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[发明专利]基于PEDOT:PSS/PVK/WO3有机-无机异质结的紫外光电探测器及其制备方法-CN202310895329.8在审
发明人：唐利斌;贾梦涵;才玉华;田品 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10K30/20 文献下载
摘要：基于PVK/WO3有机‑无机异质结的紫外光电探测器及其制备方法，涉及一种有机‑无机杂化的光电探测器，尤其是一种低温（≤150℃）制备的具有ITO/PEDOT:PSS/PVK/WO3/Al垂直结构的紫外光电探测器。光电探测器从下至上依次为玻璃衬底、ITO电极层、PEDOT:PSS空穴传输层、PVK薄膜层、WO3薄膜层和Al电极层。探测器的制备方法包括前期WO3薄膜的制备、PVK和PEDOT:PSS薄膜的旋涂工艺以及后期器件结构的设计与调控。该探测器对紫外光表现出良好的选择特性，且具有优异的器件性能。
基于 pedot pss pvk wo3 有机无机异质结紫外光电探测器及其制备方法

[发明专利]可弯曲的X射线探测器及其制备方法-CN202310910774.7在审
发明人：陈卫华;宋波;徐建军;雷威 -专利权人：中广核工程有限公司;东南大学
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10K30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种可弯曲的X射线探测器及其制备方法，X射线探测器包括柔性衬底、设置在所述柔性衬底上的底电极层、依次叠设在所述底电极层上的第一半导体多晶膜层和第二半导体多晶膜层、设置在所述第二半导体多晶膜层上的顶电极层；所述第一半导体多晶膜层和所述第二半导体多晶膜层中，一者为n型半导体，另一者为p型半导体。本发明的可弯曲的X射线探测器，以柔性衬底作为基板，配合n型和p型半导体及电极等形成可弯曲的X射线探测器，具有结构简单、空间分辨率高和价格低廉的特点，适用于X射线CT成像系统。
弯曲射线探测器及其制备方法

[发明专利]有机半导体混合物及其有机光电元件-CN202310329064.5在审
发明人：蔡佳桦;廖椿毅;李威龙;萧育堂 -专利权人：天光材料科技股份有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10K30/20 文献下载
摘要：本发明是关于一种有机半导体混合物及包含其的有机光电元件，该有机半导体混合物中的n型有机半导体化合物具有一新颖的化学结构设计，使得该混合物具有良好的热稳定性，并更有利于减少批次生产时造成的性质差异。该有机半导体混合物适用于如OPV等有机光电元件，使用时可提供良好的能量转换效率。
有机半导体混合物及其有机光电元件

[发明专利]一种基于HAL作为分子桥制备钙钛矿太阳能电池的方法-CN202310823225.6在审
发明人：王宇鸿;孙伟海;陈鹏旭;何若玮;汪杨;童安玲;郑青水;金志航;殷逍遥;朱文昊 -专利权人：华侨大学
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10K30/20 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体公开了一种基于HAL作为分子桥制备钙钛矿太阳能电池的方法，包括TO导电玻璃的清洗、ETL的制备、HAL分子桥的制备、钙钛矿层的制备、空穴传输层的制备、对电极的制备。本发明通过在电子传输层(ETL)和钙钛矿(PVK)之间引入具有双侧供电子基团的6‑氨基‑1‑己醇(HAL)作为分子桥，实现对SnO2层表面的钝化，并改善其能级，更有利于电子传输，同时HAL中的供电子基团连接ETL和PVK，并钝化PVK的缺陷，降低PVK的缺陷密度，减少非辐射复合，加速了电子的提取与传输速度，达到提高钙钛矿太阳能电池的光电转换效率(PCE)和长期稳定性。
一种基于 hal 作为分子制备钙钛矿太阳能电池方法

[发明专利]多层耦合型光电转换元件及多层耦合型光电转换元件的制造方法-CN202310032173.0在审
发明人：五反田武志;浅谷刚;齐田穣;户张智博 -专利权人：株式会社东芝;东芝能源系统株式会社
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10K30/20 文献下载
摘要：本发明提供能够防止水与钙钛矿层的接触的多层耦合型光电转换元件及多层耦合型光电转换元件的制造方法。实施方式的多层耦合型光电转换元件具有层叠体。层叠体是将第一电极功能层、第一光活性层、中间功能层、第二光活性层、第二电极功能层层叠而成的。第一光活性层由晶体硅构成。第二光活性层由具有钙钛矿型晶体结构的光活性材料构成。第二电极功能层所包含的一部分层被层叠在层叠体的内部，并且以将位于层叠体的端面的第二光活性层的端部覆盖的方式在端面上延伸而层叠。
多层耦合光电转换元件制造方法

