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[发明专利]静电卡盘装置-CN201280014593.6有效
发明人：三浦幸夫;前田进一;佐藤隆;古内圭 -专利权人：住友大阪水泥股份有限公司
申请日： 2012-03-23 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明的静电卡盘装置(1)具备具有作为用于载置板状试样的载置面的一个主面并且内置有静电吸附用内部电极的静电卡盘部(2)和用于冷却所述静电卡盘部(2)的冷却基部(3)，在所述静电卡盘部(2)的所述载置面的相反侧的主面上隔着第一胶粘材料层(4)胶粘有加热构件(5)，所述静电卡盘部(2)及所述加热构件(5)与所述冷却基部(3)隔着具有柔软性及绝缘性的丙烯酸类胶粘剂层(9)胶粘一体化。
静电卡盘装置

[发明专利]静电卡盘组合件及其制备方法-CN202111026047.1在审
发明人：刘研;S·唐奈;J·莱辛斯基;陈俊泓;C·明斯基 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请案涉及一种静电卡盘组合件及一种用于制备所述静电卡盘组合件的方法。本发明描述了在处理工件的步骤期间用以支撑所述工件的静电卡盘，所述静电卡盘包含由多个经沉积层制成的凸起，所述层包含类金刚石碳层及含有基于硅的材料的层，例如碳化硅层。
静电卡盘组合及其制备方法

[发明专利]静电卡盘、蚀刻半导体设备及晶片的安装方法-CN202010695883.8在审
发明人：金大镇;李俊杰;李琳;王佳;周娜 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种静电卡盘、蚀刻半导体设备及晶片的安装方法，其中，静电卡盘，包括：卡盘本体和限位环；限位环用于承托晶片；限位环的表面设置有连接部，连接部用于通过与移动件连接带动限位环和晶片移动，以将晶片安装在卡盘本体上；在晶片安装在卡盘本体上的情况下，限位环套接在卡盘本体的外围周侧。本发明能够延长静电卡盘的使用寿命。
静电卡盘蚀刻半导体设备晶片安装方法

[发明专利]静电卡盘用部件以及静电卡盘-CN202110881071.7在审
发明人：堀内道夫;津野将弥 -专利权人：新光电气工业株式会社
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：静电卡盘用部件的一部分材料包含镧系元素，所述静电卡盘构造为利用静电力吸附目标物体。当用波长范围短于400nm的电磁波照射时，该部件发射的光的波长范围与所述电磁波的波长范围不同。
静电卡盘部件以及

[发明专利]静电卡盘的制法和静电卡盘-CN201210088464.3有效
发明人：曻和宏;江口正人;木村拓二 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供静电卡盘的制法和静电卡盘。本发明的课题是将介电层的厚度的偏差抑制在低程度。本发明的静电卡盘的制法包含：(a)在成型模具中投入包含陶瓷粉体、溶剂、分散剂和胶凝剂的陶瓷料浆，在该成型模具内使胶凝剂发生化学反应而使浆料凝胶化后进行脱模，从而得到第1和第2陶瓷成型体的工序；(b)将第1和第2陶瓷成型体干燥后进行脱脂，进一步进行煅烧，从而得到第1和第2陶瓷煅烧体的工序；(c)在第1和第2陶瓷煅烧体的任一方的表面印刷静电电极用糊而形成静电电极的工序；以及(d)在以夹入静电电极的方式使第
静电卡盘制法

[发明专利]静电卡盘的制法及静电卡盘-CN201210088751.4有效
发明人：木村拓二;高桥贵博;中西宏和 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明提供一种静电卡盘的制法及静电卡盘，该静电卡盘的制法包含：(a)在将静电电极前体(24)可装卸地安装于内面的第1成型模(31)中，流入含有陶瓷粉体、溶剂、分散剂及胶凝剂的陶瓷料浆，使胶凝剂进行化学反应而使陶瓷料浆凝胶化后进行脱模，由此制作在第1陶瓷成型体(41)中埋入静电电极前体(24)的带埋入电极陶瓷成型体(41X)的工序；(b)制作第2陶瓷成型体(42)的工序；(c)使用带埋入电极陶瓷成型体(41X)和第2陶瓷成型体(42
静电卡盘制法

