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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]集成电路结构-CN201610567623.6在审
发明人：陈启彬 -专利权人：扬智科技股份有限公司
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种集成电路结构。此集成电路结构包括参考电路以及至少两个核心电路。参考电路产生参考电流。至少两个核心电路耦接参考电路以接收此参考电流。每个核心电路包括电流校准电路。在所述集成电路结构于测试阶段时，所述参考电路透过所述集成电路结构的接脚电性连接至外部阻抗来产生所述参考电流，且在所述测试阶段后，断开所述参考电路与所述集成电路结构的所述接脚之间的连接。
集成电路结构

[发明专利]集成电路结构-CN201810987026.8在审
发明人：郭锡瑜;朱又麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种集成电路结构。集成电路结构包括P型基底、在P型基底的深N型井区、在深N型井区上的第一N型井区、在第一N型井区的第一N型掺杂区、第二N型井区、第一P型井区与放电电路。
电性路径集成电路结构深N型井基底放电电路耦接漏极源极申请

[发明专利]集成电路结构-CN201811075644.1在审
发明人：林祐宽;杨昌达;王屏薇;赵高毅;王美匀 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种集成电路结构，包括：第一栅极，覆盖主动区域中的第一通道区域；第一晶体管，包括第一通道区域、第一源极区域、第一漏极区域、及第一栅极；导电接点，直接连接第一晶体管的第一漏极区域；第二栅极
导电导孔通道区域导电接点漏极区域晶体管集成电路结构源极区域覆盖电性绝缘层彼此电性平面延伸主动区域相隔包围

[发明专利]集成电路结构-CN201910925666.0在审
发明人：萧锦涛;庄正吉;赖志明;曾健庭;林威呈;袁立本 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种集成电路结构包括：鳍片结构，沿着第一方向覆盖鳍片结构的接触件，以及介在接触件和鳍片结构之间的隔离层。隔离层沿着垂直于第一方向的第二方向与接触件的一部分相邻。
集成电路结构

[发明专利]集成电路结构-CN201910802444.X在审
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种集成电路结构，包括：一井区，具有第一导电性形式；一半导体结构，自井区的主要表面以远离井区的方式延伸，且具有第一导电性形式；一源极/漏极特征，设置于半导体结构上，且具与有第一导电性形式不同的第二导电性形式；一隔离层，横向围绕半导体结构的至少一部分；一介电层，设置于隔离层上，其中源极/漏极特征的至少一部分被设置于介电层中；以及一导电插塞，连续延伸并穿过介电层及隔离层，以实体地接触井区的主要表面，其中导电插塞耦接至电源供应器线路以对井区施加偏压
集成电路结构

[发明专利]集成电路结构-CN202110355598.6在审
发明人：李新;孙豳;应战 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路结构，涉及集成电路领域，旨在解决相关技术中集成电路集成度较低的问题。本发明的集成电路结构设置于衬底上，包括：供电线、接地线、输出线、输入线和晶体管；在垂直于衬底的方向上，供电线和接地线均设置在衬底上，晶体管位于供电线和接地线的远离衬底的一侧；输入线和输出线均位于晶体管的远离衬底的一侧本发明能够有效降低集成电路结构的特征尺寸，从而提高其集成度，优化具有该集成电路结构的集成电路的工作性能。
集成电路结构

[发明专利]集成电路结构-CN202010941862.X在审
发明人：杨国男;刘逸群 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本描述的一态样是关于一种集成电路(integrated circuit,IC)结构，其包括第一层及第二层。第一层包括第一金属结构和第二金属结构，该第一金属结构耦接至具有第一电压位准的第一电源，该第二金属结构耦接至具有与第一电压位准不同的第二电压位准的第二电源。第二层形成在第一层之上。第二层包括第一纳米片材元件和第二纳米片材元件，第一纳米片材元件耦接至第一金属结构，第二纳米片材元件与第一纳米片材元件相邻。第二纳米片材元件耦接至第二金属结构。
集成电路结构

