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[发明专利]一种高白度氧化锌导电粉体及其钆离子掺杂制备方法-CN202310662044.X在审
发明人： 马剑钢;李鹏;徐海阳;刘益春 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高白度氧化锌导电粉体及其钆离子掺杂制备方法。所述高白度氧化锌导电粉体的制备方法包括如下步骤：S1、配制锌离子与掺杂剂离子的混合溶液；掺杂剂离子为钆离子与铝离子、镓离子、铟离子和锡离子中至少一种的混合物；S2、配制碱性沉淀剂的水溶液；S3、将水溶液加入至混合溶液中，至pH值为6.5～9；S4、静置后得到悬浊液，将悬浊液进行离心分离，得到固体粉末；S5、固态粉末依次进行高温空气预烧结和还原性气氛烧结即得。本发明实现了稀土离子掺杂抑制金属氧化物粉体材料中氧空位缺陷的形成，解决了传统金属氧化物导电粉体白度低的问题。
一种高白度氧化锌导电及其离子掺杂制备方法

[发明专利]一种导电氧化锌粉体及其制备方法-CN202111552570.8在审
发明人： 马剑钢;张艺佳;李鹏;刘益春 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种导电氧化锌粉体及其制备方法，涉及导电粉体材料的技术领域，其包括：将锌源、掺杂元素源和氧化物粉体配置成悬浊液；将所述悬浊液进行喷雾干燥，得到前驱体；将所述前驱体烧结，得到导电氧化锌粉体。本申请改善了现有制备方法不够环保的问题，同时简化了制备工艺，提高了制备效率，有利于大规模生产和商业化。
一种导电氧化锌粉及其制备方法

[发明专利]一种检测tet(X)基因及其同源基因的简并引物对及其方法-CN202310421839.1在审
发明人：刘璨颖;黄雨婷;马剑钢;唐标;关椿久;杨华;乐敏;赵国屏 -专利权人：佛山科学技术学院
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C12Q1/686 文献下载
摘要：本发明属于分子生物学领域，具体公开了一种检测tet(X)基因及其同源基因的简并引物对及其方法，该简并引物是基于tet(X)基因及其同源基因的多序列比对设计的，具有较好的特异性和敏感性；通过PCR参数的优化，建立了快速检测tet(X)基因及其同源基因的PCR方法，多次重复证明，该方法快速，灵敏，并可实现一对引物检测多种tet(X)同源基因，检测成本低、耗时短、普适性好。为耐药基因的流行性调查提供高效、可靠的方法。
一种检测 tet 基因及其同源引物方法

[发明专利]一种氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器及其制备方法-CN202011212839.3有效
发明人：刘益春;卞万朋;李炳生;王月飞;马剑钢;徐海阳 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器及其制备方法，包括以下步骤：步骤1、SnO2微米线的生长制备；步骤2、利用步骤1中所得SnO2微米线制备异质结光电探测器。本发明氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器，并测试了其光电性能，该器件具有响应度高、响应速度快、稳定性好，响应光谱宽（响应波长区间：200‑350纳米）等特点，所以本发明设计的PEDOT:PSS/SnO2异质结光电探测器件具有重要的研究和应用价值。
一种氧化结宽谱紫外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种低温热退火提高金属氧化物导电粉体稳定性的方法-CN202211390144.3在审
发明人：李鹏;马剑钢;王圣玉;徐可亮;刘益春 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温热退火提高金属氧化物导电粉体稳定性的方法。所述方法包括如下步骤：S1、将金属氧化物导电粉体置于惰性气氛中，并加热；S2、向所述金属氧化物导电粉体所处的环境中通入NF3与惰性气体的混合气体，保温后，停止通入所述NF3并持续通入所述惰性气体，停止加热并降温即实现对所述金属氧化物导电粉体的稳定性的提高。本发明方法实现了氟和氮原子钝化金属氧化物粉体材料中存在的氧空位缺陷，这是对以往制备金属氧化物导电粉体方法的改进。本发明方法中，氟和氮原子填补氧空位缺陷后，可以改善金属氧化物导电粉体长期存储稳定性，还能够提高金属氧化物导电粉体的白度。
一种温热退火提高金属氧化物导电稳定性方法

