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[发明专利]晶圆键合方法-CN201510615665.8在审
发明人：何作鹏;施林波 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆键合方法，包括提供多个晶圆，所述晶圆用于键合的面为键合面，所述键合面包括中央区域和位于中央区域周围的边缘区域；在所述晶圆的键合面上形成氧化层；对所述氧化层进行化学机械抛光；对所述氧化层进行平坦化处理，所述平坦化处理对键合面边缘区域氧化层的去除量大于对键合面中央区域氧化层的去除量；在平坦化处理之后，使晶圆的键合面贴合在一起，进行键合。其中，通过所述平坦化处理使键合面边缘区域氧化层的去除量大于键合面中央区域氧化层的去除量，从而实现对键合面边缘区域的单独处理以平坦化键合面边缘区域，进而缩小键合面中央区域和边缘区域氧化层的厚度差，降低晶圆键合后形成的器件的空洞率和缺陷率
晶圆键合方法

[发明专利]堆叠键合晶圆的处理方法-CN201910940053.4在审
发明人：余兴;蒋维楠 -专利权人：芯盟科技有限公司;浙江清华长三角研究院
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种堆叠键合晶圆处理方法，包括：向堆叠键合晶圆的边缘注入胶体；同时切割去除所述堆叠键合晶圆的部分宽度的边缘以及边缘注入的胶体。本发明的堆叠键合晶圆处理机台在对多层堆叠键合晶圆进行处理时，在每次对两键合的晶圆进行注胶和研磨后，无需进行去除注胶和削减(切割)步骤，在多层堆叠键合晶圆形成后，通过削减单元进行一步削减工艺即可同时切割去除所述堆叠键合晶圆的部分宽度的边缘以及边缘注入的胶体，因而可以避免多层堆叠晶圆的制作过程中多次削减带来的过多的晶圆边缘削减，进而避免造成过多的良率损失。
堆叠键合晶圆处理方法

[发明专利]一种键合方法-CN201610096576.1在审
发明人：方安乐;徐慧文;李起鸣 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2016-02-22 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明提供一种键合方法，包括如下步骤S1在键合机的上下加热基板之间叠放一组待键合结构；所述待键合结构包括叠加放置的目标衬底及晶片，其中，热膨胀系数较大的一个位于上方；S2在所述待键合结构上方叠放一组辅助键合结构；所述辅助键合结构包括相互结合的第一介质层及第二介质层，其中，热膨胀系数较大的一个位于下方；S3通过上下加热基板对辅助键合结构及待键合结构施加压力，并加热到预设温度，使所述晶片与所述目标衬底键合。本发明通过引入辅助键合结构，使得在键合过程中辅助键合结构由于热失配产生边缘向下的翘曲，利用这种边缘的横向剪切应力向下压迫待键合晶片的边缘，从而达到降低晶片键合后翘曲，改善边缘键合质量的目的。
一种方法

[发明专利]用于双层玻璃边缘键合的装置的键合方法-CN202110665458.9有效
发明人：张成敏 -专利权人：淄博黉励玻璃制品有限公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： E06B3/673 文献下载
摘要：用于双层玻璃边缘键合的装置的键合方法，属于双层玻璃键合技术领域。本用于双层玻璃边缘键合的装置的加热装置对双层玻璃板持续加热，以避免玻璃受热不均破裂；热熔装置单独对玻璃板的边缘进行加热，加热至玻璃板键合所需的温度，加载装置通过加载部推动玻璃板的边缘运动，实现了对双层玻璃板的键合，使双层玻璃板的边缘的键合可靠；本键合方法能够保证双层玻璃键合可靠，大大降低了加工成本，而且双层玻璃键合操作简单。
用于双层玻璃边缘装置方法

[发明专利]堆叠键合晶圆处理装置-CN201910940808.0在审
发明人：余兴;蒋维楠 -专利权人：芯盟科技有限公司;浙江清华长三角研究院
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种堆叠键合晶圆处理机台，包括：注胶单元和削减单元，所述注胶单元用于向堆叠键合晶圆的边缘注入胶体，所述削减单元用于同时切割去除所述堆叠键合晶圆的部分宽度的边缘以及边缘注入的胶体。本发明的堆叠键合晶圆处理机台在对多层堆叠键合晶圆进行处理时，在每次对两键合的晶圆进行注胶和研磨后，无需进行去除注胶和削减(切割)步骤，在多层堆叠键合晶圆形成后，通过削减单元进行一步削减工艺即可同时切割去除所述堆叠键合晶圆的部分宽度的边缘以及边缘注入的胶体，因而可以避免多层堆叠晶圆的制作过程中多次削减带来的过多的晶圆边缘削减，进而避免造成过多的良率损失。
堆叠键合晶圆处理装置

