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[发明专利]一种基于FTO/TiO2-CN202211039175.4在审
发明人：阮圣平;张宇鹏;翟艳男;刘彩霞;周敬然;李昕;马艳 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：一种基于FTO/TiO2：PEO/MAPbCl3异质结的紫外探测器及其制备方法，属于紫外光电探测技术领域。该探测器从下到上依次由FTO衬底、TiO2一维纳米棒阵列薄膜、PEO界面修饰层、多晶钙钛矿MAPbCl3薄膜和Ag电极组成，TiO2一维纳米棒阵列薄膜、PEO界面修饰层和多晶钙钛矿MAPbCl3薄膜构成TiO2：PEO/MAPbCl3异质结光敏感层，待测的紫外光从FTO衬底一侧入射。本发明通过构建复合异质结，增强内建电场，有效调节光敏层中电子传输的表面功函，降低活性层和电极之间的接触势垒，从而增强电子萃取能力，有效提高器件内部载流子的迁移效率，具有对紫外光有较高响应的优良效果。
一种基于 fto tio base sub

[发明专利]一种CsPbBr3-CN202310092163.6有效
发明人：刘勇;刘婉丽 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C01G23/053 文献下载
摘要：本发明属于钙钛矿光电材料领域，更具体地，涉及一种CsPbBr3@TiO2核壳异质结、其制备方法及应用，所述核壳异质结中base:Sub>2壳层的生长，有效地减轻了CsPbBr3纳米晶核表面陷阱态，实现了较高的环境稳定性和光稳定性；该壳层为纳米晶提供了强散射且异质结构的形成使电荷从核转移到壳本发明的制备方法实现TiO2壳层半包裹和全包裹精准调控，制备的核壳异质结不仅均匀单分散，而且具有优异的光电性质和稳定性，更好的应用于钙钛矿太阳能电池、发光二极管
一种 cspbbr base sub

[发明专利]一种基于同质结界面交联的钙钛矿太阳电池及其制备方法-CN202210686256.7在审
发明人：李美成;黄浩;瞿树杰;蓝智能;崔鹏;闫路遥;王欣欣;杜淑贤;张强;杨莹莹;纪军;刘本玉;刘家梁 -专利权人：华北电力大学;华能集团技术创新中心有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明属于钙钛矿太阳电池技术领域。本发明提出了一种基于同质结界面交联的钙钛矿太阳电池及其制备方法，所述太阳电池结构自下而上依次为：FTO基底、n型钙钛矿层、分子交联层、p型钙钛矿层、金属电极。所述制备方法中，采用热压处理诱导界面重结晶交联，制备钙钛矿同质结，以提高钙钛矿同质结的质量；同时，在钙钛矿同质结界面引入交联结构，钝化界面缺陷，减少光生载流子损失，从而提升无电荷传输层的钙钛矿同质结太阳电池的光电转换效率
一种基于同质界面交联钙钛矿太阳电池及其制备方法

[发明专利]基于Ga2-CN201710412534.9有效
发明人：贾仁需;董林鹏;栾苏珍;庞体强;张玉明;汪钰成;刘银涛 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于Ga2O3/钙钛矿异质结的光电探测器的制备方法，包括：选取半绝缘半透明衬底；在所述衬底表面淀积形成底电极base:Sub>2O3层；在所述Ga2O3层表面旋涂钙钛矿层；在所述钙钛矿层表面淀积形成顶电极，以完成所述光电探测器的制备。本发明提供的基于Ga2O3/钙钛矿异质结的光电探测器，可以探测从深紫外到近红外的宽范围光谱；具有较高的响应度和探测率，
基于 ga base sub

[发明专利]一种钙钛矿异质结自驱动光电探测器及其制备方法-CN202310204240.2在审
发明人：阚彩侠;蔺承鑫;姜明明 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿异质结自驱动光电探测器，包括绝缘衬底，绝缘衬底的表面设置InGaN薄膜，InGaN薄膜远离的绝缘衬底的一侧间隔设置金属电极、CsPbBr3本发明还公开了一种钙钛矿异质结自驱动光电探测器的制备方法。本发明通过构筑CsPbBr3/InGaN异质结结构，在不加外部电压情况下，实现了高性能的光电探测器，器件响应度、探测率高，表现出较宽的响应带宽，有利于推广应用。
一种钙钛矿异质结驱动光电探测器及其制备方法

[发明专利]基于有机光活化层的宽光谱响应无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用-CN201810464639.3在审
发明人：唐群委;徐虹哲;段加龙;赵媛媛 -专利权人：暨南大学
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供了基于有机光活化层的宽光谱响应无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用，本发明具体是在FTO导电玻璃组装二氧化钛薄膜形成电子传输层，随后采用多步液相技术旋涂溴化铅和溴化铯溶液制备高纯CsPbB₃钙钛矿吸光层，然后再将有机光活化层组装在无机钙钛矿薄膜形成体异质结，最后采用碳背电极组装成有机光活化层修饰的宽光谱效应无机钙钛矿太阳能电池。本发明充分利用有机活化层的窄带隙、宽光谱吸收和良好的溶解性，拓宽无机钙钛矿太阳能电池的吸收范围，并提高光电转化效率。本发明的电池组装过程简单易行，所组装的太阳能电池的迟滞效应大大降低，光电转换效率高。
无机钙钛矿太阳能电池有机光活化层宽光谱组装制备方法和应用电池组装过程二氧化钛薄膜光电转化效率光电转换效率电子传输层薄膜形成溶液制备体异质结液相技术有机活化背电极钙钛矿吸光层窄带隙溴化铅溴化铯响应迟滞高纯旋涂吸收修饰

