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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]通孔脉冲电镀液及通孔脉冲电镀涂覆方法-CN202111217225.9在审
发明人：张之勇;罗东明 -专利权人：广州市慧科高新材料科技有限公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本发明提供一种通孔脉冲电镀液，包括：60‑80g/L的铜离子；200‑250g/L的酸；40‑100mg/L的氯离子；0.05‑20mg/L的光亮剂；50‑4000mg/L的润湿剂。通过电镀液与脉冲电镀技术相结合实现对PCB通孔的电镀达到超过100％的深镀能力，对于纵横比超过12：1，板厚超过3mm的线路板能够获得更加优异的深镀能力。
脉冲电镀方法

[发明专利]通孔结构的制备方法和缩小通孔尺寸的方法-CN202011193994.5在审
发明人：过奇钧;左正笏;钱虓;孟凡涛 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种通孔结构的制备方法和缩小通孔尺寸的方法。半导体结构的一侧具有基底；在半导体结构的远离基底的一侧中形成凹槽；在具有凹槽的半导体结构的表面覆盖薄膜沉积材料，部分薄膜沉积材料位于凹槽表面；对薄膜沉积材料和半导体结构进行各向异性刻蚀，以形成贯穿至基底的通孔，剩余的薄膜沉积材料环绕与凹槽对应的通孔。本发明的上述制备方法中通过上述薄膜沉积材料能够实现通孔的进一步缩小以及精确控制；并且，本发明的上述制备方法是在原有工艺上进行的改进，工艺简单易于实施，且本发明的上述薄膜沉积材料环绕通孔，能够用于降低刻蚀电浆引起氧化层缺陷伤害
结构制备方法缩小尺寸

[发明专利]硅通孔结构和硅通孔结构的制作方法-CN202211382044.6在审
发明人：阮勇;周峥;尤政;赵晓光;宋志强 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种硅通孔结构和硅通孔结构的制作方法，硅通孔结构至少包括衬底、绝缘层和导电层。绝缘层形成在衬底通孔的内壁上，具有第一凹陷部的导电层形成在绝缘层上。在硅通孔结构内部温度升高而产生热应力时，通过第一凹陷部中的第一应力分散部对热应力进行分散，缓解了硅通孔结构因热失配而产生的翘曲问题，提升了硅通孔结构的稳定性。
硅通孔结构制作方法

[发明专利]具有通孔或非通孔的配线板及其制造方法-CN200810003749.6有效
发明人：关根重信;关根由莉奈 -专利权人：纳普拉有限公司
申请日： 2008-01-22 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：这里提供一种具有通孔或非通孔的配线板及其制造方法。该配线板包括具有孔的衬底。在孔中形成金属配线。该配线由熔点为100到600℃的焊料合金制成，并且该金属配线包括焊料合金的多晶区域。
具有非通孔线板及其制造方法

[发明专利]一种PCB板通孔加工方法及通孔结构-CN201210379432.9有效
发明人：李义;朱兴旺;谈州明 -专利权人：杭州华三通信技术有限公司
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种PCB板通孔加工方法及通孔结构。针对现有方案中压接器件在PCB板通孔内对压后，其通孔内产生较大的寄生电容，进而影响PCB板内高速信号质量的情形。本发明通过对PCB板的通孔结构进行改造，将之加工成“哑铃型”结构。使得压接器件在PCB板上对压后，由于压接引脚间空置孔径较现有方案中通孔孔径要小很多，因而产生的寄生电容非常小，PCB信号质量得以改善。本发明同时提供了一种加工该“哑铃型”通孔结构的加工方法。
一种 pcb 板通孔加工方法结构

[发明专利]刻蚀形成硅通孔的方法与硅通孔刻蚀装置-CN201510318240.0有效
发明人：李俊良;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀形成硅通孔的方法与硅通孔刻蚀装置。其中的在硅基片的背面刻蚀形成硅通孔的方法，包括：将硅基片以背面朝上的方式放置于等离子体刻蚀装置的反应腔中，所述硅基片背面的硅材料层的上方形成有硬掩膜层，所述硬掩膜层上方形成有光刻胶图案；以所述光刻胶图案为掩模，刻蚀所述硬掩膜层，以形成硬掩膜图案；去除残余的光刻胶图案；以所述硬掩膜图案以掩模，刻蚀下方的硅材料层，以初步形成硅通孔；去除残余的硬掩膜图案；全局刻蚀所述硅材料层；将硅基片移出所述反应腔。
刻蚀形成硅通孔方法装置

[发明专利]一种通孔生成方法及通孔生成系统-CN201811546656.8有效
发明人：邹志博 -专利权人：上海安路信息科技有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供的通孔生成方法包括：输入自定义参数，对所述自定义参数进行赋值判断和计算，再对系统参数进行赋值，对所述自定义参数进行循环判断，判断是否进行循环处理，所述循环处理过程中，将所述自定义参数和所述系统参数代入列表生成公式所述通孔生成方法对所述自定义参数进行赋值判断并对所述系统参数赋值后，对所述自定义参数进行所述循环判断，以进行所述循环处理，从而生成多种所述列表，修改一个所述输入值，整体生成的所述列表就会发生变化，进而实现对版图的修改本发明还提供了实现所述通孔生成方法的通孔生成系统。
一种生成方法系统

