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[发明专利]金属通孔熔丝-CN201210533653.7有效
发明人：林松杰;许国原;廖唯理;陈昀翰;洪哲民 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本文公开的方法和结构的实施例提供了形成和编程金属通孔熔丝的机制。金属通孔熔丝和编程晶体管形成一次性可编程(OTP)存储单元。金属通孔熔丝具有高阻抗并且可以以低编程电压进行编程，这扩展了编程窗口。
金属通孔熔丝

[发明专利]硅通孔刻蚀方法-CN201310347871.6有效
发明人：严利均;栗山宏一;刘身健 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-08-09 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种硅通孔刻蚀方法，包括：提供待刻蚀硅衬底；对所述待刻蚀硅衬底进行刻蚀；在刻蚀过程中，刻蚀气体和侧壁保护气体同时通入等离子体刻蚀腔体，并控制刻蚀腔体压力在高气压阶段和低气压阶段之间交替变化，直至刻蚀完成
硅通孔刻蚀方法

[发明专利]接触通孔刻蚀方法-CN201110299840.9有效
发明人：隋运奇;王新鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-10-08 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种接触通孔刻蚀方法，由于在栅极区上方的层间介质隔离层内对应栅极区处形成了一层栅极耐刻蚀层，因此借助该栅极耐刻蚀层，在刻蚀栅极接触通孔和共享接触通孔时，可抵消由于半导体结构栅极区及有源区上不同厚度层间介质隔离层导致的栅极区过刻蚀的问题
接触刻蚀方法

[发明专利]接触通孔蚀刻方法-CN201410329093.2有效
发明人：伏广才;许继辉;苏良得;倪梁;汪新学 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种接触通孔蚀刻方法，适用于至少由第一材料层和第二材料层堆叠形成的复合层结构，其中该第一材料层和第二材料层的材料不同，该接触通孔蚀刻方法包括：a.使用博世蚀刻工艺蚀刻第一材料层，以在该第一材料层内形成接触通孔，其中该博世蚀刻工艺进一步包括：a1.在接触通孔的侧壁和底部形成聚合物；a2.去除该接触通孔的底部处的聚合物；a3.在接触通孔中蚀刻预定深度；a4.重复执行上述步骤a1‑a3，直至该接触通孔在该第一材料层内达到一指定深度；以及b.使用不同于上述博世蚀刻工艺的另一蚀刻工艺来蚀刻已达到该指定深度的接触通孔，使得该接触通孔达到该第一材料层下面的第二材料层。本发明可以使蚀刻得到的接触通孔具有更好的形貌。
接触通孔蚀刻第一材料蚀刻工艺第二材料层聚合物形貌复合层结构重复执行侧壁堆叠去除

[发明专利]通孔的刻蚀方法-CN201010597890.0有效
发明人：肖中强;顾静;王萍;何万梅;华强;徐振宇 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本实施例公开了一种通孔的刻蚀方法，包括：提供基底，所述基底包括层间介质ILD层和位于ILD层上表面的包括通孔图案的掩膜层；在各向异性刻蚀腔体中，对所述基底进行各向异性刻蚀，所述各向异性刻蚀在所述通孔图案内纵向上去除掉预设厚度的ILD层材料，所述预设厚度小于所述ILD层的厚度；在各向异性刻蚀腔体中，调整刻蚀气体的组分和配比，对经过各向异性刻蚀的基底进行各向同性刻蚀，所述各向同性刻蚀在横向上去除掉预设尺寸的ILD层材料，以满足通孔形貌的要求本发明实施例在异性刻蚀腔体内实现各向同性刻蚀，省去了在两个不同类型的腔体间传送的时间，减少了通孔刻蚀所需的时间，缩短了产品的生产周期。
刻蚀方法

[发明专利]通孔形成方法-CN201010144205.9有效
发明人：张海洋;孙武;周俊卿 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-04-02 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种通孔形成方法，包括：预先测量利用所述刻蚀腔室刻蚀，在介质层中形成第一目标尺寸通孔所需要的吸附电极电压；根据第二目标尺寸相对于第一目标尺寸的变化量、形成第一目标尺寸通孔所需要的吸附电极电压，以及所述目标尺寸变化量和所述吸附电极电压变化量之间的函数关系，得到形成第二目标尺寸通孔所需的吸附电极电压；在所述第二目标尺寸通孔所需的吸附电极电压下，利用所述刻蚀腔室刻蚀，在介质层中形成第二目标尺寸的通孔本发明减小了刻蚀后通孔的特征尺寸。
形成方法

[发明专利]通孔形成方法-CN201010154826.5有效
发明人：孙武;张海洋;韩宝东 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-04-16 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种通孔形成方法，包括：提供半导体基底，在所述半导体基底上依次形成有金属导线、覆盖所述金属导线及半导体基底的层间介质层、及位于所述层间介质层上的硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成光刻胶层，所述光刻胶层内具有开口图案以所述光刻胶层为第一掩膜，沿开口图案刻蚀部分厚度的硬掩膜层，形成开口；去除所述光刻胶层之后，以硬掩膜为第二掩膜，沿所述开口，刻蚀残余的硬掩膜层，露出层间介质层的表面；继续刻蚀层间介质层，直至露出金属导线，形成通孔本发明在去除光刻胶层时，因仍有残余的硬掩模层，层间介质层不会暴露在光刻胶去除环境中，所以其不会被去除环境中的气体所损坏，保护层间介质层，同时提高通孔形成质量。
形成方法

