“钙钛矿异质结”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果471010个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种柔性异质结钙钛矿探测器及其制备方法-CN202211335712.X在审
发明人：赵奎;李昊瑾;刘新梅;宋鑫;刘生忠 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H10K30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性异质结钙钛矿探测器及其制备方法，该探测器在柔性基材的两侧分别制备二维钙钛矿材料和三维钙钛矿材料，使得二维钙钛矿材料和三维钙钛矿材在交互处形成了异质结结构，促进器件构建起一个内建电场，使用异质结结构的X射线探测器可以在自驱动模式下工作，并表现出出色的灵敏度、超低的暗电流和运行稳定性。半导体在辐射条件下产生光电子‑空穴对，随后由异质结引起的内置电场加速了光电子‑空穴对的分离和光电子的定向移动。通过搭配不同组分的钙钛矿前驱体溶液在探测器内部构建内建电场结构，改善了器件的电荷传输性能，并在无外加电场的驱动下获得了291.82μC·Gy‑1·cm
一种柔性异质结钙钛矿探测器及其制备方法

[发明专利]基于IGZO/钙钛矿异质结的光电器件及制备方法-CN202310413168.4在审
发明人：胡伟 -专利权人：湖南大学
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明提供一种基于氧化铟镓锌(IGZO)/钙钛矿异质结的宽光谱光电器件及其制备方法，所述方法具体包括S1:对玻璃衬底进行表面清洗；S2:对玻璃衬底进行紫外线处理；S3:采用溶液法在清洗处理好的玻璃衬底上生长钙钛矿MAPbI3薄膜；S4:磁控溅射金电极；S5:以制备好的钙钛矿器件为衬底,通过溶液法旋涂生长IGZO纳米晶薄膜层，由此得到所述基于IGZO/钙钛矿异质结的光电器件根据本发明提供的制备方法无需昂贵的设备和苛刻的生长环境，在低温情况下即可制备IGZO薄膜和钙钛矿薄膜，其制备得到的光电器件具备更宽的探测光谱波长范围。
基于 igzo 钙钛矿异质结光电器件制备方法

[发明专利]一种全无机钙钛矿层及其制备方法和应用-CN201910290507.8在审
发明人：崔义乾;唐泽国;张倩 -专利权人：北京宏泰创新科技有限公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种全无机钙钛矿层，在所述全无机钙钛矿层中掺杂有铵盐类的稳定剂，有效的抑制了钙钛矿材料中离子的迁移，维持了钙钛矿相的稳定。本发明还公开了一种掺杂有稳定剂的钙钛矿层的制备方法和应用，通过掺杂本发明中的稳定剂，提高了钙钛矿单结太阳能电池和钙钛矿/硅异质结叠层太阳能电池的稳定性，进一步提高了光电转换效率，最高可达25.04％。
稳定剂无机钙矿层制备方法和应用掺杂钙钛矿单结太阳能电池叠层太阳能电池光电转换效率钙钛矿材料钙钛矿层钙钛矿相硅异质结铵盐类离子迁移

[发明专利]一种高性能薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法-CN201910279989.7在审
发明人：田汉民;方国川;常卫洪 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明一种钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，是一种具有电子阻挡结构层的钙钛矿异质结太阳电池，由透明导电薄膜、由致密二氧化钛构成的电子传输层、钙钛矿光吸收层、电子阻挡结构层、P型薄膜晶硅层和铝背电极构成，其中，在P型晶硅薄膜层与钙钛矿光吸收层之间加由P型氧化镍组成的电子阻挡结构层，钙钛矿光吸收层与电子阻挡结构层具备相匹配的能级。本发明克服了现有技术中的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池可能存在的漏电流和内部短路的缺陷，以及串联电阻影响效率的问题，还可以起到保护电池提高稳定性的作用。
一种性能薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p－n结及制备方法-CN200710099092.3无效
发明人：张铭;陆然;代红云;严辉;王波;宋雪梅 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2007-05-11 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p－n结及制备方法属于半导体材料制造领域。本发明首次采用磁控溅射法制备出钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p－n结。该p－n结的结构为Si(100)单晶基片(1)衬底，Pt电极层(2)、ZnO薄膜(3)、及LSMO薄膜(4)。本发明制备的LSMO/ZnO p－n结不仅在40－320K的温度范围内都具有优异的整流特性，解决了现有技术利用PLD成本高，不利于应用于大规模工业生产的问题。本发明方法所获得的钙钛矿结构镧锰氧化物异质p－n结在自旋电子器件领域具有良好的应用潜能。
钙钛矿结构氧化物氧化锌制备方法