[发明专利]静电卡盘装置及晶片或托盘的固定方法-CN201410421884.8有效
发明人：李玉站 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-08-25 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种静电卡盘装置及晶片或托盘的固定方法，所述静电卡盘装置包括绝缘本体、卡盘本体、供电电源、多个第一静电吸附电极与多个第二静电吸附电极，绝缘本体设置在卡盘本体上；所述第一静电吸附电极与所述第二静电吸附电极埋设在所述绝缘本体的内部；所述供电电源直流电压输出端与所述第一静电吸附电极、所述第二静电吸附电极电连接；所述第一静电吸附电极与所述第二静电吸附电极上加载的直流电压的极性相反，所述第一静电吸附电极与所述第二静电吸附电极交替相邻并彼此电绝缘，本发明的静电卡盘装置能有效固定晶片，特别是高绝缘电介质晶片；晶片或托盘的固定方法保证了各种类型的晶片或托盘可靠固定，不会发生“跳片”现象。
静电吸附电极静电卡盘装置托盘晶片绝缘本体供电电源卡盘本体直流电压输出端电介质晶片固定晶片极性相反可靠固定直流电压电绝缘电连接高绝缘加载跳片保证

[发明专利]晶圆键合方法及晶圆键合设备-CN202110571780.5在审
发明人：吴星鑫 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆键合方法及晶圆键合设备，晶圆键合方法包括：将静电吸附卡盘通过静电吸附力吸附上晶圆，下晶圆固定在下卡盘，并将上晶圆和下晶圆对准；将静电吸附卡盘的顶针下压上晶圆的中心区域，使上晶圆向下弯曲并与下晶圆的中心区域接触；调整静电吸附力的大小，使上晶圆在其重力和静电吸附力作用下逐步脱离静电吸附卡盘，并与下晶圆键合。通过静电吸附卡盘吸附上晶圆，在上晶圆下落与下晶圆键合的过程中，通过调整静电吸附力的大小，使上晶圆在其重力和静电吸附力作用下逐步脱离静电吸附卡盘，实现上晶圆下落过程中工艺可控，键合波由中心向四周扩展不受影响，完成晶圆键合；同时减小真空卡盘真空吸附方式对晶圆造成的扭曲。
晶圆键合方法设备

[发明专利]静电卡盘装置-CN201680055076.1在审
发明人：前田进一;三浦幸夫;小坂井守;河野仁 -专利权人：住友大阪水泥股份有限公司
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明的静电卡盘装置具备：静电卡盘部，具有载置板状试样的载置面；温度调整用基部，与静电卡盘部的与载置面相反的一侧的面相对地配置；粘接部，将静电卡盘部与温度调整用基部之间进行粘接；及环状的聚焦环，包围载置面的周围，由静电卡盘部、聚焦环、粘接部及温度调整用基部的堤部所包围的空间的体积大于粘接部在使用温度下的体积膨胀量。
静电卡盘装置

[发明专利]用于处理静电卡盘的方法及装置-CN202211063859.8在审
发明人： C·派迪;N·里查德;S·唐奈;S·梅尔切拉;C·明斯基;C·穆诺茨;刘研 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：描述用于在受控工艺条件下处理静电卡盘，包含(例如)用于在固化在所述静电卡盘的两个层之间形成接合的粘合剂的步骤期间处理静电卡盘的方法及设备(装置)。
用于处理静电卡盘方法装置

