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[发明专利]一种基于双N沟道IGBT串联的电机继电保护装置-CN202011438242.0在审
发明人：朱立山;李俊;黄少雄;卢庭;叶学渊 -专利权人：合肥同智机电控制技术有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H02H7/085 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双N沟道IGBT串联的电机继电保护装置，包括开关单元、IGBT驱动单元、短路保护单元和用于控制多个IGBT驱动单元同步工作的DSP控制单元，开关单元的输入端连接交流电源、输出端连接到电机的输入端，DSP控制单元与IGBT驱动单元相互连接，短路保护单元的输出端通过IGBT驱动单元与DSP控制单元的输入端连接；开关单元包括多个N沟道IGBT，每个N沟道IGBT外接一个短路保护单元，两个N沟道IGBT的源极串联形成共源极的双N沟道IGBT，双N沟道IGBT相互并联形成的开关单元作为电机主回路的通断开关，双N沟道IGBT的栅极共同外接到IGBT驱动单元的输出端，两短路保护单元的输出端分别连接到IGBT
一种基于沟道 igbt 串联电机保护装置

[发明专利]一种用于IGBT模块的非浸入式超声扫描工装-CN202210885204.2在审
发明人：胡小刚;姚晨阳;柴聘聘;王天文;吴畅 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G01N29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于IGBT模块的非浸入式超声扫描工装，水槽上开设用于容纳介质的槽体，槽体上开设用于卡接IGBT模块的IGBT模块通孔，IGBT模块通孔上设置有密封机构，顶升限位机构设置在槽体上；检测IGBT模块时，先将IGBT模块的底板通过密封机构密封安装在IGBT模块通孔处，顶升限位机构将IGBT模块紧紧抵靠在IGBT模块通孔处，然后向槽体中注入介质。本发明实现了IGBT模块产品超声扫描时无需浸泡在介质中，在水槽中注入介质即可进行超声波扫描成像，然后将介质从排水孔排出，IGBT模块的核心区域不接触介质，本发明很好地保护待检测的IGBT模块产品不受介质污染，同时避免水汽对IGBT模块产品的破坏，以及其他不可预测的隐患。
一种用于 igbt 模块浸入超声扫描工装

[发明专利]IGBT模块功率循环-振动实验热阻在线测试装置及方法-CN202210419022.6在审
发明人：安彤;周瑞;田延忠;张亚昆;秦飞 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种IGBT模块功率循环‑振动实验热阻在线测试装置及方法，包括汽车级IGBT模块、功率循环电路系统、振动实验台、IGBT模块专用夹具、恒温水冷散热系统、IGBT栅极控制系统、数据采集系统、数据分析系统IGBT模块专用夹具将汽车级IGBT模块固定在振动实验台上，功率循环电路系统为多个串联的汽车级IGBT模块提供电流，振动实验台给待测汽车级IGBT模块提供不同的激励，IGBT栅极控制系统控制汽车级IGBT模块的导通与关断，数据采集系统将实时采集汽车级IGBT模块集射极电压，数据分析系统基于结构函数法，对采集的数据进行处理分析，得到汽车级IGBT模块在功率循环‑振动综合实验中的结温、热阻数据。本发明实现对热阻变化的实时监测，了解汽车级IGBT模块的热特性。
igbt 模块功率循环振动实验在线测试装置方法

[发明专利]一种IGBT模块-CN202211407537.0在审
发明人：刘凤臣 -专利权人：深圳市鹏芯威电子有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本申请提供一种IGBT模块，所述IGBT模块包括底板、IGBT芯片组、功能模组和端子组，所述底板上设有第一导电线路和第二导电线路，所述IGBT芯片组分设多个IGBT芯片，多个IGBT芯片分布于所述底板上，并通过键合线与所述第一导电线路连接，所述功能模组设有至少一个电子元器件，至少一个电子元器件设置于底板上，并与多个IGBT芯片分隔，至少一个电子元器件通过键合线与所述第二导电线路连接，所述端子组包括IGBT端子组和功能端子组，所述IGBT端子组与所述IGBT芯片组电连接，以形成IGBT拓扑电路，所述IGBT模块具备高频率开关功能以及集成复合功能，以实现所述IGBT模块满足功能拓展的应用场景。
一种 igbt 模块

[发明专利]IGBT封装组件的封装方法及IGBT封装组件、直流断路器-CN201810551468.8有效
发明人：高树同;刘恒;程铁汉;吴军辉;邓渊;赵芳帅;袁婷婷 -专利权人：平高集团有限公司;北京平高清大科技发展有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明涉及直流输电设备领域，特别涉及IGBT封装组件的封装方法及IGBT封装组件、直流断路器。IGBT封装组件包括压装单元和IGBT器件单元，IGBT器件单元包括散热器和IGBT器件，压装单元包括在压装时处于底部的支撑板和在压装时处于顶部的压装板，压装单元还包括固定在支撑板上的定位杆，散热器上设有与定位杆定位配合的定位结构，所述定位杆处于IGBT器件单元一侧以在竖向叠装IGBT器件单元时对IGBT器件单元进行定位。本发明的IGBT封装组件可以通过定位杆对散热器的定位作用，保证散热器和IGBT器件的定位精度满足压装要求，通过定位杆对散热器进行定位提高了IGBT封装组件的压接封装效率，解决了目前的IGBT封装组件压接封装效率低的问题
igbt 封装组件方法直流断路器