[发明专利]钙钛矿/硅异质结叠层太阳能电池及其制备方法-CN202310729455.6在审
发明人：王永磊;刘童;何博;徐希翔 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本申请提供一种钙钛矿/硅异质结叠层太阳能电池及其制备方法。其中，制备方法包括以下步骤：制备硅异质结底电池，在所述硅异质结底电池的一侧依次制备复合层、空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层和前透明导电层，将制备得到的叠层太阳能电池进行控温，提供热源使所述前透明导电层至少部分晶化本申请的制备方法，通过加热前透明导电层，同时对硅异质结底电池和钙钛矿吸收层进行控温，使得可以在不影响硅叠层电池基底的基础上，使前透明导电层的材料达到晶化，从而提升前透明导电层的材料的光学性能与电学性能，
钙钛矿硅异质结叠层太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池-CN201920262664.3有效
发明人：况亚伟;刘玉申;倪志春;魏青竹;王书昶;张德宝;马玉龙;杨希峰;冯金福 -专利权人：常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池，包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底的第一面设置n型硅纳米柱周期阵列结构，n型单晶硅衬底的第二面设置金属背电极，n型硅纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构，n型硅纳米柱和钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体，n型单晶硅衬底的第一面及轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜，透明导电薄膜引出导电电极与金属背电极对外供电。本实用新型利用光子在纳米柱阵列中的多次折射散射提高器件太阳能波段的光子吸收效率，同时结合轴向异质结载流子收集效率高的特点，提高器件性能。
纳米柱钙钛矿衬底周期阵列结构异质结透明导电薄膜本实用新型硅基异质结金属背电极太阳能电池表面设置轴向柱体载流子收集效率光子吸收效率纳米柱阵列导电电极器件性能上下对齐第二面结合轴波段散射光子太阳能折射供电

[发明专利]一种基于高质量钙钛矿异质结的太阳能电池及制备方法-CN201610905538.6有效
发明人：张跃;李明华;闫小琴 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于高质量钙钛矿异质结的太阳能电池及制备方法。所述钙钛矿电池包括：衬底、透明电极、电子传输层、多孔骨架、吸光层、空穴传输层、对电极。在制备有机金属卤化物吸光层时，采用原位溶液合成法，在第一层致密金属卤化物薄膜上通过反溶剂处理形成多孔结构，为卤化胺溶液提供渗透通道，提高钙钛矿晶相转化效率，与多孔骨架形成高质量异质结。本发明制备的钙钛矿电池可使效率从10%提升到15%，发明方法效果明显，制备过程简单易行，具有极大的应用潜力。
一种基于质量钙钛矿异质结太阳能电池制备方法

[实用新型]一种光转化效率高的两端钙钛矿异质结晶硅叠层太阳能电池-CN202022449776.5有效
发明人：徐成;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：深圳黑晶光电技术有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光转化效率高的两端钙钛矿异质结晶硅叠层太阳能电池。该光转化效率高的两端钙钛矿异质结晶硅叠层太阳能电池包括异质结硅太阳能电池作为底电池、隧穿层以及基于pin结构的钙钛矿太阳能电池的顶电池；所述异质结硅太阳能电池的结构从下往上依次包括金属底电极、透明导电层本实用新型的叠层太阳能电池基于高效率异质结太阳电池制备，制备工艺简单，成本低廉、光转换效率高，非常具有大规模商业化前景。
一种转化效率两端钙钛矿异质结晶硅叠层太阳能电池

[发明专利]氧化镓保护层梯度体异质结钙钛矿太阳电池及其制备方法-CN201810076906.X有效
发明人：方国家;马俊杰 -专利权人：武汉大学
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于氧化镓保护层的倒置梯度体异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法。所述的钙钛矿电池是由透明导电衬底、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层和金属电极组成的。本发明还使用非富勒烯材料IDIC溶解到绿色环保溶剂乙酸乙酯中，制备出梯度异质结钙钛矿薄膜，有效钝化钙钛矿的缺陷，提升器件性能，减轻薄膜制备的毒性环境。
氧化保护层梯度体异质结钙钛矿太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种基于碘化亚铜/钙钛矿体异质结的太阳能电池及制备方法-CN201611103654.2在审
发明人：张海良;曹丙强;邱智文 -专利权人：济南大学
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明属于钙钛矿太阳能电池制备技术领域，特别涉及一种高性能钙钛矿体异质结太阳能电池的制备方法。通过把碘化亚铜溶于碘化铅和氯化铅的N,N‑二甲基甲酰胺（DMF）溶液中形成前驱体,采用两步旋涂成膜法制备钙钛矿体异质结。首先将前驱体溶液旋涂到氟掺杂氧化锡玻璃（FTO玻璃）上，然后滴加碘甲胺（MAI）的异丙醇溶液，从而获得了具有高结晶性、大尺寸的钙钛矿晶粒与碘化亚铜晶粒形成的体异质结，提高了吸光层的吸光度，加速了空穴的传输与光生载流子的分离本发明的制备方法与传统的介孔或平面钙钛矿电池相比，工艺简单、易操作，特别适合制备大批量、低成本的太阳能电池。
一种基于碘化矿体异质结太阳能电池制备方法

