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[发明专利]一种高抗疲劳、低电场高储能密度的反铁电储能陶瓷及其制备方法和应用-CN202310054306.4有效
发明人：刘迎春;杨彬;张洪军;于思源;边浪;曹文武 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：一种高抗疲劳、低电场高储能密度的反铁电储能陶瓷及其制备方法和应用。本发明属于储能材料制备领域。本发明的目的是为了解决现有储能陶瓷材料无法兼顾优异的温度稳定性、抗疲劳性和低电场高储能密度的储能特性的技术问题。本发明的储能陶瓷的化学通式为xNaNbO3‑(1‑x)(Bi0.5‑yRyNa0.5)TiO3‑zMe，其中0.1≤x≤1，0.05≤y≤0.25，0≤z≤0.1，R是稀土离子，Me是生长助剂。方法：以NN‑BRNT细晶为基体，以径向比5的NN片状微晶为模板，采用模板晶粒定向生长技术，在生长助剂的作用下，制备沿[001]择优取向的高抗疲劳、低电场高储能密度的反铁电储能陶瓷。
一种疲劳电场高储能密度反铁电储能陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种兼具高机电性能及温度稳定性的钽镍酸铅-锆钛酸铅陶瓷及其制备方法和应用-CN202310420473.6在审
发明人：边浪;王倩;姜桂铖;何帅;刘迎春;杨彬;曹文武 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：一种兼具高机电性能及温度稳定性的钽镍酸铅‑锆钛酸铅陶瓷及其制备方法和应用。本发明属于压电陶瓷领域。本发明为解决现有彩超探头应用中陶瓷高机电性能与温度稳定性难以兼得的问题。本发明陶瓷化学式为：0.24Pb(Ni1/3Ta2/3)O3‑0.33PbZrO3‑0.43PbTiO3。本发明陶瓷以001取向的钛酸钡模板通过流延法制备获得。所得陶瓷综合性能最好，此时陶瓷压电系数d33高达724pC/N，居里温度TC为188℃，在25‑75℃温度范围内性能变化低于5％，同时机电耦合系数kt,可达0.57，与压电单晶相近。钽镍酸铅的引入，解决了当前高锆酸铅含量(30％)陶瓷中模板固溶现象严重的问题。
一种兼具机电性能温度稳定性钽镍酸铅锆钛酸铅陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种可用于浅皮下透皮给药的小型换能器及其制作方法-CN202210550607.1在审
发明人：杨彬;边浪 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： A61M37/00 文献下载
摘要：本发明创造提供了一种可用于浅皮下透皮给药的小型换能器及其制作方法，属于超声治疗技术领域。解决了现有换能器在透皮给药过程中给皮下深处细胞带来损伤的问题。它包括曲面匹配层、曲面压电陶瓷片和外壳，曲面压电陶瓷片的形状为凹面球冠形，曲面压电陶瓷片设置在金属外壳内，曲面压电陶瓷片的凹面朝上，凸面朝下，曲面压电陶瓷片与金属外壳之间通过环氧树脂粘接固定，曲面压电陶瓷片上表面电极与金属外壳以速干银浆连接导通，在曲面压电陶瓷的上表面铺设一层曲面匹配层，且曲面匹配层与压电陶瓷之间以环氧树脂粘接，曲面匹配层与曲面压电陶瓷形状相适应，在曲面压电陶瓷片的下表面与金属外壳的内壁上分别焊接一根导线。本发明创造适用于透皮给药。
一种用于皮下小型换能器及其制作方法

