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[发明专利]一种超低介电损耗的铌锰酸铅-铌镍酸铅-锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷及其制备方法-CN202110347455.0有效
发明人：边浪;曹文武 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：一种超低介电损耗的铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷及其制备方法。本发明属于压铁电材料领域。本发明是为了解决现有软性陶瓷高介电损耗的技术问题。本发明的一种超低介电损耗的铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷的化学通式为x Pb(Mn1/3Nb铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷。本发明的方法预烧温度低，通过配方与工艺的优化烧结出铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅弛豫铁电陶瓷，准静态d33测试仪测量压电常数达760pC/N的同时，介电损耗低于0.5
一种超低介电损耗铌锰酸铅铌镍酸铅锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种PHT-PNN压电陶瓷材料的制备方法-CN201710416675.8有效
发明人：李智敏;刘治宏;闫养希;张东岩;张茂林;李培咸 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开的一种PHT‑PNN压电陶瓷材料的制备方法：将碱式碳酸镍粉体和氧化铌粉体混合后球磨再经烘干和煅烧，得到铌酸镍前驱体粉料；分别称取氧化铅粉体、二氧化钛粉体、氧化铪粉体及铌酸镍粉体，将所有物料混合后进行球磨处理，得到基体混合粉料，将基体混合粉料依次进行烘干、煅烧及冷却，得到铪钛酸铅‑铌镍酸铅粉体；将铪钛酸铅‑铌镍酸铅粉体与氟化锂粉体混合后进行球磨，再经烘干得到预合成干粉料；将PVA溶液添加到预合成干粉料进行造粒本发明的制备方法能获得高压电性能氟化锂掺杂铪钛酸铅‑铌镍酸铅压电陶瓷材料。
一种 pht pnn 压电陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种陶瓷/金属压电复合材料的制备方法-CN200710122237.7无效
发明人：张海龙;杨淑;张波萍 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2007-09-24 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：该方法首先用固相反应法合成铌酸钾钠无铅压电陶瓷，再与纯金属镍均匀混合、压模成型，通过控制气氛烧结制备铌酸钾钠/镍压电复合材料。铌酸钾钠/镍压电复合材料的烧结温度为1040～1120℃，烧结气氛的氧含量为0.5％～3ppm，第二相镍的含量为1～25％。该方法通过控制气氛氧分压实现无铅压电陶瓷与普通金属的复合烧结，具有合成工艺简单、成本低廉、无环境污染等优点。所制备的铌酸钾钠/镍压电复合材料具有以下特征：镍金属第二相有效增韧铌酸钾钠压电陶瓷基体；改变镍含量调控铌酸钾钠的压电性能并形成梯度变化。
一种陶瓷金属压电复合材料制备方法

[发明专利]掺杂改性的铌镍酸铅-锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法-CN201710353080.2有效
发明人：朱小红;王开树;张玉;梁大云 -专利权人：四川大学
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明所述铌镍酸铅‑锆钛酸铅压电陶瓷，表示其化学组成组分及组分含量的化学式如下：Pb1‑mSrm(Ni铌镍酸铅‑锆钛酸铅压电陶瓷的制备方法。所述掺杂改性的铌镍酸铅‑锆钛酸铅压电陶瓷其电学性能显著提高，可满足大功率压电器件的应用需求。
掺杂改性铌镍酸铅锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]负温度系数热敏电阻锰钛酸镧-铌镍酸铅的制备方法-CN202110988660.5有效
发明人：王中旭 -专利权人：陕西君普新航科技有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种负温度系数热敏电阻锰钛酸镧‑铌镍酸铅的制备方法，将镧源、锰源和钛源球磨混合，经预烧后，获得第一粉体；将铌源和镍源球磨混合，经预烧后，获得第二粉体；将所述第一粉体和第二粉体混合并且加入氧化铅，经球磨混合后造粒过筛、压片烧结，即可获得负温度系数热敏电阻锰钛酸镧‑铌镍酸铅。
温度系数热敏电阻锰钛酸镧铌镍酸铅制备方法

