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[发明专利]基于次序物理沉积的压电厚膜制备方法及工业级压电厚膜-CN202210761175.9有效
发明人：孟德超;孙翔宇;陈余;徐驰;周泉丰 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于次序物理沉积的压电厚膜制备方法及工业级压电厚膜，包括确定需制备的压电厚膜的厚度；将压电厚膜拆分为厚膜主体和顶电极，并确定厚膜主体的厚度和顶电极的厚度；采用磁控溅射沉积法在基底上制备厚膜主体；厚膜主体制备完成后，以厚膜主体为基片，在厚膜主体上采用脉冲激光沉积法制备顶电极；获得所需的压电厚膜；本发明通过将需制备的压电厚膜拆分为厚膜主体和顶电极，并通过磁控溅射沉积法制备厚膜主体，通过脉冲激光沉积法制备顶电极，利用低成本磁控沉积法制备压电厚膜主体，然后利用高真空脉冲激光沉积法制备顶电极，实现压电薄膜大厚度、大尺寸和高性能的兼容。
基于次序物理沉积压电制备方法工业

[发明专利]一种全固态厚膜锂电池及其制备方法-CN202111144589.9在审
发明人：李晶泽;白洋;王子豪 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：本发明公开了一种全固态厚膜锂电池及其制备方法，该电池包括厚膜正极、薄膜电解质和厚膜负极三层核心层，其厚膜负极为双相锂合金或双相锂合金与三维导电材料形成的复合物。该电池制备方法包括以下步骤：先将正极浆料印刷在正极集流体上制备厚膜正极，再在厚膜正极上通过气相沉积方法制备电解质薄膜，最后通过熔融法制备厚膜负极，再覆盖上负极集流体，获得全固态厚膜锂电池。
一种固态锂电池及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN201811003843.1有效
发明人：吴华龙;陈志涛;赵维;何晨光;贺龙飞;张康 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。在本申请实施例中，在制备AlN厚膜时，先在衬底表面制作形成AlN成核层和表面调制AlN外延层，制备形成的表面调制AlN外延层能够促进位错弯曲湮没，降低外延结构的位错密度，可以提高外延结构的结晶质量。此外，在制作AlN厚膜时，在高速生长条件进行制备，使得AlN厚膜的制备速率更快，可以在短时间内制备得到厚度更厚、质量更好的AlN厚膜。制备得到的AlN厚膜表面更光滑，晶体质量更好，利于AlN厚膜制备的大规模产业应用。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种自支撑多材料镀层膜厚标准套件及制备方法-CN202110360040.7有效
发明人：朱小平;李加福;杜华 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G01B15/02 文献下载
摘要：本发明属于现代表面工程领域，提供了一种自支撑多材料镀层膜厚标准套件及制备方法。所述方法通过在若干平面基体的表面分别镀制一种不同靶材的膜层，制备出多种靶材膜层的膜厚标准块，在使用时，把至少一种以上膜厚标准块和金属基体按照预定顺序组合在一起，形成单层或多层膜厚标准套件。本发明与制备单基体多膜层膜厚标准装置块和方法相比，膜层是一个自支撑结构体，与基体相互独立，且便于膜厚层标准块与金属基体可维持自支撑自由组合成多材料多厚度的膜厚标准套件块(片)，减少了镀层膜厚标准块的制备种类和数量，降低了成本，降低了制备难度，使用更加便捷，应用面更广。
一种支撑材料镀层标准套件制备方法

[发明专利]稀土厚膜电路电热芯片及其制备工艺-CN201310737978.1有效
发明人：王克政 -专利权人：王克政
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H05B3/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土厚膜电路电热芯片及其制备工艺，其特征在于，它包括抑菌铜Cu+铝复合金属基板及其上制备的稀土厚膜电路，稀土厚膜电路包括稀土厚膜介质层和弯曲盘绕多层叠加的稀土厚膜电阻电路、稀土厚膜控制电路、稀土厚膜电极衔接电路及稀土厚膜功能电路，稀土厚膜功能电路集成、组合衔接有分裂电子元器件、温控元器件的输出端口。本发明“膜”的致密度高、均匀性好、性能优异，具有生产周期短、工序少、能耗低、材料损耗小等特点。
稀土电路电热芯片及其制备工艺