[发明专利]一种二硫化锡/金复合催化剂及其制备方法和应用-CN202010878130.0有效
发明人：李炳生;付荣鹏;邵长路;王月飞;马剑钢 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明涉及光催化剂技术领域，本发明提供了一种二硫化锡/金复合催化剂，包括纳米二硫化锡和修饰于所述纳米二硫化锡表面的纳米金。本发明选用在可见光区具有强烈的局域表面等离子体共振特性的纳米金对纳米二硫化锡表面进行修饰，对可见光能够产生强烈的散射和吸收作用，提高了二硫化锡/金复合催化剂对可见光利用效率，从而提升了以二硫化锡为主要催化成分复合催化剂的催化能力。实施例结果表明，利用本发明提供的催化剂对有机物进行降解时，15min内，可将甲基橙溶液中的甲基橙的浓度降解至原浓度的10％以下，对有机物的降解能力达到90％以上。
一种硫化复合催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种高结晶质量聚吡咯导电薄膜及其制备方法-CN202011452642.7有效
发明人：李炳生;卞万朋;王月飞;马剑钢;刘益春 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2020-12-12 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C08G73/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种高结晶质量聚吡咯导电薄膜及其制备方法，包括以下步骤：步骤1、配制质子酸溶液，溶剂使用去离子水；步骤2、称取氧化剂溶解于上述酸溶液中，充分搅拌使其完全溶解；步骤3、取吡咯单体滴入上述溶液中，逐渐可观察到液面有聚吡咯薄膜形成，随着聚合时间的增加，薄膜愈发明显，反应在恒温下进行；步骤4、用洁净的衬底将步骤3生成的薄膜从液面捞出，用去离子水清洗，以除去薄膜表面的反应溶液残留；步骤5、步骤4所得薄膜烘干后即可得到高结晶质量聚吡咯薄膜。
一种结晶质量吡咯导电薄膜及其制备方法

[发明专利]一种双极性/无极性可逆互转型阻变存储器及其制备方法-CN201810286401.6有效
发明人：徐海阳;赵晓宁;范泽莹;王中强;马剑钢;刘益春 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及本发明的一种双极性/无极性可逆互转型阻变存储器及其制备方法，包括SiO2衬底，设置于SiO2衬底上的惰性金属底电极，设置于底电极上的MoS2阻变介质层，设置于MoS2阻变介质层上的活性金属顶电极。本发明解决现有阻变存储器只能实现双极性与单极性永久互转的问题，进而拓展器件在高密度存储领域应用。
一种极性可逆转型存储器及其制备方法

[发明专利]一种用于光刻机的集成紫外全介质超透镜组-CN202210066372.9在审
发明人：梁中翥;史晓燕;徐海阳;刘益春;马剑钢;孟德佳;秦正;杨福明;刘华 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于光刻机的集成紫外全介质超透镜组，它包括：第一亚波长阵列结构、透明基板、第二亚波长阵列结构；所述的第一亚波长阵列结构与第二亚波长阵列结构设置在透明基板的相对两侧；两个亚波长阵列结构由多个单元结构阵列形成；单元结构长和宽均小于工作波长；亚波长阵列结构会聚光线。一个超透镜组，还包括两个超透镜，分别为第一超透镜与第二超透镜；第一超透镜和第二超透镜均为亚波长阵列结构；第一超透镜与第二超透镜集成在同一透明基板两侧；第一超透镜与第二超透镜的直径比设计为4:1；实现了具有缩束功能的集成紫外全介质超透镜组，超透镜组减少了紫外系统的镜片数量，透过率高、能量损失小，加工工艺较简单。
一种用于光刻集成紫外介质透镜

[发明专利]一种紫外全介质超透镜-CN202210066373.3在审
发明人：梁中翥;史晓燕;徐海阳;刘益春;马剑钢;秦正;孟德佳;杨福明;刘华 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G02B13/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外全介质超透镜，它包括：基板、亚波长阵列结构；亚波长阵列结构设在明基板一侧；亚波长阵列结构由多个单元结构阵列形成；所述的透明基板与亚波长阵列结构均采用紫外波段的高透过率的材料；亚波长阵列结构通过改变单元结构尺寸，以及通过基于P‑B相位原理或传输相位原理，通过改变单元结构尺寸或改变相同尺寸的单元结构的角度，实现对相位的调控；本发明实现了紫外波段单波长超表面透镜，减少了紫外系统的镜片数量，透过率高、能量损失小，加工工艺较简单；解决了紫外系统造价高、系统复杂和加工工艺复杂的问题。
一种紫外介质透镜