[发明专利]一种降低铅基压电陶瓷烧结温度的添加物及其应用方法-CN201610129089.0在审
发明人：周佳骏;童兴野;刘红;方敬忠 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2016-03-07 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低铅基压电陶瓷烧结温度的添加物及其应用方法，涉及电子陶瓷技术领域，特别涉及一种添加物可以降低铅基压电陶瓷烧结温度的用途。采用的铅基基体配方体系分别为铌镁酸‑钛酸铅(PMN‑PT)和锰锑‑铌镍‑锆钛酸铅(PMS‑PNN‑PZT)。
一种降低压电陶瓷烧结温度添加物及其应用方法

[发明专利]一种铌镁酸铅气凝胶的制备方法-CN201811544365.5在审
发明人：刘国强 -专利权人：安徽升鸿电子有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌镁酸铅气凝胶的制备方法，包括以下步骤：将草酸铌、氢氧化镁加入乙二醇甲醚中，反应完成后，降至室温，得到铌镁前驱液；将醋酸铅加入铌镁前驱液中，搅拌反应，降至室温，得到铌镁铅前驱液；再将铌镁前驱液滴入铌镁铅前驱液中，不断搅拌，得到铌镁酸铅溶胶；向铌镁酸铅溶胶中滴加去离子水，搅拌后，密封静置直至形成铌镁酸湿凝胶，再密封老化，得老化后的铌镁酸铅湿凝胶；再将老化后的铌镁酸铅湿凝胶浸入有机溶剂中，每天更换一次有机溶剂，得到的铌镁酸铅湿凝胶置于超临界干燥釜内，经超临界干燥，得铌镁酸铅气凝胶，本发明制备得到的铌镁酸铅气凝胶纯度更高，粒度更小，温度稳定性、机械性能高，降低了污水的排放，节能环保。
铌镁酸铅前驱液铌镁气凝胶湿凝胶制备有机溶剂老化机械性能超临界干燥釜超临界干燥温度稳定性乙二醇甲醚搅拌反应节能环保密封静置氢氧化镁去离子水浸入草酸铌醋酸铅再密封铌镁酸滴加滴入污水排放

[发明专利]一种镍掺杂钛酸铅单晶薄膜及其制备和应用-CN202110532409.8有效
发明人：任召辉;陈嘉璐;林宸;杨倩;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍掺杂钛酸铅单晶薄膜及其制备和应用。该薄膜为表面光滑平整的镍掺杂钛酸铅单晶薄膜，其具有平整的界面，厚度为200nm～3000nm。本发明是以钛酸四正丁酯、硝酸铅、六水合硝酸镍为主要原料，以氢氧化钾为矿化剂，引入共沉淀法，并以掺铌的钛酸锶为基板，在200～220℃下进行水热反应，制备得到镍掺杂钛酸铅单晶薄膜。
一种掺杂钛酸铅单晶薄膜及其制备应用

[发明专利]压电功能膜、致动器以及喷墨头-CN201780071648.X有效
发明人：水原健介;张替贵圣 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：压电体层包含添加铌的锆钛酸铅。基底层包含：添加铌的钛酸铅、或者添加(铌、镧)的钛酸铅、或者添加(铌、镧、镁)的钛酸铅的任意一种。
压电功能致动器以及喷墨

[发明专利]一种低温烧结制备铪钛酸铅-铌镍酸铅压电陶瓷的方法-CN201910757888.6在审
发明人：李智敏;闫养希;夏彧顺;张东岩;张茂林;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温烧结制备铪钛酸铅‑铌镍酸铅压电陶瓷的方法，该方法包括以下步骤：预制前驱体NiNb₂O₆粉料，预合成0.51Pb(Ti_0.72CO₃粉体、Bi₂O₃粉体添加剂的加入，并制备胚体；胚体的排胶和烧结处理；抛光、被银和极化处理，得铪钛酸铅‑铌镍酸铅压电陶瓷。
压电陶瓷制备多层压电器件铌镍酸铅粉料粉体胚体酸铅铪钛粉体添加剂低温烧结极化处理烧结处理压电常数压电性能制备工艺烧结低熔点前驱体预合成电极抛光被银共烧排胶预制添加剂匹配生产成本