[发明专利]一种平面异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201510332119.3在审
发明人：张懿强;周文远;郭楠;吴振华;姚志强;邵国胜;胡俊华;范佳杰;毛景;张鹏;迈克·思韦茨;范向伟 -专利权人：郑州大学
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体公开了一种平面异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法。自下而上依次为透明导电电极、电子传输层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层、金属电极，所述电子传输层为TiO₂致密层，所述钙钛矿光吸收层的材料为氯离子掺杂的钙钛矿材料。本发明舍弃了传统敏化太阳能电池中的TiO₂介孔层，简化了器件结构和制备工艺；本发明使用氯掺杂的钙钛矿材料作为光吸收材料，有助于提高薄膜的成膜性，对载流子的扩散及分离也有促进作用；本发明针对透明导电电极以及TiO₂致密层表面处理提出了氧等离子体处理工艺，提高了成膜效果；本发明针对钙钛矿光吸收层的厚度控制问题，采用了逐层旋涂工艺，可以实现调控光吸收层和整体电池的光电性能。
一种平面异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种碳化聚合物点/钙钛矿复合光催化剂、制备方法及其在光催化裂解HI产氢方面的应用-CN202010109916.6有效
发明人：杨柏;赵越;曾庆森;冯唐略 -专利权人：吉林大学
申请日： 2020-02-23 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B01J31/02 文献下载
摘要：一种碳化聚合物点/钙钛矿复合光催化剂、制备方法及其在光催化裂解HI产氢方面的应用，属于光催化技术领域，本发明发现发射黄绿色荧光的碳化聚合物点(CA‑PASA CPDs)具有与MAPbI3钙钛矿匹配的能级，本发明是利用碳化聚合物点表面丰富的基团与钙钛矿复合，并与钙钛矿形成type‑II能级异质结，有效地抽取钙钛矿上的光生空穴，从而提升电荷分离效果，抑制光生电子和空穴的再次复合，提升钙钛矿上电子的寿命，从而进一步提升光催化裂解HI产生氢气的性能，并在负载助催化剂Pt后，复合光催化剂获得了5434.5μmol g‑1h
一种碳化聚合物钙钛矿复合光催化剂制备方法及其光催化裂解 hi 方面应用

[实用新型]一种双TCO异质结钙钛矿叠层光伏电池-CN201821588614.6有效
发明人：黄信二;郑佳毅 -专利权人：研创应用材料（赣州）股份有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：一种双TCO异质结钙钛矿叠层光伏电池，包括从上往下依次连接的正面金属导线层、正面非晶结构透明导电保护膜层、透明导电窗口层、空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层、异质结(HJT)电池多层膜结构层以及背面金属导线层
非晶结构钙钛矿异质结金属导线层保护膜层光伏电池透明导电叠层电池透明导电窗口层上透明导电膜电子传输层多层膜结构空穴传输层透明导电膜氧化铟锡锌短路电流高稳定性进入组件使用寿命新型电池氧化铟锌依次连接转换效率高透光吸光层吸收层水气成膜氧气阻隔背面

[发明专利]一种同质结钙钛矿光电探测器及其制备方法和用途-CN202010304320.1在审
发明人：吴丹;王恺;刘皓宸;李文辉;昂科科觉 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L31/0248 文献下载
摘要：本发明涉及一种同质结钙钛矿光电探测器及其制备方法和用途，所述同质结钙钛矿光电探测器中包含相邻设置的N型钙钛矿薄膜和P型钙钛矿薄膜，位于所述N型钙钛矿薄膜背对所述P型钙钛矿薄膜的一侧依次设置的电子传输层和透明导电衬底，以及位于所述P型钙钛矿薄膜背对所述N型钙钛矿薄膜的一侧依次设置的空穴传输层和金属电极，本发明所述光电探测器基于同质结钙钛矿的优化，使得其内部形成内建电场，内建电场和外加电场方向相同，其共同作用，进而加强光生电子空穴对的分离和加速载流子输运
一种同质结钙钛矿光电探测器及其制备方法用途