[发明专利]一种IGBT元件运行状态监测装置-CN201510707048.0有效
发明人：吕铮;杨卫刚;陈鹏 -专利权人：国网智能电网研究院;国家电网公司
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： G05B19/04 文献下载
摘要：本发明提供一种IGBT元件运行状态监测装置，所述装置包括控制单元和IGBT驱动器，所述IGBT驱动器设于驱动板卡上，控制单元通过光通讯接口与IGBT驱动器相连；控制单元以曼彻斯特编码的方式发送控制命令给IGBT驱动器，以使IGBT驱动器驱动IGBT元件开通或关断；IGBT驱动器检测IGBT元件在运行过程中的门极电压Vge、集电极‑发射极电压Vce、IGBT元件开通时间、驱动板卡电源电压、驱动板卡运行环境温度和电源温度本发明采用曼彻斯特编码的方式实现控制单元和IGBT驱动器之间的控制反馈信息交换，可将IGBT元件运行状态信息进行采集汇总并实时上传至控制单元，从而使控制单元实现对IGBT元件运行状态的监测。
一种 igbt 元件运行状态监测装置

[发明专利]基于双脉冲的两电平变流器开关性能的测试电路及方法-CN201310032900.X无效
发明人：张鲁华;宋小亮;尹正兵;吴竞之;陈国栋;董祖毅 -专利权人：上海电气集团股份有限公司
申请日： 2013-01-29 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双脉冲的两电平变流器开关性能的测试电路及方法，电路包括：串联的第一IGBT和第二IGBT、第一IGBT驱动电路、第二IGBT驱动电路、脉冲发生器、直流支撑电容、叠层母排、直流电源以及续流电抗器方法包括：脉冲发生器通过第二IGBT驱动电路控制第二IGBT保持关断，并通过第一IGBT驱动电路对第一IGBT施加双脉冲；利用第二个脉冲开通过程测量第二IGBT反并联二极管的反向恢复特性，以及第一IGBT驱动电路和第一IGBT的开通延时；利用第二个脉冲关断过程，测量第一IGBT驱动电路和第一IGBT的关断延时。
基于脉冲电平变流器开关性能测试电路方法

[实用新型]IGBT单管逆变焊机驱动板散热装置-CN201320517231.0有效
发明人：毛世新 -专利权人：青岛艾特尔机械电子科技有限公司
申请日： 2013-08-23 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： B23K37/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种IGBT单管逆变焊机驱动板散热装置，包括IGBT单管和散热片，所述IGBT单管有四个，其中，第一IGBT单管和第二IGBT单管极性相同安装在第一散热片上。第三IGBT单管和第四IGBT单管极性不同，第三IGBT单管安装在第二散热片上，第四IGBT单管安装在第三散热片上。此种IGBT单管逆变焊机驱动板散热装置，将极性相同的IGBT单管安装在同一散热片上，极性不同的IGBT单管分别配置有一一对应的散热片，各IGBT单管安装在对应的散热片上。
igbt 单管逆变焊机驱动散热装置

[实用新型]基于双脉冲的两电平变流器开关性能的测试电路-CN201320047535.5有效
发明人：张鲁华;尹正兵;宋小亮;吴竞之;陈国栋;董祖毅 -专利权人：上海电气集团股份有限公司
申请日： 2013-01-29 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于双脉冲的两电平变流器开关性能的测试电路，包括：串联的第一IGBT和第二IGBT、第一IGBT驱动电路、第二IGBT驱动电路、脉冲发生器、直流支撑电容、叠层母排、直流电源以及续流电抗器脉冲发生器通过第二IGBT驱动电路控制第二IGBT保持关断，并通过第一IGBT驱动电路对第一IGBT施加双脉冲；利用第二个脉冲开通过程测量第二IGBT反并联二极管的反向恢复特性，以及第一IGBT驱动电路和第一IGBT的开通延时；利用第二个脉冲关断过程，测量第一IGBT驱动电路和第一IGBT的关断延时。
基于脉冲电平变流器开关性能测试电路

[实用新型]IGBT欠压保护电路和电磁炉-CN201620775810.9有效
发明人：魏国;丁韩吉 -专利权人：浙江绍兴苏泊尔生活电器有限公司
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H02H3/24 文献下载
摘要：本实用新型提供一种IGBT欠压保护电路和电磁炉，其中，IGBT欠压保护电路，包括：比较单元、控制单元和IGBT驱动单元，比较单元的两个输入端分别与IGBT驱动电源和参考电源连接，比较单元的输出端与控制单元的控制端连接，控制单元的输入端与IGBT驱动电源连接，控制单元的输出端与所述IGBT驱动单元连接，因而比较单元在IGBT驱动电源输出的IGBT驱动电压与参考电源输出的参考电压的比值低于预设阈值时输出欠压保护控制信号，以使控制单元在欠压保护控制信号的控制作用下控制IGBT驱动单元关闭，使IGBT截止，在IGBT驱动电压过低时有效保护了IGBT，提升了IGBT的使用寿命，进而保证了电磁炉的正常使用。
igbt 保护电路电磁炉

