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[发明专利]介电材料的填充和处理方法-CN202180028419.6在审
发明人：尤适;任河;吉田尚美;尼古劳斯·贝基亚里斯;梅裕尔·奈克;马丁·杰·西蒙斯;梁静美;石美仪 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本文的多个实施方式提供了使用可流动化学气相沉积(FCVD)处理而沉积的低k介电层的基于氧的处理。FCVD沉积的低k介电层的基于氧的处理期望地增加了Ebd到装置的电容和可靠性，同时移除了孔隙。多个实施方式包括用于制造半导体装置的方法和设备，包括：蚀刻设置在基板的顶上的金属层，以形成具有顶表面、第一侧和第二侧的一条或多条金属线；在足以减少或消除与一条或多条金属线的氧接触的条件下，在顶表面、第一侧和第二侧的顶上沉积钝化层；在钝化层的顶上沉积足以覆盖一条或多条金属线的厚度的低k介电材料的可流动层；和在足以退火并增加低k介电材料的密度的条件下，使低k介电材料的可流动层与氧接触。
材料填充处理方法

[发明专利]沟槽结构内的选择性钨沉积-CN202180010141.X在审
发明人：徐翼;呼宇飞;任河;雷雨;尤适;大东和也 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式提供减少或消除选择性钨层的横向生长的方法。进一步实施方式提供整合的清洁和沉积方法，此方法改善在沟槽结构上选择性沉积的钨的选择性。另外的实施方式提供用于形成针对沟槽结构的更均匀和更有选择性的自底向上的间隙填充而具有改善的膜性质的方法。
沟槽结构选择性沉积

[发明专利]用于选择性金属通孔填充的工艺集成方法-CN202080036748.0在审
发明人：尤适;任河;梅裕尔·奈克;徐翼;陈枫 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：用于形成于基板上的互连结构的方法及装置及在该基板上形成该互连结构的方法。在实施方式中，所述方法包括以下步骤：蚀刻穿过设置在低k介电层的顶部上的硬质掩模，以形成穿过该低k介电层的通孔及暴露导电表面；将该导电表面与稀释的氢氟酸接触以从该导电表面移除污染物；移除设置在该低k介电层的顶部上的该硬质掩模；及向该导电表面施用远程氢等离子体以形成该导电表面的暴露部分。
用于选择性金属填充工艺集成方法