[发明专利]集成电路结构在审
申请号: | 202110355598.6 | 申请日: | 2021-04-01 |
公开(公告)号: | CN113097208A | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 李新;孙豳;应战 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/092 | 分类号: | H01L27/092;H01L21/8238 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 王欢;黄健 |
地址: | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种集成电路结构,涉及集成电路领域,旨在解决相关技术中集成电路集成度较低的问题。本发明的集成电路结构设置于衬底上,包括:供电线、接地线、输出线、输入线和晶体管;在垂直于衬底的方向上,供电线和接地线均设置在衬底上,晶体管位于供电线和接地线的远离衬底的一侧;输入线和输出线均位于晶体管的远离衬底的一侧。本发明能够有效降低集成电路结构的特征尺寸,从而提高其集成度,优化具有该集成电路结构的集成电路的工作性能。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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