专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]改善边缘气泡的键合方法-CN202310325972.7在审
  • 陈国兴;汪聪颖;刘燕 - 上海新傲科技股份有限公司
  • 2023-03-29 - 2023-07-07 - H01L21/762
  • 本申请提供了一种改善边缘气泡的键合方法,包括如下步骤:提供一第一硅衬底和一第二硅衬底;在所述第一硅衬底和所述第二硅衬底的至少其一表面形成氧化层,对第一硅衬底和第二硅衬底的待键合表面进行等离子处理提高表面附着力;采用NH4OH溶液清洗所述待键合表面以附着羟基;在真空环境下对所述第一硅衬底和所述第二硅衬底进行键合得到SOI材料,从而提高SOI材料的边缘键合强度,减少边缘气泡的产生。
  • 改善边缘气泡方法
  • [发明专利]用于晶粒观测的样品的制备方法-CN202310295625.4在审
  • 刘燕;汪聪颖;陈国兴 - 上海新傲科技股份有限公司
  • 2023-03-23 - 2023-06-27 - G01N23/2202
  • 本申请提供了一种用于晶粒观测的样品的制备方法,所述方法包括如下步骤:提供一晶圆,所述晶圆表面为多晶硅层;采用HF溶液腐蚀所述多晶硅层表面的氧化物;采用CH3OOCH、HNO3、HF、以及KI的混合溶液腐蚀所述晶圆表面的多晶硅层,形成用于观测晶粒的样品。本申请采用HF溶液和CH3OOCH、HNO3、HF、以及KI的混合溶液对晶圆表面的多晶硅层进行腐蚀,形成用于晶粒观测的样品。本申请采用CH3OOCH、HNO3、HF、以及KI的混合溶液替代了现有技术中的重铬酸钾刻蚀剂,在保护环境的同时,制备出用于晶粒观测的样品。
  • 用于晶粒观测样品制备方法
  • [发明专利]制备双层SOI材料的方法-CN202310331894.1在审
  • 陈国兴;汪聪颖;刘燕 - 上海新傲科技股份有限公司
  • 2023-03-30 - 2023-06-27 - H01L21/762
  • 本申请提供了一种制备双层SOI材料的方法,所述方法包括如下步骤:提供一第一衬底;在所述第一衬底的表面注入起泡离子;提供一第二衬底,将所述第一衬底注入起泡离子的表面与第二衬底进行键合;剥离远离所述第二衬底的部分第一衬底得到单层SOI材料;提供一第三衬底;在所述第三衬底的表面注入起泡离子;将所述第三衬底注入起泡离子的表面与所述单层SOI材料进行键合;剥离远离所述单层SOI材料的部分第三衬底得到双层SOI材料。通过本方法可以得到均匀性良好的双层SOI材料。
  • 制备双层soi材料方法
  • [发明专利]外延多晶硅的方法-CN202310293274.3在审
  • 刘燕;汪聪颖;陈国兴 - 上海新傲科技股份有限公司
  • 2023-03-23 - 2023-06-23 - C30B29/06
  • 本申请提供了一种外延多晶硅的方法,所述方法包括如下步骤:提供一反应室,所述反应室中放置有一衬底;向所述反应室中通入氯化氢气体对所述衬底表面进行刻蚀;在所述衬底表面沉积多晶硅。上述技术方案,在对所述衬底沉积多晶硅前,向反应室中通入氯化氢气体对所述衬底进行预处理,可以改善外延多晶硅薄膜表面平整度,提高多晶硅薄膜的质量。
  • 外延多晶方法

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