[发明专利]一种晶圆的解键合方法-CN202110145304.7在审
发明人：夏建文;黄明起;叶振文;刘彬灿;易玉玺 -专利权人：深圳市化讯半导体材料有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆的解键合方法，所述晶圆的解键合方法包括如下步骤：(1)将键合的晶圆输入清洗腔；(2)使用清洗腔中的喷嘴头对准所述键合的晶圆的边缘，喷出溶剂；(3)去除所述键合的晶圆的边缘溢胶；(4)对步骤(3)得到的键合的晶圆进行干燥；(5)将干燥后的键合的晶圆输入激光扫射平台进行解键合；步骤(2)中所述喷嘴头的压力为0.1‑10MPa。本发明所述晶圆的解键合方法中通过调整清洗腔中的喷嘴头的压力，使其对准边缘溢胶喷出适量的溶剂溶解边缘溢胶并去除，整个工艺过程简单，耗时短，利于提高晶圆的生产效率。
一种解键合方法

[发明专利]铝锗共晶键合的方法-CN201510707366.7有效
发明人：黄锦才;刘玮荪 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种铝锗共晶键合的方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆具有第一中央区域和第一边缘区域，所述第二晶圆具有第二中央区域和第二边缘区域；在所述第一晶圆的第一边缘区域上形成铝键合层；在所述铝键合层中形成贯穿铝键合层厚度的第一环状凹槽和环绕第一环状凹槽的第二环状凹槽，所述第一环状凹槽和第二环状凹槽之间的铝键合层为中心铝键合层；在所述第二晶圆的第二边缘区域上形成锗键合层，且所述锗键合层的键合表面面积小于等于所述中心铝键合层的键合表面面积；将所述锗键合层的表面与所述中心铝键合层的表面进行键合所述方法能够控制键合后形成的共晶合金的厚度。
铝锗共晶键合方法

[发明专利]芯片键合线的分割方法及其分割装置-CN202011293153.1有效
发明人：请求不公布姓名;左文琪 -专利权人：苏州斯玛维科技有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片键合线的分割方法及其分割装置，其涉及数字图像处理技术领域，分割方法包括：对芯片的X射线图像进行自适应阈值二值化处理，以得到分离出的键合线焊点区域的图像；基于分离出的键合线焊点区域的图像计算得到焊点的质心坐标；对芯片的X射线图像进行边缘检测以获取键合线边缘轮廓的图像；以焊点的质心为标记点，在键合线边缘轮廓的图像上标记出完整的键合线图像；对键合线边缘轮廓的图像和标记后完整的键合线图像进行按位异或处理，再进行图像颜色取反处理以得到分离出的键合线的完整轮廓的图像本申请能够在图像中将键合线高效、准确的分割出来，从而为键合线断裂缺陷的自动在线检测提供良好的前置条件。
芯片键合线分割方法及其装置

[发明专利]一种键合结构及其制造方法-CN201910532042.2有效
发明人：曾甜 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供一种键合结构及其制造方法中，在进行第n片晶圆与第n‑1片晶圆的键合时，可以从第n片晶圆的键合面进行第一边缘修整，第一边缘修整的宽度为Wn，随着n的增大，第一边缘修整宽度可以逐渐增大，这是因为在晶圆边缘部位，通常不够平整，导致晶圆在键合时存在缝隙，在对晶圆进行边缘修整后，可以去除第n片晶圆的边缘处不平整的部分，将第n片晶圆的键合面朝向第n‑1片晶圆的键合面，进行第n片晶圆与第n‑1片晶圆的键合，降低晶圆键合界面之间存在缝隙的可能，提高晶圆间的键合强度，再进行第n片晶圆衬底的减薄，以形成第n‑1晶圆堆叠，由于相邻晶圆之间的键合强度较大，因此形成的晶圆堆叠的可靠性较高
一种结构及其制造方法