[发明专利]一种高性能热电厚膜及快速制备该高性能热电厚膜的方法-CN202111345897.8在审
发明人：邓元;严跃冬;张玮峰;华小社 -专利权人：北京航空航天大学杭州创新研究院
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速制备高性能热电厚膜的方法，通过粉末冶金的方式实现热电厚膜的制备，以热电粉末为原料，在预压模具的辅助下，先通过预压成型的方法实现热电厚膜的均匀性和厚度的有效控制，再高压冷压并退火得到高致密性的热电厚膜，最后制得的热电厚膜不仅表面平整，而且具有高热电性能。本发明所述方法能够实现厚度200μm以下热电厚膜的制备，且具有非常好的兼容性，可用于各种低、中、高温区热电材料厚膜的制备。本发明方法工艺简单，材料和设备成本低，可实现高性能热电厚膜的大规模产业化快速制备，进一步构建各种高性能的微型热电发电或制冷器件，包括高密度或柔性化的热电器件，从而为高性能微型厚膜热电器件的快速发展奠定基础
一种性能热电快速制备方法

[发明专利]一种厚膜再电镀陶瓷基板及其制备方法-CN202111466541.X在审
发明人：刘松坡;刘学昌;张树强;黄卫军 -专利权人：武汉利之达科技股份有限公司;湖北利之达电子科技有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H05K3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种厚膜再电镀陶瓷基板及其制备方法，所述厚膜再电镀陶瓷基板结构包括陶瓷基片、厚膜导电层、电镀铜层和表面处理层。制备方法包括：首先在陶瓷基片表面印刷厚膜金属浆料，烧结后形成厚膜导电层；接着在非厚膜导电层区域再印刷导电胶和绝缘胶，分别作为电镀导电层和电镀掩模层；然后通过电镀工艺在厚膜导电层表面电镀沉积铜层，电镀完成后采用溶剂溶解掉电镀导电层和电镀掩模层；最后通过化学镀工艺在电镀铜层和厚膜导电层上沉积表面处理层，得到厚膜再电镀陶瓷基板。本专利通过厚膜印刷和再电镀技术制备陶瓷基板，制备工艺简单，省去了光刻显影等图形化工艺，同时采用低成本导电浆料代替昂贵的金基浆料，有效降低了制造成本。
一种厚膜再电镀陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种耐静电放电和低包封变化率的厚膜电阻浆料-CN202010795432.1有效
发明人：兰金鹏;陆冬梅;鹿宁;王要东;周宝荣;王妮;赵科良;马倩 -专利权人：西安宏星电子浆料科技股份有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01B1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种厚膜电阻浆料和由该厚膜电阻浆料制备得到的厚膜电阻。本发明在厚膜电阻浆料中以浆料添加剂的形式加入适量的石墨炔或以玻璃粉添加剂的形式引入适量的石墨炔。由本发明的厚膜电阻浆料能够制备得到电阻温度变化稳定、耐静电放电和/或包封变化率小的厚膜电阻。
一种静电放电低包封变化电阻浆料

[发明专利]钛酸锶钡厚膜材料的制备方法-CN201010117949.1有效
发明人：樊慧庆;符云飞 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2010-03-04 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸锶钡厚膜材料的制备方法，用于解决现有技术制备方法制备的带有基底的钛酸锶钡厚膜材料电学性能差的技术问题，其技术方案是将醋酸钡、氢氧化锶、钛酸四正丁酯、冰醋酸、乙二醇甲醚、乙酰丙酮进行配料，制备出BST胶体，所得BST胶体进行流延成型后，进行高温烧结，得到钛酸锶钡厚膜材料。由于采用流延法制备出了无基底的钛酸锶钡厚膜材料，钛酸锶钡厚膜材料的介电损耗由大约0.02降低到0.02以下，提高了钛酸锶钡厚膜材料的电学性能，而且钛酸锶钡厚膜材料的致密度高、粒度均匀。
钛酸锶钡厚膜材料制备方法

[发明专利]一种锆钛酸铅厚膜及其制备方法-CN201310075338.9有效
发明人：朱本鹏;郭万克;张悦;陈实;杨晓非 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2013-03-11 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C04B35/491 文献下载
摘要：本发明公开了一种锆钛酸铅厚膜的制备方法，用于在钛片上生成锆钛酸铅厚膜，该方法具体包括：在高压釜内胆中配置前驱溶液；将钛片垂直浸入前驱溶液中，并将高压釜放入磁力搅拌器中进行磁力搅拌；最后，取出钛片，即可实现在钛片上反应生成锆钛酸铅（PZT）厚膜。本发明还公开了一种利用上述方法制备的锆钛酸铅厚膜。本发明发明的制备过程在液相中一次完成，不需要后期热处理，避免了温度过高导致基板与厚膜之间成分互扩散，而且膜的厚度可以通过重复结晶过程的次数来控制，简单可行，另外所制备的膜不受衬底的尺寸和形状控制，PZT厚膜可以制备在三维结构的表面，而且制备的PZT厚膜表面均匀，成分在准同型相界附近。
一种锆钛酸铅厚膜及其制备方法

