专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]开关电路及半导体装置-CN201511030906.9在审
  • 早稻仓真树;妹尾贤;利行健 - 丰田自动车株式会社
  • 2015-12-31 - 2016-08-17 - H03K17/567
  • 本发明提供一种降低在IGBT中产生的关断损耗的开关电路及半导体装置。通过第一IGBT与第二IGBT的并联电路而进行开关。在进行大电流的控制时,将第一IGBT和第二IGBT双方同时置于导通或断开,从而减轻作用于各IGBT的负荷。在进行小电流的控制时,使第一IGBT和第二IGBT中的一方先行断开,从而降低关断损耗。第二对象IGBT既可以始终断开,也可以在第一对象IGBT导通的期间的一部分期间内导通。既可以将第一IGBT与第二IGBT中的一方固定设为第二对象IGBT,也可以交替地设为第二对象IGBT
  • 开关电路半导体装置
  • [发明专利]一种功率半导体模块的芯片配置方法-CN202211275042.7在审
  • 谢峰;周党生;吕一航;张孟杰 - 深圳市禾望电气股份有限公司
  • 2022-10-18 - 2022-12-30 - H01L21/50
  • 本发明公开了一种功率半导体模块的芯片配置方法,判断母线对负载的工况为升压工况或者降压工况,并计算所述IGBT模块上桥中包括的IGBT芯片及IGBT模块下桥中包括的IGBT芯片的情况;当母线对负载的工况为降压工况时,且IGBT模块中的IGBT芯片的损耗小于IGBT模块中的二极管芯片的损耗,则将IGBT模块下桥的IGBT芯片替换为MOS芯片形成新封装IGBT模块,该功率半导体模块的芯片配置方法在充分计算IGBT模块内部损耗情况下,根据损耗情况对IGBT模块上桥或者下桥的芯片种类及数量进行配置,充分发挥IGBT模块内部芯片的性能,减少IGBT芯片做无用功,降低成本、提高效率。
  • 一种功率半导体模块芯片配置方法
  • [发明专利]连体IGBT器件及其加工方法-CN201210452249.7有效
  • 严利人;刘道广;刘志弘;张伟;周卫;崔杰 - 清华大学
  • 2012-11-13 - 2013-03-06 - H01L27/082
  • 本发明公开一种连体IGBT器件,为解决现有器件开关速度不够高的问题而发明。本发明连体IGBT器件包括至少漂移区互相连通的两个IGBT器件,各IGBT器件独立引出电极。连体IGBT器件也可由四个漂移区互相连通的IGBT器件组成。连体IGBT器件也可以具体实现为一承担较大电流主开关器件的IGBT器件和一起到加速主器件开关切换作用的辅助IGBT器件的两个IGBT器件相连。本发明连体IGBT器件的加工方法通过增加开槽工艺得到了本发明连体IGBT器件。本发明连体IGBT器件及其加工方法加工成本低,简单易行,利用两个IGBT器件开关速度相互促进获得工作速度进一步提高的有益效果。
  • 连体igbt器件及其加工方法
  • [发明专利]一种保护完善的IGBT驱动器-CN201110252637.6无效
  • 周杰 - 东莞市精诚电能设备有限公司
  • 2011-08-30 - 2011-12-21 - H02H7/20
  • 本发明公开了一种保护完善的IGBT驱动器,包括IGBT、与IGBT栅极连接的IGBT驱动电路,还包括与IGBT驱动电路输入端连接的电平转换电路,与电平转换电路连接的的光耦隔离电路、IGBT过流检测电路、降栅压电路、延时电路、软关断电路、故障报警输出电路,与IGBT发射极连接的负电压产生电路。通过调节电阻R61、R62来调节IGBT栅极的充电和放电速度;IGBT过流检测电路、降栅压电路、延时电路、软关断电路在IGBT过流时对IGBT进行过流保护,并通过故障报警输出电路进行故障报警;负电压产生电路能使IGBT关断时更加可靠,防止干扰源对IGBT所造成的误导通,对延长IGBT工作寿命起到积极作用。
  • 一种保护完善igbt驱动器
  • [实用新型]一种保护完善的IGBT驱动器-CN201120320993.2有效
  • 周杰 - 东莞市精诚电能设备有限公司
  • 2011-08-30 - 2012-05-23 - H02H7/22
  • 本实用新型公开了一种保护完善的IGBT驱动器,包括IGBT、与IGBT栅极连接的IGBT驱动电路,还包括与IGBT驱动电路输入端连接的电平转换电路,与电平转换电路连接的光耦隔离电路、IGBT过流检测电路、降栅压电路、延时电路、软关断电路、故障报警输出电路,与IGBT发射极连接的负电压产生电路。通过调节电阻R61、R62来调节IGBT栅极的充电和放电速度;IGBT过流检测电路、降栅压电路、延时电路、软关断电路在IGBT过流时对IGBT进行过流保护,并通过故障报警输出电路进行故障报警;负电压产生电路能使IGBT关断时更加可靠,防止干扰源对IGBT所造成的误导通,对延长IGBT工作寿命起到积极作用。
  • 一种保护完善igbt驱动器
  • [实用新型]可用于MMC的内部芯片为单体可控阵列的IGBT模块-CN202020694979.8有效
  • 石勇;申铭炎 - 陕西科技大学
  • 2020-04-29 - 2020-10-27 - H02M7/797
  • 本实用新型公开了可用于MMC的内部芯片为单体可控阵列的IGBT模块,包括固定式芯片组,所述固定式芯片组包括2n个IGBT芯片,所述2n个IGBT芯片两两串联组成n个IGBT芯片单元,所述n个IGBT芯片单元并联形成阵列,所述阵列的上半桥臂的IGBT芯片基极接正DC源,上半桥臂的IGBT芯片发射极和下半桥臂的IGBT芯片的基极均接输出端口,下半桥臂的IGBT芯片的射极接负DC源。将传统IGBT功率模块内统一控制的IGBT芯片变为独立控制的IGBT芯片阵列,可依据电流应力变化情况,实时配置IGBT导通阵列,从而减小由于电应力波动对IGBT芯片结温的影响。
  • 用于mmc内部芯片单体可控阵列igbt模块
  • [实用新型]一种用于检测IGBT饱和压降的全桥驱动电路-CN202022094560.1有效
  • 谭嘉泳 - 中山市嘉德龙电器有限公司
  • 2020-09-22 - 2021-03-26 - H02M1/092
  • 一种用于检测IGBT饱和压降的全桥驱动电路,包括IGBT驱动电路和驱动变压器电路,还包括上下桥臂驱动电路、IGBT1 CE检测电路和IGBT2 CE检测电路,所述IGBT驱动电路依次与驱动变压器电路、上下桥臂驱动电路电连接,上下桥臂驱动电路分别与IGBT1 CE检测电路和IGBT2 CE检测电路电连接。还包括IGBT1,所述上下桥臂驱动电路分别与IGBT1的栅极、发射极电连接,IGBT1 CE检测电路与IGBT1的集电极电连接。所述上下桥臂驱动电路分别与IGBT2的栅极、发射极电连接,IGBT2 CE检测电路与IGBT2的集电极电连接。本实用新型具有控制灵敏的特点。
  • 一种用于检测igbt饱和驱动电路

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