[发明专利]一种高温离子注入静电卡盘的制造方法-CN202310003479.3有效
发明人：刘斌 -专利权人：广东海拓创新技术有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及卡盘制造领域，具体为一种高温离子注入静电卡盘的制造方法，包括晶圆，所述晶圆的底端固定连接有高温静电卡盘及加热器总成，所述晶圆的轴心与高温静电卡盘及加热器总成的轴心处于同一竖直线设置。该种高温离子注入静电卡盘，是采用多层功能部件组合的形式，其材料主体成份为氧化铝，功能部件包括加热层、导热层、隔热层组件与安装基座层，导热层成份是用含有氧化铝、石英、长石等结晶和非结晶无机非金属材料复合而成，该复合材料具有与静电卡盘各部件层相近的热膨胀系数，因此克服了现行静电卡盘因热膨胀系数不均而导致的缺点。
一种高温离子注入静电卡盘制造方法

[发明专利]用于等离子体设备腔室的等离子清洗方法-CN201110126645.6无效
发明人：李俊杰 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2011-05-16 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：所述等离子体设备的腔室内设置有静电卡盘。所述方法包括：向所述腔室中通入清洗气体；向静电卡盘通入保护性气体，以在所述静电卡盘的表面上形成保护性气体层；激发所述清洗气体形成等离子体，以利用所述等离子体对所述腔室的内壁进行清洗。本发明可以在静电卡盘的表面形成保护性气体层，从而降低清洗气体中的腐蚀性气体对静电卡盘表面的腐蚀性损伤，达到延长静电卡盘的使用寿命的目的。
用于等离子体设备等离子清洗方法

[发明专利]反应腔室及半导体工艺设备-CN202210755007.9在审
发明人：盖克彬 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种反应腔室及半导体工艺设备，所述反应腔室包括腔室本体、静电卡盘、位置检测件和纠偏机构；所述静电卡盘位于所述腔室本体内，所述静电卡盘用于承载晶圆；所述静电卡盘上设置有进气孔，用于向所述晶圆吹气；多个所述位置检测件沿所述静电卡盘的周向间隔分布，用于检测所述进气孔向所述晶圆吹气时，所述晶圆是否偏离于所述静电卡盘上的预设位置；所述纠偏机构包括多个沿所述静电卡盘的周向间隔分布的驱动组件，多个所述驱动组件用于在所述位置检测件检测到所述晶圆偏离所述预设位置时相互配合
反应半导体工艺设备

[发明专利]静电卡盘系统及半导体处理设备-CN202111596699.9在审
发明人：王智昊;徐朝阳 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电卡盘系统及半导体处理设备，静电卡盘系统包括：能够相对反应腔的底壁进行上下移动的静电卡盘，以及分别与静电卡盘连接的射频功率源和直流电源，静电卡盘与射频功率源和直流电源之间分别形成有射频通路和直流通路；相互连接的第一射频阻挡部和第二射频阻挡部；第一射频阻挡部位于直流通路上，并设置在静电卡盘上，且随静电卡盘相对反应腔的底壁上下移动，第一射频阻挡部用于限制射频通路中的射频电流耦合到直流通路上；第二射频阻挡部设置在反应腔的底壁上的开口处
静电卡盘系统半导体处理设备

[发明专利]静电卡盘装置的修补方法和修补装置、以及静电卡盘装置-CN201010003196.1有效
发明人：吉冈建;高桥秀一;佐佐木康晴 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-01-14 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种静电卡盘装置的修补方法、该修补方法所使用的修补装置和适用于它们的静电卡盘装置，该静电卡盘的修补方法在静电卡盘装置的粘合剂层的侧面被侵蚀时，能够均匀地修补该侵蚀部分。一种静电卡盘装置的修补方法，其为在金属底座上至少具有粘合剂层和吸附层的静电卡盘装置的修补方法，其特征在于，在被侵蚀的粘合剂层的侧面，卷绕线状的粘合剂后，进行热压处理。本发明还提供一种修补装置(10)，其在该修补方法中使用，具有使静电卡盘装置(20)旋转的旋转台(11)、向粘合剂层(22)供给粘合剂(14)的转轴(12)、和在转轴(12)与粘合剂层(22)之间用于确定粘合剂
静电卡盘装置修补方法以及