[发明专利]通孔形成方法-CN201210063066.6有效
发明人：王伟军 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种通孔形成方法，在通孔刻蚀工艺中对刻蚀设备的上和/或下电极温度进行动态调整，可以调节刻蚀过程中聚合物的产生量，扩大通孔底部的线宽，获得较为垂直的形貌，增大工艺窗口，避免刻蚀停止现象，保持电性能的稳定
形成方法

[发明专利]自动通孔测高机-CN201610466479.7有效
发明人：朱立群;李凯;张显东;田跃文;袁顺志;邵学明;陆洋峰 -专利权人：金榀精密工业（苏州）有限公司
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： B07C5/04 文献下载
摘要：本发明为一种自动通孔测高机，包括其上设置有安装板的机架、设置于所述安装板上的转盘组件、设置于所述安装板上的且围绕所述转盘组件设置的通孔机构和高度测试机构、通过进料传输板与转盘组件配合使用的进料振动盘。本发明的一种自动通孔测高机，其能自动进行铝铸件的通孔毛刺去除以及高度测试，提高生产效率降低对人力资源的占用，且铝铸件的生产速率可控，便于企业自动化生产的实施。
自动测高

[发明专利]缸盖通孔检测装置-CN201611218577.5有效
发明人：荣贵学 -专利权人：重庆荣易达铝业有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： G01B5/00 文献下载
摘要：本发明申请属于以采用机械方法为特征的计量设备技术领域，具体公开了一种缸盖通孔检测装置，从上至下包括高压水柱喷射单元、固定单元和标记单元，还包括机架，高压水柱喷射单元固定在机架的上部，固定单元设置在机架上；高压水柱喷射单元喷出的水柱的直径与缸盖通孔的直径相匹配，高压水柱喷射单元喷出的水柱中含有荧光剂；标记单元包括底座、受力板和通过转轴转动连接在机架上的齿轮，底座和受力板之间连接有多根弹簧；受力板的下表面固定有与齿轮啮合的齿条本发明采用高压水柱对缸盖进行检测，准确度高、误差小，而且能够同时检测缸盖通孔的位置度和同轴度，检测效率高。
缸盖检测装置

[发明专利]通孔形成方法-CN200710094499.7有效
发明人：韩秋华;何德飚;韩宝东 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种通孔形成方法，包括：在半导体基底上形成接触层，所述半导体基底内已形成掺杂扩散区；在所述接触层上形成介质层；图形化所述介质层，以形成暴露部分接触层的接触孔；去除暴露的所述部分接触层的表层，剩余的所述部分接触层具有满足产品要求的厚度；填充所述接触孔，以形成通孔。
形成方法

[发明专利]编织软管通孔机-CN200710057540.3有效
发明人：肖放;温淑鸿 -专利权人：天津膜天膜工程技术有限公司
申请日： 2007-06-05 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： B29C53/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种编织软管通孔机，它包括机架及其上的传动部分、执行部分和控制部分，其特征在于执行部分包括等径的一对前压辊及其加压气缸和一对后压辊及其加压气缸，以及前后两对等径压辊之间握持的一根钢丝，该钢丝的直径与工艺要求的编织软管直径相同本发明采用机械手段取代人工操作，可连续完成复合材料编织软管挂胶通孔任务，加工效率和产品质量大幅提高。
编织软管通孔机

[发明专利]通孔的制造方法-CN201710991216.2有效
发明人：刘善善;朱兴旺;朱黎敏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔的制造方法，包括步骤：步骤一、在衬底上形成通孔的开口。步骤二、采用SIP工艺形成由Ti层和第一TiN层叠加的第一层阻挡层。步骤三、形成由第二TiN层组成的第二层阻挡层。步骤四、进行金属钨沉积将通孔的开口完全填充。本发明能改善阻挡层的成膜质量，防止钨残留，提高产品结构的完整性。
制造方法

[发明专利]通孔的制造方法-CN202110459179.7有效
发明人：黄兆铭;吴长明;冯大贵;王龙 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔的制造方法，包括：步骤一、形成由第一TiN层、Al主体层和第二TiN层叠加而成的第一金属层；步骤二、形成硬质掩膜层并进行图形化。步骤三、对第一金属层刻蚀形成金属线；步骤四、采用HDPCVD工艺沉积层间膜，工艺中的等离子体会使硬质掩膜层的宽度减少；步骤五、定义出通孔的形成区域；步骤六、进行刻蚀形成通孔的开口，包括：步骤61、对层间膜进行第一次刻蚀；步骤62、进行采用递进式的多步子过刻蚀组成的过刻蚀；各子过刻蚀的工艺压强依次增加，各子过刻蚀中采用聚合物气体且最后一步子过刻蚀的聚合物气体加重；步骤63、去除通孔的开口底部的硬质掩膜层。本发明能防止通孔开口底部的第二TiN层被去除从而能防止铝被暴露而氧化。
制造方法

[发明专利]通孔的制造方法-CN202110292266.8有效
发明人：侯宁普 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔的制造方法，包括：步骤一、依次形成硬质掩膜层、介质抗反射层、底部抗反射层和光刻胶。步骤二、对光刻胶进行图形化并形成第一开口。步骤四、依次对硬质掩膜层和层间膜进行刻蚀将图形向下转移并在层间膜中形成通孔开口。本发明能提高通孔的关键尺寸大小的稳定性，从而能防止由于通孔的关键尺寸偏差而导致的产品良率问题。
制造方法

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