专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]隔离式打字训练键盘-CN201120211207.5有效
  • 何越 - 何越
  • 2011-06-20 - 2012-02-29 - H01H13/86
  • 本实用新型公开了一种隔离式打字训练键盘,包括键盘,在键盘的Z键和X键之间有高于这两个键上表面的第一隔断,X键和C键之间有高于这两个键上表面的第二隔断,C键和V键之间有高于这两个键上表面的第三隔断,V键和B键之间有高于这两个键上表面的第四隔断,B键和N键之间有高于这两个键上表面的第五隔断,N键和M键之间有高于这两个键上表面的第六隔断。本新型的键盘,为了满足人们盲打练习的需求,在相邻的两个键盘之间增加了隔断,隔断的高度高于键盘的上表面,这样就能够在盲打的时候阻止手指按在错误的键上。
  • 隔离打字训练键盘
  • [发明专利]液体脱气:设备和方法-CN97111519.2无效
  • K·乔;黄晓燕 - 思凯德公司
  • 1997-05-09 - 2002-09-04 - B01D19/00
  • 本发明涉及供在温度高于(>)60℃、压力高于或等于(≥)40磅/英寸2表压的液体脱气的微孔膜接触器。该接触器具有适于承受温度高于(>)60℃、液体压力高于或等于(≥)40磅/英寸2表压的时间多于或等于(≥)30天不会产生塌陷也不会产生明显的孔收缩或孔封闭的微孔中空纤维膜。该膜有一外壳包封。
  • 液体脱气设备方法
  • [发明专利]室温电阻温度系数高于10%K的多晶二氧化钒薄膜制备方法-CN200510039179.2有效
  • 李金华;袁宁一 - 江苏工业学院
  • 2005-04-30 - 2006-07-12 - C23C14/34
  • 本发明涉及功能薄膜材料制备技术,其采用改进了的离子束增强沉积方法成膜,结合后续的结晶、退火,实现杂质的均匀掺入和对钒的有效替位,使薄膜的相变起始温度降低到12-16℃附近。调节氩/氢比等成膜工艺和结晶热处理条件,使多晶VO2薄膜从半导体相向金属相转变时,其电阻率的变化超过2个数量级。选择掺杂或引入应力等制备方法、掺杂剂量、杂质种类等制备条件,使薄膜相变向低温适当延展,相变滞豫足够小,实现室温附近的TCR大大提高,达10%/K以上,可满足红外探测和红外成像的使用要求。获得的沉积薄膜与衬底界面结合牢固,结构致密,与CMOS工艺兼容。本发明原料低廉,具有成本优势,且在成膜过程中没有废液、废气等危害环境的物质排放。
  • 室温电阻温度系数高于10多晶氧化薄膜制备方法
  • [发明专利]一种铜合金-CN201310485192.5无效
  • 陈保云 - 常熟市良益金属材料有限公司
  • 2013-10-17 - 2014-01-29 - C22C9/04
  • 本发明公开了一种铜合金,所述铜合金包含的元素及重量百分比为:铜50%-70%、硅2%-5%、锡0.04%-0.06%、锑不高于0.04%、磷不高于0.05%、铝不高于0.1%、镍不高于0.15%、铁不高于0.05%,其余为锌和不可避免的杂质,所述铜+硅+锌含量大于99%,所述不可避免的杂质含量不高于0.5%,所述铜合金抗拉强度为500-600MPa,延伸率为9-14%。
  • 一种铜合金

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