[发明专利]一种紫外全介质超透镜组-CN202210067230.4在审
发明人：梁中翥;史晓燕;徐海阳;刘益春;马剑钢;秦正;孟德佳;杨福明;刘华 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外全介质超透镜，它包括：透明基板、亚波长阵列结构；所述的亚波长阵列结构与透明基板连接；亚波长阵列结构由多个单元结构阵列形成；单元结构的长和宽均小于工作波长。一种紫外全介质超透镜组，还包括两个一种紫外全介质超透镜，分别为：第一全介质超透镜与第二全介质超透镜；第一全介质超透镜与第二全介质超透镜的直径比设计为4:1；第一全介质超透镜与第二全介质超透镜的焦点重合；光线依次经过第一全介质超透镜与第二全介质超透镜后，呈平行光出射；本发明实现了紫外波段单波长超表面透镜，组成的紫外全介质超透镜组，具有缩束功能，并减少了紫外系统的镜片数量，透过率高、能量损失小，加工工艺较简单。
一种紫外介质透镜

[发明专利]一种PPy/SnO2异质结、其应用、其制备方法及光电探测器-CN202010378585.6有效
发明人：李炳生;卞万朋;马剑钢;徐海阳;刘益春 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种PPy/SnO2异质结、其应用、其制备方法及光电探测器，包括以下步骤：SnO2微米线的生长制备；PPy导电薄膜的制备；PPy/SnO2异质结的制备。本发明制得的光电探测器中SnO2是N型材料，PPy是P型材料，两种材料结合，经过电学特性测试，器件具有很好的整流效果，在界面处形成了很好的PN结结构，界面特性比较好。
一种 ppy sno2 异质结应用制备方法光电探测器

[发明专利]超构材料吸波体长波红外焦平面-CN202110796801.3在审
发明人：梁中翥;秦正;徐海阳;孟德佳;侯恩柱;杨福明;马剑钢;刘益春 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种超构材料吸波体长波红外焦平面，包括：谐振器层、介质层、金属层；所述的谐振器层为谐振器阵列亚波长周期性结构，产生等离激元谐振，为金属或类金属材料；等离激元谐振为传播型表面等离激元谐振或局域型表面等离激元谐振；采用相应的谐振器形状和结构尺寸来实现宽带吸收，窄带吸收，多波长吸收，偏振选择吸收等功能。将超材料吸波体集成在红外焦平面上不仅可以提高其吸收率，还可以为红外焦平面带来更多的功能。
材料体长红外平面

[发明专利]一种氧化铟微米线与八面体氧化铟微米颗粒的制备方法-CN202110451785.4在审
发明人：李炳生;张莹秋;王月飞;付荣鹏;马剑钢;刘益春 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化铟微米线与八面体氧化铟微米颗粒的制备方法，步骤1、将氧化铟粉和石墨粉按照一定质量比例混和，充分研磨使其混合均匀制得混合粉末；步骤2、取步骤1中所述混合粉末放入第一耐高温反应容器中，将带有光滑平面的洁净衬底固定在第一耐高温反应容器正上方，然后将盛有混合粉末和衬底的第一耐高温反应容器放入洁净的第二耐高温反应容器中，置于管式炉生长区域，两边接入气路；步骤3、向第二耐高温反应容器中通入保护气充当载气，以恒定速率升温至反应温度，到达反应温度后通入反应气体，反应一定时间后降温，待冷却到室温后，取出第一耐高温反应容器，即可在第一耐高温反应容器内壁和衬底表面分别得到氧化铟微米线和微米颗粒。
一种氧化微米八面体颗粒制备方法

[发明专利]一种利用阵列缓冲层制备高质量半导体单晶薄膜的方法-CN202110086308.2在审
发明人：李炳生;宋东雨;王月飞;付荣鹏;马剑钢;刘益春 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C30B25/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用阵列缓冲层制备高质量半导体单晶薄膜的方法，包括以下步骤如下：步骤1、清洗衬底；步骤2、制备阵列缓冲层；步骤3、制备半导体薄膜。本发明溅射出的靶材粒子有较高的能量，与衬底的附着性较好，可在较低温度甚至室温下形成薄膜，可在一些特殊衬底材料上实现低温下薄膜的沉积。
一种利用阵列缓冲制备质量半导体薄膜方法

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