请日： 2012-03-22 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C08F299/08 文献下载
摘要：一种固化性硅树脂组合物，其含有下述通式(1)所表示的笼状硅倍半氧烷树脂与自由基聚合引发剂，前述树脂的含量为10～80质量%，[CH2=CHSiO3/2]n[R1SiO3/2]m[R2SiO3/2]j(1){式(1)中，R1为下述通式(2)所表示的具有(甲基)丙烯酰基的基团：CH2=CR3-CO-O-R4-(2)[式(2)中，R3为氢原子或甲基，R4为由亚烷基、次烷基及亚苯基所成组中所选出的任一种]，R2为由氢原子、碳数1～6的烷基、苯基及烯丙基所成组中所选出的任一种，n、m及j为符合下述式(i)～(iv)所表示的条件的整数：n≥1(i)、m≥1(ii)、j≥0(iii)、n+m+j=h(iv)[式(iv)中，h为由8、10、12及14所成组中所选出的任一整数]，m及j各自为2以上时R1及R2可各自相同或不同}。
固化硅树脂组合

[发明专利]一种抗过压、欠压浪涌的软启动电路-CN201711270121.8有效
发明人：路侃;吴方;朱学政 -专利权人：合肥华耀电子工业有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗过压、欠压浪涌的软启动电路，其特征在于，包括：输入端Vin、第一二极管D1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一MOS管M1、第四电阻R4、第一电容C1、第二二极管D2、第二电容C2、第五电阻R5、第二MOS管M2、第八电阻R8、电源；通过电阻R1、电阻R3、MOS管M1的作用实现抗过压浪涌；通过二极管D1、电阻R2、电容C1的作用实现抗欠压浪涌；通过二极管D2、第二电容C2、电阻R5、MOS管M2、电阻R8实现电源软启动；本发明的优点在于：本发明只使用了MOS管M2一只大功率开关器件，保证了该软启动电路的功耗降低40％及以上，效率提高0.5％～2.9％，体积减少40％及以上
一种浪涌启动电路

[实用新型]一种抗过压、欠压浪涌的软启动电路-CN201721672467.6有效
发明人：路侃;吴方;朱学政 -专利权人：合肥华耀电子工业有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗过压、欠压浪涌的软启动电路，其特征在于，包括：输入端Vin、第一二极管D1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一MOS管M1、第四电阻R4、第一电容C1、第二二极管D2、第二电容C2、第五电阻R5、第二MOS管M2、第八电阻R8、电源；通过电阻R1、电阻R3、MOS管M1的作用实现抗过压浪涌；通过二极管D1、电阻R2、电容C1的作用实现抗欠压浪涌；通过二极管D2、第二电容C2、电阻R5、MOS管M2、电阻R8实现电源软启动；本实用新型的优点在于：本实用新型只使用了MOS管M2一只大功率开关器件，保证了该软启动电路的功耗降低40％及以上，效率提高0.5％～2.9％，体积减少
电阻二极管电容浪涌本实用新型软启动电路欠压作用实现电源大功率开关器件功耗降低体积减少软启动输入端保证

[发明专利]具有无锗纤芯的大有效面积光纤-CN201080006412.6有效
发明人： S·K·米斯拉 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：一种光波导光纤，包括：(i)无Ge纤芯，具有在1550nm波长处90μm2至160μm2的有效面积，以及12≤α≤25的α值，所述纤芯包括：(a)中芯区域，从中心线径向向外延伸至半径0μm≤r0≤2μm，并且具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的相对折射率百分比分布Δ0(r)，其中-0.1％≤Δ0(r)≤0.1，其中中芯区域具有最大相对折射率百分比Δ0MAX；(b)第一环形芯区域，围绕并直接邻近所述中芯区域且延伸至外半径r1，其中4.8μm≤r1≤10μm，并且具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的相对折射率百分比分布Δ1(r)以及最小相对折射率Δ2MIN，而且在半径r＝2.5μm处测量的相对折射率为：-0.15≤Δ1(r＝2.5μm)≤0并且Δ0MAX≥Δ1(r＝2.5μm)；(c)掺氟的第二环行区域，围绕并直接邻近第一环形芯区域而且延伸至半径13μm≤r2≤30μm，并且具有相对于纯二氧化硅测量以百分比计的负相对折射率百分比分布，其中最小相对折射率百分比Δ2MIN为：Δ2MIN＜Δ1(r＝2.5μm)并且-0.7％≤Δ2MIN≤-0.28％；(ii)包层，围绕纤芯并具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的相对折射率百分比Δc(r)，
有无锗纤芯有效面积光纤