[发明专利]集成电路结构-CN202011108921.1在审
发明人：胡正明;黄柏苍 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一集成电路结构，包括第一晶体管、内连接结构、第一介电层、多晶插塞、半导体结构及第二晶体管。第一晶体管形成在基板上。内连接结构在第一晶体管上方。第一介电层在内连接结构上。半导体结构设置在第一介电层上。第二晶体管形成在半导体结构上。
集成电路结构

[发明专利]集成电路结构-CN202011564442.0在审
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种集成电路(IC)结构包括具有第一p型有源区域、第一n型有源区域、第二n型有源区域和第二p型有源区域的存储单元。IC结构还包括具有第三n型鳍和第三p型鳍的标准逻辑单元。第三n型鳍包括具有宽度W3的第三组垂直堆叠的沟道层，并且第三p型鳍包括具有宽度W4的第四组垂直堆叠的沟道层，其中W3大于或等于W4。
集成电路结构

[发明专利]集成电路结构-CN202010071849.3在审
发明人：蔡欣颖;篮子为;李孟哲;方伟宪 -专利权人：扬智科技股份有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路结构，包括功能电路以及电性连接功能电路的电源地线网络。本发明的集成电路结构具有降低电流‑电阻压降的功效。
集成电路结构

[发明专利]集成电路结构-CN202110565356.X在审
发明人：萧锦涛;王中兴;曾健庭;郑仪侃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种集成电路结构包括：第一多个胞元行，在第一方向上延伸；以及第二多个胞元行，在第一方向上延伸。第一多个胞元行中的每一者具有第一行高度且包括设置在其中的多个第一胞元。
集成电路结构

[发明专利]集成电路结构-CN202010341594.8在审
发明人：王建忠;丘世仰 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路结构，包括基板、金属垫、第一钝化层、第二钝化层及导电凸块。金属垫位于基板上，金属垫包括探测部及横向连接探测部的接合部。第一钝化层位于金属垫上。
集成电路结构

[发明专利]集成电路结构-CN202210579673.1在审
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本公开提出一种集成电路(IC)结构布局以提高存储器阵列的效能，例如静态随机存取存储器(SRAM)。示例性IC装置包括SRAM单元和电性耦接至SRAM单元的互连结构。互连结构包括电性耦接至SRAM单元的第一金属层，第一金属层包括位元线、具有第一电压的第一电压线、字元线着陆垫以及具有与第一电压不同的第二电压的第二电压线。第一电压线与位元线相邻。
集成电路结构

[发明专利]集成飞轮结构-CN202211211149.5在审
发明人：邵利军;谭显红;刘波;李彬;张川;李小龙;郑文豪 -专利权人：重庆安来动力机械有限公司;神驰机电股份有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： F02B75/32 文献下载
摘要：本发明涉及发动机点火飞轮技术领域，具体涉及一种集成飞轮结构，包括飞轮盘、启动柱和叶轮，所述叶轮安装在所述飞轮盘的圆周上，所述启动柱安装在飞轮盘上，所述飞轮盘上还设有安装柱，所述安装柱上安装有磁片。本申请通过将启动柱、飞轮和磁片都安装在飞轮盘上，本申请的启动柱是位于飞轮盘上，启动柱只比叶轮高部分，相当于本申请的分论结构整体只有启动柱的高度，现有的是启动柱加上飞轮的高度，即节省了空间，且启动柱、磁片是直接安装到飞轮盘上上的，节省了额外的安装结构，在重量上也减轻了。
集成飞轮结构

[发明专利]集成电路结构-CN202210842964.5在审
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本公开提供一种集成电路结构。集成电路结构包括第一SRAM单元以及第二SRAM单元，其中第二SRAM单元的布局为第一SRAM单元的布局对于两者间的垂直单元边界的镜像。
集成电路结构

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