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- [发明专利]磁存储装置-CN202211042776.0在审
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矶田大河;北川英二;李永珉;及川忠昭;泽田和也
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铠侠股份有限公司
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2022-08-29
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2023-03-14
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H10B61/00
- 其包括第1铁磁性层、包含铁或钴的第1铁磁性氧化物层、第1铁磁性层与第1铁磁性氧化物层之间的金属层、第1铁磁性氧化物层上的第2铁磁性层、第2铁磁性层上的第2铁磁性氧化物层、第2铁磁性氧化物层上的第3铁磁性层、第3铁磁性层上的绝缘层及绝缘层上的第4铁磁性层。金属层使第1铁磁性层与第1铁磁性氧化物层反铁磁性耦合。第2铁磁性层包含铁和钴中的第1铁磁性氧化物层所含的一种及第1元素组中的一种元素。第2铁磁性氧化物层包含铁和钴中的第2铁磁性层所含的一种与第1元素的合金的氧化物。第1元素具有比铁或钴的标准电极电位及第1元素组中的第2铁磁性层所含的一种元素的标准电极电位低的标准电极电位。
- 存储装置
- [发明专利]磁阻效应元件以及磁性随机存取存储器-CN201180039960.3有效
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中山昌彦;与田博明;岸达也;小濑木淳一;甲斐正;相川尚德;池川纯夫
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株式会社东芝
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2011-09-16
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2013-04-24
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H01L21/8246
- 本发明的磁阻效应元件具备:第1铁磁性层(12)，磁化相对于膜面大致垂直且可变；第2铁磁性层(16)，磁化相对于膜面大致垂直且不变；第1非磁性层(14)，设于第1铁磁性层与第2铁磁性层之间；第3铁磁性层(20)，设于相对于第2铁磁性层的与第1非磁性层的相反侧，具有与膜面大致平行的磁化，通过注入被自旋极化后的电子来产生旋转磁场；以及第2非磁性层(18)，设于第2铁磁性层与第3铁磁性层之间，使第1电流沿着从第3铁磁性层经由第2铁磁性层朝向第1铁磁性层的方向以及从第1铁磁性层经由第2铁磁性层朝向第3铁磁性层的方向中的一个方向流过，由此，通过由第3铁磁性层产生的旋转磁场，第1铁磁性层的磁化能够反转，并使具有与第1电流不同的电流密度的第2电流向一个方向流过，借助于通过第2铁磁性层被自旋极化后的电子，第1铁磁性层的磁化能够向与流过第1电流的情况不同的方向反转。
- 磁阻效应元件以及磁性随机存取存储器
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