[发明专利]密集条形通孔冲压方法及密集条形通孔冲压设备-CN201911281461.X有效
发明人：张军建;刘新艳;张子良;刘志红 -专利权人：青岛海尔智慧厨房电器有限公司;海尔智家股份有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： B21D28/26 文献下载
摘要：本发明提供一种密集条形通孔冲压方法及密集条形通孔冲压设备，涉及板材冲压技术领域，其中密集条形通孔冲压方法包括：将板材夹持固定在夹持装置上；对板材进行半冲孔，形成沿第一方向等间隔排列的多个条形盲孔；对位于相邻的条形盲孔之间的区域进行全冲孔，形成多个第一条形通孔，第一条形通孔与条形盲孔交替间隔排布；对多个条形盲孔进行全冲孔，每个条形盲孔对应形成一个第二条形通孔。本发明通过分批次冲压形成第一条形通孔和第二条形通孔，以及先进行半冲孔、后进行全冲孔的方式，降低了条形通孔变形或扭转的风险，解决了现有技术中密集条形通孔冲压效果差的问题。
密集条形冲压方法设备

[发明专利]硅导通孔的制造方法与硅导通孔结构-CN200910002977.6无效
发明人：王庆钧;吴岱原;陈佑升;林哲歆 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-01-23 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种硅导通孔的制造方法与硅导通孔结构，其中硅导通孔结构包括硅衬底、环状电容、导电通孔、低介电常数材料层以及凸块。导电通孔是位于环状电容所围绕的硅衬底中，而低介电常数材料层则位于环状电容与导电通孔之间。至于凸块是与导电通孔相接触，以利于与其他芯片做接合。
硅导通孔制造方法结构

[发明专利]玻璃通孔基板的填孔方法-CN202211238203.5在审
发明人：陈筱儒;刘埃森;冯祥铵;陈亚理 -专利权人：晶呈科技股份有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种玻璃通孔基板的填孔方法，使用金属球填入玻璃通孔基板的多个通孔中，再通过加热制程来熔融多个金属球以产生液态金属，最后冷却液态金属在多个通孔内形成固态金属。由于无需使用溶剂或助焊剂，因此多个通孔内的固态金属具有较佳的导电性能。
玻璃通孔基板方法

[实用新型]陶瓷基板自动检孔通孔设备-CN201921688361.4有效
发明人：李绍东 -专利权人：东莞市国瓷新材料科技有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： B07C5/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种陶瓷基板自动检孔通孔设备，包括有机架、输送装置、检孔装置以及通孔装置；该输送装置设置于机架上；该检孔装置设置于机架上并位于输送装置的上方；通孔装置设置于机架上并位于输送装置的上方，并且通孔装置位于检孔装置的后方通过设置有检孔装置和通孔装置，并配合输送装置使得检孔通孔变为自动化过程，不仅节省人工检查的时间，还可以节省通孔的时间，且检孔精度也更高，提升了制程良率，同时减少了后制程检查漏出的风险。
陶瓷自动检孔通孔设备

[实用新型]无通孔孔内齿专用机-CN95208391.4无效
发明人：陈天德 -专利权人：陈天德
申请日： 1995-04-20 - 公布日： 1996-01-03 - 主分类号： B23F17/00 文献下载
摘要：一种无通孔孔内齿专用机，马达带动前、后偏心轮，使与其相连的连杆分别带动纵向滑座上下动作及后齿轮组转动，纵向滑座上的刀具由下朝上往复切削工件，使碎屑直接掉落，且后齿轮组借一凸面轮的推动，使横向滑座前移，使切削的齿痕加深至适当深度
无通孔孔内齿专用

[发明专利]硅通孔刻蚀方法-CN201310572277.7在审
发明人：尹志尧;许颂临;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一硅通孔刻蚀方法，其中包括多次重复的制程循环步骤，所述制程循环步骤包括刻蚀步骤和侧壁沉积步骤，所述侧壁沉积步骤在各重复执行的制程循环步骤中，执行时间逐次减少。随着制程循环步骤的重复执行，刻蚀深度逐渐变深，制程循环步骤中侧壁沉积步骤的执行时间逐渐变短，通过调整重复执行的制程循环步骤中侧壁沉积步骤的执行时间，随着刻蚀深度的加深，改变刻蚀过程中刻蚀气体和沉积气体的通入量
硅通孔刻蚀方法

[发明专利]硅通孔工艺方法-CN201310557105.2在审
发明人：潘嘉;陈曦;周正良 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-11-11 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅通孔工艺方法，与有源器件的工艺相集成，是在硅片上有源器件制作完成之后，先在硅片上淀积一层金属前介质；然后对硅通孔区域进行刻蚀，然后形成氧化层及淀积钛和氮化钛，再淀积一层金属钨；回刻并再淀积第二层金属钨；进行接触孔刻蚀及金属互连工艺；背面减薄。该方法在不改变现有工艺方法和流程的基础上实现了硅通孔工艺的集成，降低了器件的电阻和电感，提高了RF产品的性能。
硅通孔工艺方法

[发明专利]填充通孔的方法-CN201410200948.1在审
发明人： N·贾亚拉珠;E·H·纳贾尔;L·R·巴尔斯塔德 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种填充通孔的方法。在为基板，例如印刷电路板中的具有通闪镀铜层的孔进行铜电镀的过程中，所述方法抑制或减少了凹陷或孔隙将包含二硫化物化合物的酸溶液施加到基板中的通孔，随后采用包含添加剂，如光亮剂和流平剂的酸性铜电镀浴，用铜填充通孔
填充方法

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