[发明专利]液体喷出装置-CN202310118445.9在审
发明人：清水翔;山藤宏之;饭泽庆吾 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B41F23/02 文献下载
摘要：该液体喷出装置(11)具备：保持部(19)，其能够对卷绕布帛(M)而成的卷筒体(R1)进行保持；输送部，其能够将布帛(M)从卷筒体(R1)引出并对布帛(M)进行输送；喷出部，其能够向从卷筒体(R1)引出来的布帛(M)喷出液体；水分施加部(74)，其能够对被保持部(19)保持的卷筒体(R1)施加水分。
液体喷出装置

[发明专利]作为毒蕈碱M1和/或M4受体激动剂的双环氮杂化合物-CN201580017993.6有效
发明人：盖尔斯·艾伯特·布朗;朱莉·伊莱恩·坎斯菲尔德;迈尔斯·斯图尔特·康格里夫;迈克尔·阿里斯代尔·奥布莱恩;马克·皮克沃斯;马克·大卫·雷克汉姆;本杰明·杰拉尔德·特汉;巴里·约翰·泰奥博尔德 -专利权人：赫普泰雅治疗有限公司
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C07D401/14 文献下载
摘要：本发明涉及作为毒蕈碱M1受体和/或M4受体的激动剂并且用于治疗毒蕈碱M1/M4受体介导的疾病的化合物。还提供了含有所述化合物的药物组合物以及所述化合物的治疗用途。化合物包括根据式1所述的那些或其盐，其中Q、R¹、R²、R³和R⁴如本文所定义。
作为毒蕈 m1 m4 受体激动剂双环氮杂化合物

[发明专利]用二羧酸酯化的纤维素醚-CN201480024334.0有效
发明人： L·阴;M·A·希尔玛雅;S·J·吉尔劳德;R·L·斯密特 -专利权人：陶氏环球技术有限责任公司;明尼苏达大学董事会
申请日： 2014-05-07 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： C08B13/00 文献下载
摘要：酯化纤维素醚，其适用作将不良水溶性药物于水性液体中的浓度维持在过饱和水平下的赋形剂，所述酯化纤维素醚包含下式的基团‑C(O)‑CHR′‑CHR″‑COOA，其中R′和R″是氢或(‑S)m(‑R1)n‑R2，其中R1是具有1到4个碳原子的烃基，R2是任选地经取代的5或6元环基，m和n各自独立地是0或1，并且A是氢或阳离子，其条件是在每个基团CHR′‑CHR″中，R′和R″中的一者是氢并且另一者是(‑S)m(‑R1)n‑R2。
二羧酸酯化纤维素

[发明专利]烷氧基甲硅烷基甲基异氰尿酸酯的制造方法-CN200680006907.2无效
发明人： A·波普;K·斯托维舍克 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2006-03-03 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明涉及用于制造通式(I)的烷氧基甲硅烷基甲基异氰尿酸酯的方法，其中，通式(II)(RO)_3－n (R¹)_nSi－CH₂－Cl的氯甲基烷氧基硅烷与通式(III)M(OCN)_m的金属异氰酸盐在存在通式(IV)(R²)₄N⁺X^－的四烃基铵盐催化剂的情况下反应，其中R、R¹、n、M、m、R²及X具有如权利要求1中所述的定义。
烷氧基甲硅烷甲基氰尿酸制造方法

[发明专利]催化制备氢可酮、氢吗啡酮及它们的衍生物的方法-CN200680010346.3无效
发明人：王先棋;弗兰克·W·莫泽;加里·L·坎特雷尔;丹尼尔·P·马格帕兰加兰;鲍健 -专利权人：马林克罗特公司
申请日： 2006-03-07 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： C07D489/02 文献下载
摘要：一种分别催化生产氢可酮衍生物和氢吗啡酮衍生物的方法，其使用式[M(PR⁴R⁵R⁶)_nX_m]_p过渡金属催化剂；其中M为第VIII族过渡金属；R⁴、R⁵和R⁶选自烷基、芳基、烷氧基、苯氧基和它们的混合物；X是卤素或者阴离子；n是1、2、3或者4；m是1或者2；并且p至少为1。
催化制备氢可酮吗啡它们衍生物方法

[发明专利]制备烷撑二醇的方法-CN200510121768.5无效
发明人： A·斯坦科夫亚克;E·霍尔茨豪瑟;A·斯奈尔 -专利权人：科莱恩产品（德国）有限公司
申请日： 2005-12-22 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： C07C29/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备烷撑二醇的方法，该方法是通过在下式聚烷撑二醇二烷基醚存在下环氧烷烃的水合作用进行，R¹－O－[－(CH₂CH₂O)_m(CH(CH₃)CH₂)－O]_n－R²，其中，m＝0－100，n＝0－100，其中n+m至少等于1，R¹为C₁－C₆烷基，R²为C₁－C₆烷基，其中R²可以不同于R¹，条件是，对于至少50摩尔％的聚烷撑二醇二烷基醚，m+n大于或等于11。
制备烷撑二醇方法