[发明专利]一种异质结多色探测器及其制备方法-CN202310918940.8在审
发明人：郝群;魏志鹏;唐鑫;陈梦璐 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10K30/20 文献下载
摘要：一种异质结多色探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域，解决探测器制备困难和颜色分辨率的可控性低问题。本发明的探测器包括：从下至上依次设置的衬底、底电极、钙钛矿异质结薄膜和金属顶电极；所述钙钛矿异质结薄膜由从下至上的宽带隙钙钛矿薄膜层和窄带隙钙钛矿薄膜层构成；所述宽带隙钙钛矿薄膜层为CH3NH3PbBr3，厚度为250nm~350nm；所述窄带隙钙钛矿薄膜层为CH3NH3PbI3，厚度为500nm~10000nm。本发明适用于微型光谱仪，多色成像，人工智能识别以及生物监测等诸多领域。
一种异质结多色探测器及其制备方法

[实用新型]多层耦合型光电转换元件-CN202320065798.2有效
发明人：五反田武志;浅谷刚;齐田穣;户张智博 -专利权人：株式会社东芝;东芝能源系统株式会社
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10K30/20 文献下载
摘要：本实用新型提供能够防止水与钙钛矿层的接触的多层耦合型光电转换元件及多层耦合型光电转换元件的制造方法。实施方式的多层耦合型光电转换元件具有层叠体。层叠体是将第一电极功能层、第一光活性层、中间功能层、第二光活性层、第二电极功能层层叠而成的。第一光活性层由晶体硅构成。第二光活性层由具有钙钛矿型晶体结构的光活性材料构成。第二电极功能层所包含的一部分层被层叠在层叠体的内部，并且以将位于层叠体的端面的第二光活性层的端部覆盖的方式在端面上延伸而层叠。
多层耦合光电转换元件

[发明专利]用于光活性层的溶剂共混物-CN201780039138.4有效
发明人： D·托布约尔克;J·哈金斯 -专利权人：剑桥显示技术有限公司;住友化学株式会社
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10K30/20 文献下载
摘要：本发明涉及用于制备半导体配制物的溶剂共混物，该半导体配制物对于喷墨应用具有改进的稳定性，该溶剂共混物包含：苯甲酸烷基酯、苯甲酸芳基酯、烷基苯并噻唑或二烷氧基苯；第一种芳族烃，其为二烷基取代的芳族烃或三烷基取代的芳族烃；和不同于第一芳族烃的第二芳族烃。此外，公开了通过使用所述配制物制造具有高效率和高品质光活性层和膜的有机电子器件的方法。
用于活性溶剂共混物

[发明专利]一种导电聚合物薄膜修饰的有机半导体空穴传输界面复合材料及其制备方法和应用-CN202310369664.4在审
发明人：尹志刚;郑庆东;陈汉生;马云龙;蔡东东;蔡丽娜 -专利权人：闽都创新实验室
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H10K30/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种导电聚合物薄膜修饰的有机半导体空穴传输界面复合材料及其制备方法和应用，属于光电子材料与器件领域。所述有机半导体空穴传输界面复合材料包括聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺]薄膜和导电聚合物材料薄膜；所述聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺]薄膜和所述导电聚合物材料薄膜之间相互贴合。该材料具有成膜质量好、透光率高、空穴传输能力优等优点；利用该复合材料制备的有机光伏器件的能量转换效率达到14％以上，并且在存储3个月后器件仍保持初始效率的80％以上，应用在半透明器件中能量转换效率达到12％以上且平均可见光透过率超过25％，在能源光电子应用中具有广阔前景。
一种导电聚合物薄膜修饰有机半导体空穴传输界面复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种适用于室内环境光的双层太阳电池及其制备方法-CN202210242864.9有效
发明人：黄飞;武泽润;张凯;董升 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10K30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于室内环境光的双层太阳电池，其包括活性层，所述活性层为双层结构，其中，所述双层结构为电子给体层和电子受体层叠加而成的结构。该双层太阳电池包括活性层的制备方法包括如下步骤：S1.将电子给体材料通过良溶剂溶解并沉积；S2.将电子受体材料通过良溶剂与给体劣溶剂的混合溶剂溶解并沉积在电子给体层上；同时限定了电子给体材料和电子受体材料在对应溶剂中的相关溶解度。该双层太阳电池在室内环境光下具有优异的光电转化效率。
一种适用于室内环境双层太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种三维异质结钙钛矿太阳能电池结构及其应用-CN202310584432.0在审
发明人：谭海仁;林仁兴 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10K30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维异质结钙钛矿太阳能电池结构及其应用，属于太阳能电池技术领域。本发明的三维异质结钙钛矿太阳能电池，其钙钛矿层由吸光层和钝化层复合得到，吸光层和钝化层形成II型异质结，所述吸光层由三维钙钛矿N制成，钝化层由三维钙钛矿Y制成。本发明通过设计在含有厚吸光层的钙钛矿薄膜上构筑三维/三维全钙钛矿II型异质结，有效地钝化钙钛矿表面的缺陷，减少了钙钛矿表面的非辐射复合损失，在提升开路电压和填充因子的同时不影响短路电流源密度，提升了单结和叠层电池的光电转化效率。
一种三维异质结钙钛矿太阳能电池结构及其应用

