[发明专利]集成电路结构

摘要

一种集成电路结构，包括：一井区，具有第一导电性形式；一半导体结构，自井区的主要表面以远离井区的方式延伸，且具有第一导电性形式；一源极/漏极特征，设置于半导体结构上，且具与有第一导电性形式不同的第二导电性形式；一隔离层，横向围绕半导体结构的至少一部分；一介电层，设置于隔离层上，其中源极/漏极特征的至少一部分被设置于介电层中；以及一导电插塞，连续延伸并穿过介电层及隔离层，以实体地接触井区的主要表面，其中导电插塞耦接至电源供应器线路以对井区施加偏压。