[实用新型]一种基于IGBT模块的功率单元-CN201720265977.5有效
发明人：杜伟;陈志彬;白秋梁 -专利权人：厦门科华恒盛股份有限公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种基于IGBT模块的功率单元，包括功率模块和散热器，所述功率模块包括第一IGBT、第二IGBT、第三IGBT和第四IGBT，其中，直流电源正极连接第一IGBT的集电极，直流电源负极连接第四IGBT的发射极，第三IGBT的发射极与零线连接，第三IGBT的集电极连接第二IGBT的集电极，第二IGBT的发射极分别连接第一IGBT的发射极和第四IGBT的集电极。
一种基于 igbt 模块功率单元

[实用新型]一种封装结构的IGBT功率模块-CN202121548722.2有效
发明人：王丕龙;王新强;杨玉珍;张永利 -专利权人：青岛佳恩半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种封装结构的IGBT功率模块，包括散热组件和温度监测组件，在IGBT模块工作过程中产生的热量通过IGBT模块上设置的散热基板进行散热，同时散热组件增强IGBT模块的散热能力，在IGBT模块芯片的温度超过105℃时，散热组件中设置的制冷片开始工作，增强散热组件的散热能力，在IGBT模块芯片的温度超过150℃时，温度监测组件断开IGBT模块的电源同时发送警报数据到云端，云端发送警报信号到客户端，工作人员通过客户端接收到警报信息后对IGBT模块进行处理，解决了目前IGBT模块存在的芯片过热容易导致IGBT模块损坏，在IGBT模块出现异常过热情况时不能及时对IGBT模块进行处理，容易导致IGBT
一种封装结构 igbt 功率模块

[实用新型]一种IGBT模组-CN202121881092.0有效
发明人：秦龙;吴一凡;胡洪奇;于安博 -专利权人：合肥阳光电动力科技有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子电力技术领域，尤其涉及一种IGBT模组。本实用新型提供的IGBT模组包括多个封装后的IGBT，每个封装后的IGBT包括IGBT主体部、第一引脚以及第二引脚，IGBT主体部的两端分别引出第一引脚和第二引脚，每两个封装后的IGBT首尾交错并排排布，并且首尾交错并排排布的两个封装后的IGBT的第一引脚与第二引脚导通形成一个桥臂，使得封装后的IGBT排布地更加紧凑合理，在满足大功率的IGBT模组的情况下，使得组装后的IGBT模组的结构更加紧凑，大大减小了IGBT模组的体积，提高了IGBT模组的市场竞争力。
一种 igbt 模组

[实用新型]内置温度检测模块的IGBT-CN202220216958.4有效
发明人：程炜涛;姚阳 -专利权人：上海埃积半导体有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了内置温度检测模块的IGBT，包括：IGBT正面区域、IGBT背面区域。IGBT正面区域包括：IGBT基底结构，位于IGBT基底结构上的终端区域，终端区域内部设置有元胞区域和温度检测正面金属电极区域，位于元胞区域上的IGBT正面发射极金属区域和IGBT正面栅极金属区域；IGBT背面区域包括：IGBT背面集电极金属区域，温度检测背面金属电极区域；温度检测模块包括温度检测正面金属电极和温度检测背面金属电极，以及位于温度检测正面金属电极及温度检测背面金属电极间的层间绝缘介质层、P+本实用新型在传统的IGBT版图结构基础上增加温度检测部分，从而实现内置温度检测功能的IGBT，对IGBT形成更及时的保护。
内置温度检测模块 igbt

[实用新型]一种用于IGBT模块的非浸入式超声扫描工装-CN202221939065.9有效
发明人：胡小刚;姚晨阳;柴聘聘;王天文;吴畅 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G01N29/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于IGBT模块的非浸入式超声扫描工装，水槽上开设用于容纳介质的槽体，槽体上开设用于卡接IGBT模块的IGBT模块通孔，IGBT模块通孔上设置有密封机构，顶升限位机构设置在槽体上；检测IGBT模块时，先将IGBT模块的底板通过密封机构密封安装在IGBT模块通孔处，顶升限位机构将IGBT模块紧紧抵靠在IGBT模块通孔处，然后向槽体中注入介质。本实用新型实现了IGBT模块产品超声扫描时无需浸泡在介质中，在水槽中注入介质即可进行超声波扫描成像，然后将介质从排水孔排出，IGBT模块的核心区域不接触介质，本实用新型很好地保护待检测的IGBT模块产品不受介质污染，同时避免水汽对IGBT模块产品的破坏，以及其他不可预测的隐患。
一种用于 igbt 模块浸入超声扫描工装