[发明专利]一种超低介电损耗的铌锰酸铅-铌镍酸铅-锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷及其制备方法-CN202110347455.0有效
发明人：边浪;曹文武 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：一种超低介电损耗的铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷及其制备方法。本发明属于压铁电材料领域。本发明是为了解决现有软性陶瓷高介电损耗的技术问题。本发明的一种超低介电损耗的铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷的化学通式为x Pb(Mn1/3Nb2/3)O3‑(0.55‑x)Pb(Ni1/3Nb2/3)O3‑0.135PbZrO3‑0.315PbTiO3，其中x＝0.01‑0.03。制备方法：按陶瓷成分配比配料，然后依次经过预烧、压片、排胶、烧结，再经烧银和极化后得到超低介电损耗的铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷。本发明的方法预烧温度低，通过配方与工艺的优化烧结出铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅弛豫铁电陶瓷，准静态d33测试仪测量压电常数达760pC/N的同时，介电损耗低于0.5％，性能优异。
一种超低介电损耗铌锰酸铅铌镍酸铅锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种锰掺杂铌铟锌酸铅-钛酸铅压电陶瓷、制备方法及其应用-CN201910376602.X有效
发明人：孙恩伟;祁旭昕;边浪;戚旭东;杨逸逍;郑华山;杨彬;曹文武 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：一种锰掺杂铌铟锌酸铅‑钛酸铅压电陶瓷、制备方法及其应用，本发明属于功能陶瓷材料领域，具体涉及一种锰掺杂铌铟锌酸铅‑钛酸铅压电陶瓷、制备方法及其应用。本发明要解决现有压电陶瓷机械品质因数、居里温度偏低的问题。压电陶瓷的化学通式为0.49Pb(In1/2Nb1/2)O3‑0.21Pb(Zn1/3Nb2/3)O3‑0.30PbTiO3:xMn2+，其中x为摩尔分数，0＜x≤0.05。首先合成铌酸铟和铌酸锌前驱体，然后以InNbO4，ZnNb2O6，PbO，TiO2和MnO2为原材料制备陶瓷片，最后进行抛光镀银以及热极化处理，得到锰掺杂铌铟锌酸铅‑钛酸铅压电陶瓷。压电陶瓷用于压电径向振动系统。
一种掺杂铌铟锌酸铅钛酸铅压电陶瓷制备方法及其应用

[发明专利]一种低温烧结的锑锰酸铅-锆钛酸铅低介电损耗压电陶瓷及其制备方法-CN202110313994.2在审
发明人：边浪;曹文武 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：一种低温烧结的锑锰酸铅‑锆钛酸铅低介电损耗压电陶瓷及其制备方法。本发明属于压铁电材料领域。本发明是为了解决现有硬性陶瓷烧结温度高、压电性能较低的技术问题。本发明的一种低温烧结的锑锰酸铅‑锆钛酸铅低介电损耗压电陶瓷的化学通式为0.05Pb(Mn1/3Sb2/3)O3‑0.47PbZrO3‑0.48PbTiO3+x wt％Li2CO3，其中0x≤1。制备方法：按陶瓷成分配比配料，然后依次经过预烧、压片、排胶然后在950℃烧结，再经烧银和极化后得到低温烧结的锑锰酸铅‑锆钛酸铅低介电损耗压电陶瓷。本发明通过引入合适含量的Li2CO3，使产品压电性能提高了27％～34％，显著降低了陶瓷的烧结温度。950℃左右的烧结温度，对于烧结炉的要求大大降低，同时降低了能源成本。
一种低温烧结锑锰酸铅锆钛酸铅低介电损耗压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]振幅调控均匀场环阵超声换能器-CN201711177891.8有效
发明人：曹文武;周起;边浪 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：振幅调控均匀声场环阵超声换能器，属于超声换能器设计技术领域。本发明是为了解决超声换能器近场的声场强度不均匀，影响超声实验结果的问题。它包括N个环阵阵元和N‑1个可调电阻，N个环阵阵元由内向外依次通过树脂套接形成一个圆盘；将N个环阵阵元由外向内依次排序为0，1，2，……，N‑1，其中第1，2，3，……，N‑1个环阵阵元分别串联一个可调电阻，将N个环阵阵元并联后，与单通道驱动电源连接；通过调节每个可调电阻的阻值来调控相应环阵阵元的振幅，从而调节换能器近场区域的声场强度分布。本发明可以消除换能器近场的不均匀场强空间分布状况。
振幅调控均匀场环阵超声换能器

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