“费米”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果648个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种基于二维半导体材料的同质PN结及其制备方法-CN201810634014.7有效
发明人：黄如;贾润东;黄芊芊;王慧敏;陈亮;陈诚;赵阳 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：两种功函数不同的半导体材料垂直堆叠时，电子会从费米能级较高的二维半导体材料向费米能级较低的材料进行转移，从而对费米能级较低的半导体材料产生N型掺杂，对费米能级较高的半导体材料产生P型掺杂。
一种基于二维半导体材料同质 pn 及其制备方法

[发明专利]量子点发光器件和显示装置-CN201910283014.1有效
发明人：苏亮 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的发光结构，所述发光结构包括量子点发光层、电子传输层，以及设置在所述量子点发光层和所述电子传输层之间的电子量子阱层；其中，所述电子量子阱层的材料的功函数或费米能级大于所述量子点发光层的材料的费米能级，且所述电子量子阱层的材料的功函数或费米能级大于所述电子传输层的材料的费米能级。
量子发光器件显示装置

[发明专利]光电极及其制造方法、光电化学电池及使用该电池的能量系统、以及氢生成方法-CN201280013135.0有效
发明人：田村聪;野村幸生;铃木孝浩;德弘宪一;谷口昇;羽藤一仁;宫田伸弘 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：在光催化剂层(13)由n型半导体构成时，真空能级与导电体层(12)的费米能级的能量差小于真空能级与光催化剂层(13)的费米能级的能量差。在光催化剂层(13)由p型半导体构成时，真空能级与导电体层(12)的费米能级的能量差大于真空能级与光催化剂层(13)的费米能级的能量差。
电极及其制造方法光电化学电池使用能量系统以及生成

[发明专利]在量子计算机上制备相关费米态-CN201880086878.8在审
发明人： P-L·达莱雷-德梅斯;J·R·丰塔尔瓦;A·阿斯普鲁-古济克;L·维斯 -专利权人：哈佛学院院长等
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：提供了用于确定相关费米系统的基态的量子计算机上的相关费米态制备。在各种实施方案中，提供一种量子电路，所述量子电路包括量子比特直链和布置在层中的多个同门。将所述量子电路应用于初始值，由此在所述量子比特直链上制备表示式，所述表示式对应于费米态。
量子计算机制备相关费米

[发明专利]在悬浮的马约拉纳费米子设备中的离子注入限定的纳米棒-CN202080080387.X在审
发明人： S·霍姆斯;D·萨达纳;S·哈特;P·古曼;S·比德尔;李宁 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/18 文献下载
摘要：提供了可以有利于在半导电设备中的包括离子注入限定的纳米棒(406)的悬浮的马约拉纳费米子设备(2206)的设备、系统、方法、计算机实现的方法、装置和/或计算机程序产品。根据实施例，量子计算设备可以包括耦合到离子注入区(404)的马约拉纳费米子设备。量子计算设备可以还包括耦合到离子注入区和衬底层的封装膜(1404)。封装膜使马约拉纳费米子设备悬浮在量子计算设备中。
悬浮马约拉纳费米设备中的离子注入限定纳米

[发明专利]一种理想狄拉克半金属Cu2-CN201911151400.1有效
发明人：吕洋洋;曹琳;陈延彬;张海军;陈延峰 -专利权人：南京大学
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：inline="no" />所述Cu2HgSnSe4晶体的能带结构图中其导带与价带是不对称的，在导带仅存在Dirac费米子，而在价带则共存薛定谔费米子和Dirac费米子。如果费米能位于导带，则输运性质主要来源于Dirac费米子。这样的系统将有助于我们得到相对干净的输运实验数据，从而可以探索拓扑量子态的新颖输运性质。
一种理想狄拉克半金属 cu base sub

[发明专利]一种获取三栅FinFet器件的栅电容的方法及装置-CN201611192363.5有效
发明人：殷树娟;刘兴 -专利权人：北京信息科技大学
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：一种获取三栅FinFet器件的栅电容的方法，获取费米能级与栅电压的关系模型；根据所述三栅FinFet器件的栅电容与栅电压落在绝缘层部分的压降的关系、所述栅电压落在绝缘层部分的压降与费米能级的关系、及所述费米能级与栅电压的关系模型获取单位面积栅电容
一种获取 finfet 器件电容方法装置

