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[发明专利]薄膜晶体管-CN201280022557.4有效
发明人：糸濑将之;西村麻美;川岛浩和;砂川美佐;笠见雅司;矢野公规 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2012-05-01 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，其以在下述区域1、2或3的原子比的范围内含有元素In、Ga和Zn的氧化物为活性层，并且场效应迁移率为25cm2/Vs以上。区域10.58≤In/（In+Ga+Zn）≤0.68、0.15＜Ga/（In+Ga+Zn）≤0.29；区域20.45≤In/（In+Ga+Zn）＜0.58、0.09≤Ga/（In+Ga+Zn）＜0.20；区域30.45≤In/（In+Ga+Zn）＜0.58、0.20≤Ga/（In+Ga+Zn）≤0.27。
薄膜晶体管

[发明专利]一种基于MBE设备原位低温获得大尺寸Ga滴的方法-CN201810523864.X在审
发明人：石震武;杨新宁;杨琳韵;缪力力;陈晨;霍大云;邓长威;彭长四 -专利权人：苏州大学
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MBE设备原位低温获得大尺寸Ga滴的方法，包括步骤，利用分子束外延系统在基底上沉积Ga，以获得一层致密的Ga滴，在所述分子束外延系统上原位引入脉冲激光，使脉冲激光辐照上述Ga滴，使Ga滴融合团聚形成大尺寸的Ga滴。本申请采用分子束外延系统，在较低的基底温度下直接在基底表面沉积一层致密的Ga滴，直接在高真空外延设备MBE系统上原位引入脉冲激光对致密的Ga滴进行照射，Ga滴在膨胀时与相邻的Ga滴互相融合，从而制备得到大尺寸的Ga滴，由于整个制备大尺寸Ga滴的过程基底温度始终可以处于低温，因此可有效避免Ga滴对基底材料的刻蚀作用。
分子束外延系统致密基底脉冲激光原位低温沉积制备脉冲激光辐照基底表面基底材料刻蚀作用外延设备融合高真空引入照射团聚膨胀申请

[发明专利]氧化物半导体膜、薄膜晶体管、氧化物烧结体以及溅射靶-CN201880012548.4有效
发明人：井上一吉;柴田雅敏 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2018-02-15 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/363 文献下载
摘要：一种氧化物半导体膜，其特征在于，以下述原子比含有In、Ga以及Sn，0.01≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.30…(1)0.01≦Sn/(In+Ga+Sn)≦0.40…(2)0.55≦In/(In+Ga+Sn)≦0.98…(3)，且以下述原子比含有稀土元素X，0.03≦X/(In+Ga+Sn+X)≦0.25…(4)。
氧化物半导体薄膜晶体管烧结以及溅射

[发明专利]一种钕铁硼永磁材料合金化Ga元素的方法-CN201510029949.9无效
发明人：包小倩;汤明辉;卢克超;高学绪 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2015-01-21 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： C22C33/04 文献下载
摘要：一种钕铁硼永磁材料合金化Ga元素的方法，属于稀土永磁材料领域.本发明利用Fe-Ga合金作为原料，与其它钕铁硼原料一起熔炼合金。具体步骤为：将Fe-Ga合金和其它钕铁硼原料一起熔炼，之后经过制粉、取向压型、烧结和回火热处理，得到产品。由于金属Ga的熔点约30℃，常温下都容易呈液态，如果以金属Ga作为原料，在熔炼钕铁硼合金配料时通常需要在Fe或Nd块中打孔封入金属Ga。而Fe-Ga合金熔点远高于常温，以Fe-Ga合金的形式添加Ga元素，完全可以省去在Fe或Nd块中打孔封入金属Ga的步骤，还可大大减少熔炼过程中Ga元素的挥发，提高Ga的利用率，进而获得更高的磁体性能。此法可以将磁致伸缩材料Fe-Ga合金生产中的废品有效利用起来,操作简单，适合工业化生产。
一种钕铁硼永磁材料合金 ga 元素方法

[发明专利]Ga-CN201911018311.X在审
发明人：佐佐木公平 -专利权人：株式会社田村制作所
申请日： 2015-08-06 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：提供能实现高加工合格率的Ga
单晶基板金刚石磨粒研磨处理旋转轴正时合格率加工

[发明专利]Ga-CN201810338037.3有效
发明人：刘彬文;郭国聪;王国强;姜小明;曾卉一;徐忠宁;王观娥 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L41/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种铁电单晶的制备方法，将含有Ga
铁电材料铁电单晶单晶制备热稳定性能测试频率高温保温热电器件剩余极化室温条件压电器件真空条件综合性能二元相晶体的潜在的加热合成生长申请

[发明专利]Ga-CN201711153166.7有效
发明人：张春福;许育;张进成;郝跃;常晶晶;于雪婷;吴艺聪;张力鑫 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ga
ga2o3 薄膜晶体管制备方法

[发明专利]Cu-Ga二元系溅射靶及其制造方法-CN201380053585.7有效
发明人：梅本启太;张守斌 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2013-10-16 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种机械加工性优异，并且为高密度且抗弯强度较高的Cu-Ga二元系溅射靶及其制造方法。该溅射靶具有含Ga：28～35原子％、余量由Cu及不可避免的杂质所构成的成分组成，还具有以Ga：28原子％以上的高Ga含量Cu-Ga二元系合金相包围含Ga：26原子％以下、余量由Cu所构成的低Ga含量Cu-Ga
cu ga 二元溅射及其制造方法

