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[实用新型]IGBT软启动控制电路及电磁加热设备-CN202221055162.1有效
发明人：彭军;陈劲锋;刘春光 -专利权人：深圳市鑫汇科股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本实用新型涉及电磁加热技术领域，公开一种IGBT软启动控制电路及电磁加热设备。该方法包括：获取IGBT器件的集电极电压，在IGBT器件的集电极电压大于第一电压阈值时，在IGBT器件的开通阶段向IGBT器件提供第一驱动信号，直至IGBT器件的集电极电压小于第二电压阈值时，向IGBT器件提供第二驱动信号，以使IGBT器件先后进行软启动和正常开通；该电路包括控制电路、驱动电路、反馈电路、IGBT器件和谐振电路。本实用新型通过采集IGBT器件的集电极电压来对IGBT器件进行阶段控制，使IGBT器件先后进行软启动和正常导通，降低导通损耗，实现电磁加热设备连续低功率加热工作。
igbt 启动控制电路电磁加热设备

[实用新型]IGBT功率模块及电机驱动装置-CN202221532067.6有效
发明人：宋学磊;张晋尘;曲厚福 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本申请提供一种IGBT功率模块及电机驱动装置，包括至少三个并联连接的IGBT单元，每个所述IGBT单元包括彼此电连接的两个IGBT，每个所述IGBT单元的两个所述IGBT的发射极通过一辅助引线与栅极驱动电路电连接本申请的每个IGBT芯片都增加了一条辅助引线，所述辅助引线将所述IGBT的发射极与栅极驱动电路导通，从而将大电流功率回路和驱动回路隔离开，使得各IGBT单元间工作状态更加稳定，可以减小或消除IGBT关断时的拖尾电流，使每个IGBT均能获得良好的开关特性，避免拖尾电流产生较大的关断损耗，进而降低所述IGBT功率模块的导通损耗和开启关断损耗。
igbt 功率模块电机驱动装置

[发明专利]一种IGBT驱动电路模块-CN201910319083.3在审
发明人：王金刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H02M1/092 文献下载
摘要：本发明公开一种IGBT驱动电路模块，属于电力电子器件领域。所述IGBT驱动电路模块包括IGBT驱动电压电路和光耦隔离驱动控制电路，其中，所述IGBT驱动电压电路用于产生正、负驱动电压；所述光耦隔离驱动控制电路用于隔离驱动IGBT，所述IGBT驱动电压电路为PWM控制器组成的反激电路；所述光耦隔离驱动控制电路包括光耦隔离电路和IGBT驱动电路。本发明提供的一种IGBT驱动电路模块中，所述IGBT驱动电压电路产生正、负驱动电压，可以实现IGBT的快速通断；所述IGBT采取光耦隔离驱动，适用范围广；电路采用模块化设计，电路简单。
光耦隔离驱动驱动电压电路控制电路负驱动电压电力电子器件光耦隔离电路模块化设计电路产生反激电路隔离驱动通断

[发明专利]一种新型高压低损耗IGBT结构-CN202110421470.5在审
发明人：张轩;朱东柏 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明所涉及的是一种新型高压低损耗IGBT结构,此IGBT结构为集成PMOS的沟槽IGBT结构，包括集成PMOS的超级基区IGBT(PSBL IGBT)结构与集成PMOS的GGEE type IGBT(PGE IGBT)结构，PSBL IGBT结构是在SBL IGBT内部集成了PMOS结构，不仅改善了器件的导通特性与耐压特性，同时极大的改善了器件导通压降Vce(on)与关断损耗Eoff之间的折中关系,以及导通损耗Eon与续流二极管(FWD)反向恢复时的dVAK/dt折中关系，PGE IGBT结构是在GE IGBT内部集成了PMOS结构,其极大的改善器件的导通压降Vce(on)与关断损耗Eoff之间的折中关系
一种新型压低损耗 igbt 结构

[发明专利]IGBT驱动电路、电磁感应加热设备及其方法-CN201310629417.X有效
发明人：李信合;杨立萍;黄庶锋;黄开平;麻百忠;雷俊;董远;张永亮;乔维君;袁宏斌;杨乐;房振;黄兵 -专利权人：美的集团股份有限公司;佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H05B6/06 文献下载
摘要：本发明公开一种IGBT驱动电路、电磁感应加热设备及其方法，该IGBT驱动电路包括工作模块，工作模块包括一IGBT，IGBT驱动电路还包括：控制模块，用于在IGBT的电流小于预设值之前间隔输出多个第一开通信号至IGBT，以及用于在IGBT的电流达到预设值以下之后间隔输出固定开通时间的第二开通信号至IGBT，第一开通信号的开通时间小于第二开通信号的开通时间。本发明能避免因IGBT上流经较大的短路电流导致其烧坏的情况发生，从而可靠且有效的保护IGBT，提高其使用寿命，保证所述IGBT的正常工作。
igbt 驱动电路电磁感应加热设备及其方法