[发明专利]用于密集堆叠管芯封装的丝线键合焊盘设计-CN201911127224.8在审
发明人：杨旭一;肖富强;张聪;邱进添;王国建 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本申请题为“用于密集堆叠管芯封装的丝线键合焊盘设计”。本申请公开了用于3D封装的系统、方法和设备。在一些实施例中，半导体封装件包括第一管芯和第二管芯。第一管芯包括在第一管芯的顶部上并靠近第一管芯的第一边缘的第一键合焊盘。第二管芯包括在第二管芯的顶部上并靠近第二管芯的第二边缘的第二键合焊盘。柱位于第二键合焊盘上。第一管芯被安装在第二管芯的顶部上，使得第一边缘平行于第二边缘并且从第二边缘偏移，从而暴露出柱。丝线被键合到柱的键合表面并且被键合到第一键合焊盘的键合表面。
用于密集堆叠管芯封装丝线键合焊盘设计

[发明专利]一种晶圆键合加压装置、晶圆键合的方法及晶圆键合设备-CN201811469206.3在审
发明人：王盛凯;王英辉 -专利权人：中科院微电子研究所昆山分所
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆键合加压装置，所述晶圆键合加压装置的压头包括至少两个的子压头；每个所述子压头对待键合晶圆施加压力的区域不相同，使得在加压键合过程中，待键合晶圆的键合前沿点可逐步延伸至所述待键合晶圆的各个边缘本发明通过将压头分成多个子压头，实现对所述待键合晶圆的不同区域的逐次加压，使得所述待键合晶圆上的键合前沿点逐渐向所述待键合晶圆的边缘延伸，不会在键合过程中在所述待键合晶圆的非边缘处形成气泡，影响成品的键合效果，不会出现某一点压力过高导致所述待键合晶圆破损的情况，提升了最终成品的良品率，降低了一定量成品所需的材料成本。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的晶圆键合的方法及晶圆键合设备。
一种晶圆键合加压装置方法设备

[发明专利]改善边缘气泡的键合方法-CN202310325972.7在审
发明人：陈国兴;汪聪颖;刘燕 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请提供了一种改善边缘气泡的键合方法，包括如下步骤：提供一第一硅衬底和一第二硅衬底；在所述第一硅衬底和所述第二硅衬底的至少其一表面形成氧化层，对第一硅衬底和第二硅衬底的待键合表面进行等离子处理提高表面附着力；采用NH4OH溶液清洗所述待键合表面以附着羟基；在真空环境下对所述第一硅衬底和所述第二硅衬底进行键合得到SOI材料，从而提高SOI材料的边缘键合强度，减少边缘气泡的产生
改善边缘气泡方法

[发明专利]具有其上形成有边缘键合金属图形的半导体芯片的BGA封装及其制造方法-CN200310124404.3有效
发明人：金炳赞;申荣焕;尹庆老 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2003-12-24 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明涉及具有其上形成有边缘键合金属图形的中心键合型半导体芯片的BGA封装，其中在半导体芯片上形成晶片级的边缘键合金属图形，并且在边缘键合的形状中进行引线键合，由此叠置多个半导体芯片，由此得到高密度的存储性能
具有形成边缘金属图形半导体芯片 bga 封装及其制造方法

[发明专利]一种多层堆叠阳极键合结构及其制备方法-CN202011530587.9在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州原位芯片科技有限责任公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供了一种多层堆叠阳极键合结构，包括阳极键合结构和导电薄膜，所述导电薄膜设于所述阳极键合结构的边缘，且依次连通所述阳极键合结构的各层晶圆的上表面或下表面，该结构通过导电薄膜将晶圆上表面或下表面与边缘连接，实现晶圆上表面或下表面与键合设备的有效连接，最终实现多层堆叠阳极键合结构的有效键合，克服了现有阳极键合设备进行多层堆叠阳极键合存在的问题，同时，对表面未加工结构或已加工结构的晶圆堆叠阳极键合都适合。
一种多层堆叠阳极结构及其制备方法

[发明专利]键合装置及键合方法-CN202210459985.9在审
发明人：郭万里;周云鹏 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种键合装置及键合方法。所述键合装置包括具有空腔的键合头，所述空腔由键合头的底壁和侧壁围成，所述键合头的底壁用于吸附待键合的芯片，并将该芯片的下表面与一键合对象的上表面贴合，在进行贴合前，对所述空腔施加压力使所述键合头底壁变形，所述芯片的下表面的中间区朝向键合对象拱起，在进行贴合时，所述芯片的下表面的中间区先于边缘区与所述键合对象的上表面接触。所述键合方法在将芯片和键合对象贴合时，使所述芯片下表面的中间区先于边缘区与所述键合对象的上表面接触。相对于芯片下表面整体与键合对象直接接触，可以避免形成封闭气泡，降低键合面处出现空洞缺陷的概率，提升键合质量。
装置方法

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