[发明专利]一种直径可控的管状单晶钙钛矿氧化物薄膜及其制备方法-CN202111293188.X在审
发明人：王琪翔;何斌;吕伟明;石超群;张昌文;颜世申 -专利权人：哈尔滨工业大学;济南大学
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明属于微纳米尺度的柔性电子器件技术领域，具体涉及一种直径可控的管状单晶钙钛矿氧化物薄膜及其制备方法。所述管状单晶钙钛矿氧化物薄膜具有三维管状结构；所述三维管状结构通过衬底、柔性有机物支撑层和粘附在柔性有机物支撑层表面的管状钙钛矿氧化物薄膜组成。本发明选用水蒸气让钙钛矿结构的水溶性牺牲层缓慢溶解，实现薄膜出现微纳米裂纹。在显微镜中观察氧化物薄膜裂纹形成至整个薄膜，这利于后面管状结构的形成和控制。本发明通过改变单晶钙钛矿氧化物薄膜的厚度、单晶钙钛矿氧化物异质结构的组成结构、单晶钙钛矿氧化物异质结构的层数（从单层到多层）及单晶衬底种类，能够实现控制自支撑单晶钙钛矿氧化物薄膜的管状结构及直径。
一种直径可控管状单晶钙钛矿氧化物薄膜及其制备方法

[发明专利]一种基于介孔无机空穴传输材料的钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201810930865.6在审
发明人：张文华;吴义辉;陈雨;张志群 -专利权人：四川省新材料研究中心;鞍山七彩化学股份有限公司
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于介孔无机空穴传输材料的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，太阳能电池由下至上依次包括导电玻璃层，致密空穴传输层，介孔空穴传输层，钙钛矿吸光层，电子传输层，空穴阻挡层和对电极层。本发明将传统介观结构钙钛矿电池中的电子传输层和空穴传输层位置互换，在超薄致密的空穴材料和钙钛矿材料之间制备一层介孔空穴材料，得到一种具有双层空穴传输层的倒置介观结构器件，不仅可以解决平面异质结钙钛矿太阳能电池载流子输运效率差
钙钛矿空穴传输层太阳能电池介孔空穴传输材料介观结构制备致密电子传输层空穴材料有机空穴传输材料电子传输材料光电转化性能导电玻璃层钙钛矿材料空穴阻挡层载流子输运对电极层高温制备热稳定性位置互换倒置吸光层异质结正置电池

[发明专利]一种有机半导体/钙钛矿异质结柔性宽光谱光敏场效应管及其制备方法-CN202310172022.5在审
发明人：黄佛保;丁亦洛;刘春晓 -专利权人：西北工业大学太仓长三角研究院;西北工业大学
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10K30/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机半导体钙钛矿异质结柔性宽光谱光敏场效应管及其制备方法，该器件包括柔性衬底、栅电极、绝缘栅介质层、有机半导体沟道层、钙钛矿光敏层、源电极和漏电极，其中，柔性衬底、栅电极、绝缘栅介质层、有机半导体沟道层和钙钛矿光敏层自下而上依次设置，源电极和漏电极设置在有机半导体沟道层上表面左右两侧且钙钛矿光敏层位于源电极和漏电极之间；或者，源电极和漏电极分别嵌入在有机半导体沟道层下端两侧。本发明采用柔性衬底以及与柔性衬底具有兼容性的各个功能层，使光敏场效应管具备了良好的机械柔韧性，采用的高迁移率有机沟道材料和高光电转换效率钙钛矿材料，使器件呈现出典型的场效应特性和宽光谱光信号放大功能。
一种有机半导体钙钛矿异质结柔性光谱光敏场效应及其制备方法

[发明专利]砷化镓与钙钛矿异质结太阳能电池及其制作方法-CN201811270101.5有效
发明人：罗轶;李琳琳;宋士佳 -专利权人：紫石能源有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本发明提供了一种砷化镓与钙钛矿异质结太阳能电池及其制作方法。该电池包括N型砷化镓半电池和位于N型砷化镓半电池上方的P型钙钛矿半电池，N型砷化镓半电池从下至上依次包括衬底、N型砷化镓层和砷化镓吸收层；P型钙钛矿半电池从下至上依次包括钙钛矿吸收层、空穴传输层和电极层与此同时，P型钙钛矿太阳能半电池具有吸光系数强、载流子迁移距离长、电池电压高等优势，能进一步提高砷化镓太阳能电池光电转化效率。
砷化镓钙钛矿异质结太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种有机-无机杂化钙钛矿单晶异质结、制备方法及其用途-CN202210280510.3在审
发明人：罗军华;王紫阳;姬成敏;张馨元 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机‑无机杂化钙钛矿单晶异质结和制备方法及其用途。一种有机‑无机杂化钙钛矿单晶异质结，所述的有机‑无机杂化钙钛矿单晶异质结由单晶硅片及在所述的单晶硅片表面外延生长的有机‑无机杂化钙钛矿铅氯甲胺单晶。本发明制备出了CH3NH3PbCl3/Si异质结，制备方法简单，成本低廉、反应条件温和此外，利用CH3NH3PbCl3单晶异质结与硅基之间形成异质结之后的内建电场即该异质结不需要外加电压便可自驱动紫外光电探测。开发制备所得的自驱动紫外光电探测器因不需要外加电源，可实现能源节约以及所制备小型化器件，因此实现自驱动的紫外光电探测具有非常重要的实用价值。
一种有机无机杂化钙钛矿单晶异质结制备方法及其用途