[实用新型]一种IGBT并联功率单元结构布局-CN201220748938.8有效
发明人：焦梓实;林资旭;赵懿;李泽绵;李海东;许洪华;赵斌;赵栋利;武鑫 -专利权人：北京科诺伟业科技有限公司;保定科诺伟业控制设备有限公司
申请日： 2012-12-30 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：一种IGBT并联功率单元结构布局，IGBT功率单元的IGBT适配板（10）覆盖于IGBT模块（11）上面,与IGBT模块（11）焊接成一体，紧贴在水冷板（15）表面的下部。多个IGBT模块（11）和多个IGBT适配板（10）一一对应，并列布置。每个IGBT模块（11）的交流侧连接交流引出排（5），每个IGBT模块（11）的直流侧接直流母排（18）。并联驱动板（7）位于IGBT模块（11）的上部，通过铜柱（2）固定在水冷板（15）上。直流滤波电容组件（17）位于直流母排（18）的下方，固定在水冷板（15）上。缓冲吸收电容（1）直流侧出口端IGBT模块（11）的直流侧出口端。
一种 igbt 并联功率单元结构布局

[实用新型]焊机用IGBT组件的安装装置-CN201120050887.7有效
发明人：张光先;丛炜峰;李德春 -专利权人：山东奥太电气有限公司
申请日： 2011-03-01 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H05K7/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种结构简单，使用方便，既便于散热，又能有效降低分布电感的焊机用IGBT组件的安装装置。它包括IGBT模块以及与IGBT模块相配合的滤波电容，IGBT模块的正极通过IGBT连接铜排Ⅰ与滤波电容连接铜排Ⅰ连接，滤波电容连接铜排Ⅰ与滤波电容一端连接；IGBT模块的负极通过IGBT连接铜排Ⅱ与滤波电容连接铜排Ⅱ连接，滤波电容连接铜排Ⅱ与滤波电容另一端连接；在滤波电容连接铜排Ⅰ、滤波电容连接铜排Ⅱ间设有绝缘隔离板；滤波电容连接铜排Ⅰ、滤波电容连接铜排Ⅱ、IGBT连接铜排Ⅰ、IGBT连接铜排Ⅱ与IGBT模块连接端均与IGBT吸收电容印制板连接。
焊机用 igbt 组件安装装置

[实用新型]一种电磁加热电路的主回路及电磁加热电路-CN201720901382.4有效
发明人：吴洋波;冯伯明 -专利权人：深圳拓邦股份有限公司
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H05B6/06 文献下载
摘要：本实用新型适用于电磁加热设备领域，提供了一种电磁加热电路的主回路，包括整流模块、LC谐振回路，以及两个IGBT，其中，LC谐振回路包括加热线圈和谐振电容，两个IGBT相互并联形成一IGBT组，LC谐振回路和IGBT组串接于镇流模块的直流侧正极和直流侧负极之间。通过使用两个IGBT控制主回路的通断，分担了单个IGBT上的电流，使得流经单个IGBT的电流仅有主回路电流的一半，从而大幅减少了IGBT上产生的热量，降低了IGBT的温度，避免了高温影响IGBT的正常工作，甚至导致IGBT过热烧毁的问题。
一种电磁加热电路回路

[发明专利]一种用于汽车的芯片浸泡式新型液冷IGBT功率模块-CN202111353342.8在审
发明人：刘文业;傅航杰;苏永栋;陈燕平;窦泽春;荣智林;刘海涛 -专利权人：中车株洲电力机车研究所有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L23/44 文献下载
摘要：本申请提供一种用于汽车的芯片浸泡式新型液冷IGBT功率模块，包括：封装外壳、母排端子以及IGBT芯片组件；其中，IGBT芯片组件位于封装外壳内部，并通过母排端子与封装外壳连接；封装外壳与IGBT芯片组件之间形成用于盛放流动的冷却液的空腔本申请提供的新型芯片浸泡式液冷IGBT功率模块使IGBT芯片与冷却液直接接触，解决了相关技术中IGBT与散热系统分离致使IGBT散热情况不理想的问题，实现了对IGBT的高效散热以及IGBT和散热系统的有机统一
一种用于汽车芯片浸泡新型 igbt 功率模块