[发明专利]一种锡（II）基钙钛矿混合体异质结薄膜、制备方法及光电探测器-CN202310168443.0在审
发明人：杨盛谊;张珍衡 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10K30/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种二价锡(II)基钙钛矿混合体异质结薄膜、制备方法及光电探测器，属于无毒无机钙钛矿材料、光电探测器材料和器件技术领域。所述混合体异质结薄膜由稳定性优良的FA1‑xCsxSnBr3锡基钙钛矿材料和通过锡基钙钛矿材料FA1‑xCsxSnBr3与PVK混合，并通过优化其掺杂的摩尔比，最终得到了有利于光生载流子产生和传输的体异质结薄膜。将本发明所述的混合体异质结薄膜作为锡基钙钛矿光电探测器的有源层制备的光电探测器具有优异的性能。
一种 ii 基钙钛矿混合体异质结薄膜制备方法光电探测器

[发明专利]一种窄带光电探测器及其制备方法-CN201910575173.9有效
发明人：秦梓伦;赵谡玲;宋丹丹;乔泊;徐征 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种窄带光电探测器，包括：透明基底1、阳极2、阳极修饰层3、钙钛矿光过滤层4、有机给受体平面异质结光吸收层5、阴极修饰层6和阴极7；透明基底1上设置有阳极2，阳极2上设置有阳极修饰层3，阳极修饰层3上设置有钙钛矿光过滤层4，钙钛矿光过滤层4上设置有有机给受体平面异质结光吸收层5，有机给受体平面异质结光吸收层5上设置有阴极修饰层6，阴极修饰层6上设置有阴极7。本发明通过调节钙钛矿的卤素成分比例和选用具有不同吸收光谱的有机材料来实现对不同波段的窄光探测。同时，本发明的产品具有响应时间快、光谱响应可调、容易加工制备等优点，具有重要的应用前景。
一种窄带光电探测器及其制备方法

[发明专利]二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器及其制备方法-CN202210058299.0有效
发明人：陈秋兰;赖浩杰;谢伟广;周洋;刘虔铖;金浩宇;庞娜娜;郭静玉 -专利权人：广东食品药品职业学院;暨南大学
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及半导体光电子技术领域，具体地，公开了一种二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器及其制备方法。该二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器包括:导电衬底，所述导电衬底位于最下层；第一电介质层，所述第一电介质层位于所述导电衬底的上表面；光敏浮栅层，所述光敏浮栅层设于所述第一电介质层的上表面，所述光敏浮栅层为具有超晶格结构的二维钙钛矿单晶纳米片该二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器，可以实现低功耗编程且高数据存储。
二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器及其制备方法

[发明专利]一种新型无铅P-N结甲胺碘铅钙钛矿电池的制备方法-CN201510358528.0在审
发明人：马给民;保罗·比蒂;陈浩 -专利权人：东莞日阵薄膜光伏技术有限公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明属于钙钛矿光伏电池领域，公开了一种无铅P-N结甲胺碘铅及其衍生物钙钛矿电池，包括基板、透明电极、N型甲胺碘铅及其衍生物钙钛矿半导体薄膜、P型甲胺碘铅及其衍生物钙钛矿半导体薄膜、后电极。本发明通过钙钛矿半导体薄膜间形成的P-N同质结或异质结，有利于受光激发产生的电子-空穴对的有效分离和传输，同时依靠无铅甲胺碘铅及其衍生物钙钛矿半导体自身的长寿命载流子，可实现电池的高光电转换效率。此外，本发明无需制备空穴传输层，从而简化了现有钙钛矿电池的制备工艺，降低了制备成本；也无需大量使用金属Pb，有利于绿色、环保的产业化进程。
一种新型结甲胺碘铅钙钛矿电池制备方法