[发明专利]一种室内有机光伏器件及其制备方法-CN202310659777.8在审
发明人：李振业;佘罗斌 -专利权人：南华大学
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10K30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种室内有机光伏器件，涉及室内有机光电材料技术领域。所述室内有机光伏器件自下而上依次包括：基底、空穴传输层、活性层、阴极界面层和阴极，所述基底为导电玻璃，所述阴极为Ag，所述空穴传输层的材料为PEDOT：PSS，所述阴极界面层材料为PFN‑Br，所述活性层包括给体和受体，所述给体为PBTA‑Bo，所述受体为N2200、PYF‑T或PC71BM中的一种，所述室内有机光伏器件输出功率可达0.32‑0.34mW·cm‑2。
一种室内有机器件及其制备方法

[发明专利]一种非易失性调控的光电传感器及其制备方法和应用-CN202310378688.6在审
发明人：陈旭东;张国新;鲁统部 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10K30/20 文献下载
摘要：本发明属于光电传感器件技术领域，特别涉及一种非易失性调控的光电传感器及其制备方法和应用。一种光电传感器，光电传感器自下而上依次包括：衬底、沟道层、存储层、阻挡层和离子栅介质层；存储层包覆在沟道层的外围；存储层包括石墨炔；沟道层包括碳纳米管。本发明的碳纳米管和石墨炔形成的碳纳米管@石墨炔异质结具有大的比表面积，为Li+的存储提供了更多的位点，从而实现低能耗非易失性存储特性；同时可通过光脉冲实现光响应度的调控。本发明通过电压脉冲和光脉冲调控石墨炔层中Li+的密度，进而实现不同的电导态和光响应率。
一种非易失性调控光电传感器及其制备方法应用

[发明专利]一种准二维/三维异质结钙钛矿太阳能电池-CN202310393100.4在审
发明人：谭海仁;闻瑾 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10K30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种准二维/三维异质结钙钛矿太阳能电池，该电池结构为从受光正面至受光背面依次包括透明导电衬底、空穴传输层、宽带隙钙钛矿层、准二维钙钛矿层、电子传输层和栅线电极，所述准二维钙钛矿层的制备过程为：先在宽带隙钙钛矿层上蒸发碘化铅层，再在碘化铅层上形成甲基碘化胺层，然后在甲基碘化胺层上形成二维钙钛矿有机配体层。本发明通过采用蒸发辅助多步骤制备二维钙钛矿，可以调节二维钙钛矿的n值，进而调节表面能级，避免电荷阻挡。
一种二维三维异质结钙钛矿太阳能电池

[发明专利]光电转换元件和固态成像装置-CN201780072926.3有效
发明人：长谷川雄大;坂东雅史;平田晋太郎;茂木英昭;八木岩;氏家康晴;根岸佑树 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10K30/20 文献下载
摘要：本发明涉及成像装置和包括成像装置的电子设备，其中，所述成像装置包括：第一电极；第二电极；光电转换层，其设置在所述第一电极和所述第二电极之间，并包括第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料，其中，所述第二有机半导体材料包括亚酞菁材料，并且其中，所述第二有机半导体材料具有范围为‑6eV至‑6.7eV的最高占据分子轨道能级。
光电转换元件固态成像装置

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