[发明专利]一种高剩磁比、低孔隙率六角铁氧体厚膜及其制备方法与应用-CN202111395507.8有效
发明人：汤如俊;彭峰 -专利权人：苏州大学
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01F41/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种高剩磁比、低孔隙率六角铁氧体厚膜及其制备方法与应用，所述制备方法包括以下步骤：(1)将BaM粉末与有机载体混合、研磨，得到混合均匀的浆料；(2)将浆料通过丝网印刷法涂抹到Al2O3基片上，形成厚膜；(3)将上述厚膜与基片放置磁场中，进行加热充磁、排胶；(4)对充磁后的厚膜进行加压烧结，得到所述六角铁氧体厚膜本发明通过优化有机载体、控制BaM粉末粒径、改进制膜工艺，制备得到高剩磁比、低孔隙率、高密度、高饱和磁化强度的六角铁氧体厚膜，可应用于自偏置环形器，且上述制备方法可实现低成本、大规模制备BaM厚膜，满足产业化需求
一种剩磁孔隙率六角铁氧体及其制备方法应用

[发明专利]一种制备ZnO厚膜的方法-CN200910061183.7有效
发明人：张五星;黄云辉;薛丽红 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2009-03-20 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种制备ZnO厚膜的方法，将片状碱式锌盐颗粒分散到水中形成前驱体料浆，采用微孔滤膜对前驱料浆进行过滤，使片状碱式锌盐颗粒在过滤的过程中自发组装成取向性碱式锌盐厚膜，再将微孔滤膜上的碱式锌盐厚膜转移到衬底上，最后对其加热分解得到ZnO厚膜。本发明以片状碱式锌盐为前驱体制备ZnO厚膜，制备的ZnO厚膜取向性好，厚度均匀，结构稳定。
一种制备 zno 方法

[发明专利]化学溶液法制备Bi-2212高温超导厚膜的方法-CN201110365302.5有效
发明人：王三胜;范留彬 -专利权人：北京鼎臣超导科技有限公司
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学溶液法制备Bi-2212高温超导厚膜的方法。所述的方法主要包括悬浊液的制备、高温超导厚膜的旋涂、旋涂后的热解、预烧结、烧结的步骤，本发明提供的制备方法，设备结构既简单、制备又简便，大大的降低了实验成本，一次性配置大量的Bi-2212悬浊液，可以用于多次制备Bi-2212高温超导厚膜，大大的提高了制备超导厚膜的效率。
化学溶液法制 bi 2212 高温超导方法

[发明专利]一种具有合金界面层的全固态厚膜锂电池及其制备方法-CN202210524065.0在审
发明人：李晶泽;谢佳;王弘毅;周爱军 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01M10/058 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有合金界面层的全固态厚膜锂电池及其制备方法，属于全固态电池技术领域。该全固态厚膜锂电池包括厚膜正极、电解质薄膜、合金界面层和厚膜负极；制备方法包括：在厚度为1～9μm的所述电解质薄膜上采用气相沉积法制备金属薄膜层；在温度为200～350℃的金属薄膜层上浇筑熔融状态锂，随后以1～20℃/min的速度冷却，原位形成具有一体化结构的所述合金界面层和所述厚膜负极。通过该制备方法可以在电解质薄膜上高效、高质量制备厚膜负极，同时形成致密的界面接触，具有高离子导电特性、可抑制锂枝晶生长、使两侧的电解质薄膜与厚膜负极形成致密接触。
一种具有合金界面固态锂电池及其制备方法

[发明专利]一种在金属衬底上生长GaN厚膜的方法-CN202111592538.2在审
发明人：李毓锋;王成新;刘振兴 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种在金属衬底上生长GaN厚膜的方法。包括步骤如下：(1)在金属基板上制备腐蚀剥离层，然后在腐蚀剥离层上制备过渡界面层；(2)通入氨气，在氨气保护下，升温至GaN厚膜生长温度，在过渡界面层上生长GaN厚膜；(3)放入氢氟酸中，腐蚀10‑30分钟，剥离后得到GaN厚膜。本发明提供的在金属基板生长GaN厚膜的方法，在和GaN热膨胀系数相同或相近的金属基板上生长GaN厚膜，生长的GaN厚膜无龟裂，提高了GaN厚膜的合格率，降低了生产成本，并且腐蚀剥离层易被氢氟酸腐蚀，剥离GaN厚膜的过程简单快速，还不会对GaN厚膜造成损伤。
一种金属衬底生长 gan 方法

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