[发明专利]金属Ga高效利用装置及方法-CN201611260086.7在审
发明人：任国强;王建峰;徐科;张育民;徐俞 -专利权人：苏州纳维科技有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种金属Ga高效利用装置及方法，所述金属Ga高效利用装置包括：生长设备、气液分离器；所述生长设备为利用金属Ga作为原材料的生长设备，其内部形成含Ga材料生长空间，所述气液分离器具有气液进口、气体出口以及液体Ga出口，所述气液分离器的气液进口通过管路与所述含Ga材料生长空间相连通，气液混合物通过所述气液进口进入所述气液分离器中，液体Ga通过所述液体Ga出口排出。本发明的金属Ga高效利用装置及方法通过气液分离器实现了液体Ga的回收利用，其提高了Ga源的利用率，显著降低了氢化物外延的生长成本，取得了较好的经济效益。
高效利用装置气液分离器金属生长设备材料生长气液进口气液混合物回收利用气体出口气液分离氢化物液进口排出出口生长

[发明专利]用于无线充电的位置对准装置和方法-CN202180017333.3在审
发明人：成宰容 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚株式会社
申请日： 2021-02-15 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： B60L53/38 文献下载
摘要：公开了一种无线充电的位置对准方法及装置，其中，该方法在车辆组件(VA)中执行以便使其位置与多个GA中的目标地面组件(GA)对准。位置对准方法包括以下步骤：通过与用于控制多个GA的功率供应侧通信控制器(SECC)进行无线通信来识别多个GA的状态，从SECC接收关于多个GA中的一个或多个有效GA的信息，基于关于一个或多个有效GA的信息选择目标GA，并建立无线通信链路；向SECC做出请求，用于执行位置对准批准和认证过程；如果认证成功，则使用低频(LF)信号与目标GA执行位置对准；在与目标GA位置对准之后使用LF信号向SECC传输数据集；并且基于数据集与目标GA配对。
用于无线充电位置对准装置方法

[发明专利]赤霉素GA₃纯化分离方法-CN200510049683.0有效
发明人：裘国寅;姚萍华 -专利权人：浙江钱江生物化学股份有限公司
申请日： 2005-04-27 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： C07D307/93 文献下载
摘要：本发明涉及一种赤霉素GA₃的纯化分离方法。赤霉素作为植物生长调节剂，其中的GA₃是有效成分，而GA₁的存在则降低了GA₃的纯度，GA₃与GA₁是一对极性相似的物质，传统的溶媒提取方法及大孔分离法都无法使GA₁与GA₃分离。本发明提出了一种赤霉素GA₃纯化分离方法，以沸腾的50％丙酮水溶液为溶剂进行重结晶，其工艺合理，操作简便。实施本发明可使赤霉素GA₃的纯度大为提高。
赤霉素 ga sub 纯化分离方法

[发明专利]一种Zn-Ga系合金及其制备方法与应用-CN202010765449.2有效
发明人：李华芳;郑宜星;王鲁宁 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C22C18/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种Zn‑Ga系合金及其制备方法与应用，属于医用合金技术领域，所述Zn‑Ga系合金包括Zn和Ga，所述Zn‑Ga系合金中Ga占0～30wt％，但不包括0，所述制备方法为将Zn和Ga或Zn、Ga和微量元素混合，进行熔炼或烧结或者熔炼或烧结之后涂覆涂层得到Zn‑Ga系合金。制备的Zn‑Ga系合金的力学性质符合医用植入体材料的强度和韧性的要求，同时又可体内降解，具有可生物腐蚀降解特性和适宜的腐蚀速率保证提供长期有效的力学支撑双重特性。
一种 zn ga 合金及其制备方法应用

[发明专利]In-Ga-Sn系氧化物烧结体、靶、氧化物半导体膜、及半导体元件-CN201180010725.3有效
发明人：糸濑将之;西村麻美;笠见雅司;矢野公规 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2011-02-22 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种氧化物烧结体，以下述式(1)～(3)的原子比包含铟元素(In)、镓元素(Ga)以及锡元素(Sn)。0.10≤In/(In+Ga+Sn)≤0.60 (1)0.10≤Ga/(In+Ga+Sn)≤0.55 (2)0.0001＜Sn/(In+Ga+Sn)≤0.60 (3)。
in ga sn 氧化物烧结半导体元件

[发明专利]In-Ga-Sn系氧化物烧结体、靶、氧化物半导体膜、及半导体元件-CN201610292859.3有效
发明人：糸濑将之;西村麻美;笠见雅司;矢野公规 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2011-02-22 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种氧化物烧结体，以下述式(1)～(3)的原子比包含铟元素(In)、镓元素(Ga)以及锡元素(Sn)。0.10≤In/(In+Ga+Sn)≤0.60 (1)，0.10≤Ga/(In+Ga+Sn)≤0.55 (2)，0.0001<Sn/(In+Ga+Sn)≤0.60 (3)。
in ga sn 氧化物烧结半导体元件

[发明专利]氧化物半导体膜、薄膜晶体管、氧化物烧结体以及溅射靶-CN201880009025.4有效
发明人：井上一吉;柴田雅敏 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种氧化物半导体膜，其特征在于，以满足下述式(1)～(3)的范围的原子比含有In、Ga以及Sn，0.01≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.30…(1)0.01≦Sn/(In+Ga+Sn)≦0.40…(2)0.55≦In/(In+Ga+Sn)≦0.98…(3)，并且，以满足下述式(4)的范围的原子比含有Al，0.05≦Al/(In+Ga+Sn+Al)≦0.30…(4)。
氧化物半导体薄膜晶体管烧结以及溅射

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