[发明专利]一种利用双层绝缘层释放费米能级钉扎的方法-CN201310449100.8无效
发明人：孙清清;郑珊;王鹏飞;张卫;周鹏 -专利权人：复旦大学
申请日： 2013-09-28 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种利用双层绝缘层释放金属和半导体接触时费米能级钉扎的方法。本发明在金属和半导体之间插入一超薄的双层绝缘层，利用绝缘层和半导体之间形成的电偶极子以及两层绝缘层之间形成的电偶极子来拉低由于金属和半导体接触时费米能级钉扎所形成的高的肖特基势垒高度，方法简单有效，而且能够有效地释放费米能级钉扎
一种利用双层绝缘释放费米能级方法

[发明专利]费米子模拟门-CN201780097209.6在审
发明人： R.巴布什 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2017-10-02 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：在一个方面，一种方法包括：将描述物理系统的哈密顿量变换成描述对应的量子位系统的量子位哈密顿量，该量子位哈密顿量包括经变换的动能算符；模拟量子位系统在量子位哈密顿量下的演化，包括通过将费米子交换网络应用于量子位系统来模拟量子位系统在经变换的动能算符下的演化
费米模拟

[外观设计]箱子（费米科学箱）-CN201830051318.1有效
发明人：肖艺能 -专利权人：北京费米赛因教育科技有限公司
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： 09-03 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：箱子（费米科学箱）。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于包装物品。3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。
外观设计箱子包装物品图片

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法-CN202110080235.6在审
发明人：黄德猛 -专利权人：深圳市柔宇科技股份有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：此外，基于第二有源层的费米能级高于第一有源层的费米能级，从而，当薄膜晶体管连通导电时，电子将会从费米能级高的第二有源层漂移到费米能级低的第一有源层，从而，更多的电子在第一导电沟道参与导电，能进一步有效提高薄膜晶体管的开启电流
一种薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置-CN202210978391.9在审
发明人：万之君;曹蔚然;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：电子传输层设置于显示区内并延伸至非显示区，并包括位于信号端子远离基板一侧的第一导通部，阴极层位于显示区内并延伸至非显示区，并包括设置于第一导通部远离信号端子一侧的信号连接部；其中，信号端子靠近第一导通部一侧的费米能级大于第一导通部的费米能级，第一导通部的费米能级大于信号连接部的费米能级。
显示面板及其制作方法显示装置

[发明专利]一种超辐射发光二极管的优化方法-CN201711189391.6有效
发明人：任晓敏;王琦;刘昊;黄永清 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明提供一种超辐射发光二极管的优化方法，包括：S1，基于分数维度电子态系理论，根据超辐射发光二极管有源区厚度、导带准费米能级和价带准费米能级，获取其有源区载流子联系分谱密度CSD曲线、载流子联系浓度和载流子联系谱效因子；载流子联系谱效因子为CSD曲线峰值平方与载流子联系浓度之比；S2，调节有源区厚度、导带准费米能级和价带准费米能级，获取有源区优化厚度，即CSD曲线呈单峰状时载流子联系谱效因子和CSD曲线的‑3dB带宽的乘积的最大值对应的有源区厚度
一种辐射发光二极管优化方法

[发明专利]一种基于石墨烯D形光纤的超敏气体传感器-CN202010039953.4有效
发明人：安宁;姚佰承;曹忠旭;李艺威;秦琛烨;饶云江 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G01N21/27 文献下载
摘要：本发明通过金‑石墨烯‑金异质结结构施加外部电压对石墨烯费米能级进行调节，通过施加外部电压，使得石墨烯费米能级被调节到接近狄拉克点的位置，当被传感的气体分子吸附到石墨烯上时，石墨烯的载流子浓度会发生变化，从而引起费米能级的微小变化。由于此时石墨烯的费米能级接近狄拉克点，石墨烯D形光纤的由输入泵浦光所激发的四波混频信号对外界传感分子的响应最为灵敏，此时传感灵敏度达到最佳。
一种基于石墨光纤气体传感器

[发明专利]光电化学电池以及利用光电化学电池的能量系统-CN201080046454.2有效
发明人：黑羽智宏;野村幸生;羽藤一仁;谷口升;铃木孝浩;德弘宪一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-11-04 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C25B9/00 文献下载
摘要：将真空能级作为基准，(I)第二n型半导体层(123)的传导带以及价电子带的带边能级分别比第一n型半导体层(122)的传导带以及价电子带的带边能级大，(II)第一n型半导体层(122)的费米能级比第二n型半导体层(123)的费米能级大，并且，(III)导电体(121)的费米能级比第一n型半导体层(122)的费米能级大。
光电化学电池以及利用能量系统

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top