[发明专利]一种铌酸锰掺杂铌镱酸铅-锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法-CN202310588092.9在审
发明人：汪尧进;丁冠中;张骥;李玲;王书豪;李响;王佳佳 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锰掺杂铌镱酸铅‑锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法。所述铌酸锰掺杂铌镱酸铅‑锆钛酸铅压电陶瓷的化学式为：xwt.本发明所述通过铌酸锰掺杂以及采用固相烧结法制备，获得具有较高的机械品质因数和优良压电系数的铌酸锰掺杂铌镱酸铅‑锆钛酸铅(MnN‑PYN‑PZT)压电陶瓷，该压电陶瓷可以更好地满足大功率超声焊接机、超声探伤仪等大功率器件的基本性能需求
一种铌酸锰掺杂铌镱酸铅锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]利用氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备钛铌镁酸铅薄膜-CN201010241301.5有效
发明人：李效民;何邕;高相东;冷雪 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明提供一种利用氧等离子体辅助的脉冲激光沉积法制备钛铌镁酸铅薄膜的方法，特征在于，通过在脉冲激光沉积方法制备钛铌镁酸铅薄膜过程中引入高活性的氧等离子体，改善其结晶性和形貌，从而获得高质量钛铌镁酸铅薄膜具体过程是将钛铌镁酸铅靶材和衬底一起置于真空室中；将真空室抽真空，并将衬底加热至一定温度；然后通入一定量高纯氧气，通过气体电离系统施加高压将氧气电离，形成高活性氧等离子体；氧等离子体位于钛铌镁酸铅靶材和衬底之间；利用高能脉冲激光轰击钛铌镁酸铅靶材，产生高能等离子体，在衬底上沉积得到钛铌镁酸铅薄膜。本发明制备的钛铌镁酸铅薄膜结晶质量良好、结构致密，介电和铁电性能优异。
利用等离子体辅助脉冲激光沉积法制备钛铌镁酸铅薄膜

[发明专利]弛豫型铁电单晶原料的制备方法-CN201410851375.9在审
发明人：徐卓;车俊;李振荣;王富贵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种弛豫型铁电单晶原料的制备方法，针对铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)、铌锌酸铅-钛酸铅(PZN-PT)、铌铟酸铅-钛酸铅(PIN-PT)、铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅(PIN-PMN-PT)及其掺杂改性的弛豫铁电单晶材料，采用含结晶水的碱式碳酸镁，金红石型二氧化钛、高纯五氧化二铌，高纯三氧化二铟，高纯氧化锌与高纯氧化铅为原料，采用分步烧结，最终合成为所需化学组成的单晶原料，并对合成好的单晶原料再采用二次球磨
弛豫型铁电单晶原料制备方法

[发明专利]一种铌镁酸铅-钛酸铅厚膜陶瓷及其制备方法与应用-CN201910962768.X在审
发明人：鲁圣国;黄明峰;王世斌 -专利权人：广东工业大学;东莞华南设计创新院
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：本发明属于功能陶瓷技术领域，公开了一种铌镁酸铅‑钛酸铅厚膜陶瓷及其制备方法和应用。所述铌镁酸铅‑钛酸铅厚膜陶瓷的化学通式为Pb(Mg
厚膜陶瓷陶瓷粉体制备铌镁酸铅钛酸铅制备方法和应用比例称取原料二次球磨功能陶瓷化学通式介电常数流延工艺流延浆料强度稳定球磨混合制备厚膜重要意义烧结极化分散剂两步法增塑剂粘结剂烘干溶剂称取储能粉体滚磨过筛生坯预烧

[发明专利]基于PIN‑PMN‑PT三元系压电单晶的一维超声相控阵探头及制备方法-CN201710161580.6在审
发明人：朱本鹏;吴鹏飞;朱宇航;杨晓非;陈实;欧阳君;张悦 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于PIN‑PMN‑PT三元系压电单晶的一维超声相控阵探头及其制备方法,该相控探头包括从下至上依次层叠的下电极、1‑3复合的铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅压电单晶阵列、上电极阵列和柔性电路板；上电极阵列的阵元与其压电单晶阵列的阵元一一对应，柔性电路板上的印刷电路通道与上电极阵列的阵元对应；其制备方法包括采用光刻、刻蚀法进行切槽以形成1‑3复合的铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅压电单晶阵列，并通过溅射工艺在铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅压电单晶阵列下底面的压电片上形成下电极，在该压电单晶阵列的上表面形成上电极，并采用柔性电路板为电极提供连接外部电路的引线；本发明提供的一维超声相控阵探头可承受更高的工作温度和电场。
基于 pin pmn pt 三元压电超声相控阵探头制备方法

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