[发明专利]混合组合物-CN202080029859.9在审
发明人：樱井彩香;德田真芳;伊藤友宏 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： C08K5/54 文献下载
摘要：本发明的组合物的特征在于，是选自下述式(G1)表示的金属化合物和其缩合物中的至少1种的金属化合物(G)、聚硅氮烷(F)以及溶剂(I)的混合组合物，聚硅氮烷(F)的量为0.01质量％以上且小于50质量％。M(Rg10)r(Ag1)m‑r(G1)[式(G1)中，M表示Al、Fe、In、Ge、Hf、Si、Ti、Sn、Zr或Ta，Rg10表示含有烃链的基团或氢原子，r为0或1。多个Ag1各自独立地表示水解性基团，m与金属原子M对应地为3～5的整数]。
混合组合

[发明专利]混合组合物-CN202080029813.7在审
发明人：德田真芳;樱井彩香;伊藤友宏 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C08K5/54 文献下载
摘要：本发明的组合物是选自下述式(G1)表示的金属化合物和其缩合物中的至少1种金属化合物(G)、聚硅氮烷(F)以及包含硅氧烷链的化合物(H)的混合组合物。M(Rg10)r(Ag1)m‑r(G1)[式(G1)中，M表示Al、Fe、In、Ge、Hf、Si、Ti、Sn、Zr或Ta，Rg10表示含有烃链的基团或氢原子，r为0或1。多个Ag1各自独立地表示水解性基团，m与金属原子M对应地为3～5的整数]。
混合组合

[发明专利]抗水解的有机改性三硅氧烷离子型表面活性剂-CN200880127525.4有效
发明人：马克·D·莱瑟曼;乔治·A·波利塞罗;W.N.彭;郑丽平;罗兰·瓦格纳;苏里施·K·拉贾拉曼;夏自军 -专利权人：莫门蒂夫性能材料股份有限公司
申请日： 2008-12-26 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： A01N57/20 文献下载
摘要：本发明提供一种组合物，该组合物包含具有下式M1DM2的硅氧烷，其中M1＝(R1)(R2)(R3)SiO1/2；M2＝(R4)(R5)(R6)SiO1/2和D＝(R7)(Z)SiO2/2；其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自独立地选自具有1-4个碳原子的一价烃基、芳基和含有芳基的具有4-9个碳原子的烃基；Z为侧挂亲水性离子基团，选自R8-RA、R9-RC和R10-Rz；RA为阴离子取代基，RC
水解有机改性三硅氧烷离子表面活性剂

[发明专利]一种低静态功耗的电流模带隙基准电压电路-CN201310109668.5无效
发明人：祝靖;张学永;张允武;宋慧滨;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：一种低静态功耗的电流模带隙基准电压电路，基于传统带隙基准电压电路，设有PNP三极管Q1和Q2，PMOS管M1、M2和M3，运算放大器OP，电阻R1、R2、R3、R4；其特征在于：将上述传统的带隙基准电压电路加以改进，将去掉电阻R1、R3，在运算放大器OP的同相输入端及运算放大器OP的反相输入端与PMOS管M3的漏极之间分别增设电阻R5及R6，R5=R6。本发明电路在电源电压和三极管Q1、Q2偏置电流均相同的条件下，输出基准电压为1V时所消耗的总静态功耗比传统结构降低了约70%。
一种静态功耗电流模带隙基准电压电路

[发明专利]金属硫杂环丁烷化合物、含有该化合物的聚合性组合物、树脂及其应用-CN200880005389.1有效
发明人：村上正和;安藤知行;洼井浩德;林秀俊;高后修;小林诚一 -专利权人：三井化学株式会社
申请日： 2008-02-19 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： C08G75/06 文献下载
摘要：通式(120)中，M为选自由Bi、Sb、Ti、Zr及Ta构成的组中的一种，X₁及X₂分别独立地为硫原子或氧原子，R₁为2价的有机基团。点线和实线表示的M-T之间的键表示单键或双键。m为0或1以上的整数，n为M的价数，p为1以上n以下的整数。r＝1时，q＝0、Y为1价的无机或有机基团。r＝1且n-p-q为2以上时，多个Y分别独立地为1价的无机或有机基团。r＝1且n-p-q为2以上时，多个Y也可以相互键合形成含有M的环。r＝2时，n-p-q＝1或2，Y为2价的基团。在r＝2且n-p-q＝2时，2个Y可以与2个M一起形成环。r＝2且q＝2时，多个T分别独立地为无机或有机基团。
金属硫杂环丁烷化合物含有聚合组合树脂及其应用