[实用新型]一种快速散热的电磁炉-CN201220099234.2有效
发明人：朱泽春;谢浙锋;许立特 -专利权人：九阳股份有限公司
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： F24C7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种快速散热的电磁炉，能够有效解决现有IGBT元件散热慢、工作温度高，影响元件使用寿命的问题。前述电磁炉包括机壳、固定在机壳中的电路板、与电路板电连接的IGBT元件、IGBT散热片，所述IGBT元件设置在IGBT散热片上,所述IGBT元件与IGBT散热片之间设有绝缘导热片，所述IGBT元件与绝缘导热片之间设有快速传热的金属导热片IGBT元件产生的热量迅速被导热片吸收，大大地降低了IGBT元件的工作温度，延长了使用寿命。
一种快速散热电磁炉

[发明专利]IGBT短路保护电路及方法、IGBT驱动器以及IGBT电路-CN201610436428.X在审
发明人：袁金荣 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：本发明提供一种IGBT短路保护电路及方法、IGBT驱动器以及IGBT电路。所述的IGBT短路保护电路，包括：驱动电流检测单元，用于检测流经IGBT栅极的驱动电流；比较单元，用于将该驱动电流与一参考电流进行比较，并输出比较结果；以及保护单元，用于根据所述比较结果确定是否启动对IGBT根据本发明的上述方案，通过检测流经IGBT的驱动电流来控制IGBT驱动电路的自锁，以提高对IGBT的短路保护的可靠性。
igbt 短路保护电路方法驱动器以及

[发明专利]一种全桥串联谐振变换器拓扑结构-CN201210188997.9无效
发明人：姚建歆;邵峥达;蔡磊;毕蔚蓉;沈晓枉;曹芸;李骁杰 -专利权人：上海市电力公司
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H02M3/338 文献下载
摘要：本发明公开了一种全桥串联谐振变换器拓扑结构，包括第一至第四IGBT、电容、电感和电阻，所述第一IGBT和第二IGBT的串联支路与所述第三IGBT和第四IGBT的串联支路相互并联之后接所述电源；所述电容、电感和电阻依次串联在所述第一IGBT和第二IGBT的相接端与所述第三IGBT和第四IGBT的相接端之间。
一种串联谐振变换器拓扑结构

[实用新型]一种IGBT的反压保护电路-CN201220226783.1有效
发明人：孙鹏刚;赵礼荣 -专利权人：浙江绍兴苏泊尔生活电器有限公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H02H7/22 文献下载
摘要：一种IGBT的反压保护电路，包括IGBT的反向电压采样电路，电压比较电路和IGBT驱动电路，所述电压比较电路是接在IGBT的反向电压采样电路和IGBT驱动电路之间，所述IGBT的反向电压采样电路提供采样电压给电压比较电路，所述电压比较电路将IGBT反向电压采样电路提供的采样电压与预先设计的基准电压比较，当所述采样电压大于预先设计的基准电压，所述电压比较电路关闭所述IGBT驱动电路。本实用新型的有益效果：快速有效的保护IGBT。
一种 igbt 保护电路

[实用新型]一种全桥串联谐振变换器拓扑结构-CN201220268403.0有效
发明人：姚建歆;邵峥达;蔡磊;毕蔚蓉;沈晓枉;曹芸;李骁杰 -专利权人：上海市电力公司
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H02M3/338 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种全桥串联谐振变换器拓扑结构，包括第一至第四IGBT、电容、电感和电阻，所述第一IGBT和第二IGBT的串联支路与所述第三IGBT和第四IGBT的串联支路相互并联之后接所述电源；所述电容、电感和电阻依次串联在所述第一IGBT和第二IGBT的相接端与所述第三IGBT和第四IGBT的相接端之间。
一种串联谐振变换器拓扑结构

[实用新型]IGBT保护电路及电磁加热器具-CN202221218051.8有效
发明人：周宇 -专利权人：浙江绍兴苏泊尔生活电器有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H03K17/081 文献下载
摘要：本申请提供一种IGBT保护电路及电磁加热器具，该IGBT保护电路包括：控制电路、驱动电路、IGBT和电压抑制电路；控制电路输出脉冲信号至驱动电路，以通过驱动电路控制IGBT导通或关断；电压抑制电路连接在IGBT的集电极和基极之间，并通过驱动电路接地，电压抑制电路在IGBT的集电极电压大于或等于电压阈值时导通以控制IGBT导通，直至IGBT的集电极电压降低至小于电压阈值，从而避免了IGBT过压损坏。
igbt 保护电路电磁加热器具