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[发明专利]薄膜形成方法及薄膜形成装置-CN201280035149.2有效
发明人：矶圭二;冈本裕司;市川英志 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2012-06-12 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H05K3/28 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜形成方法及薄膜形成装置。通过反复进行薄膜材料的液滴向基板的表面中形成薄膜图案的区域的边缘的着落与已着落的薄膜材料的固化，在形成薄膜图案的区域的边缘形成由薄膜材料构成的边缘图案。以边缘图案来使薄膜材料的液滴着落于所划分出边缘的内部区域。使着落于内部区域的薄膜材料固化。形成由边缘图案和着落于内部区域的薄膜材料构成的薄膜图案。
薄膜形成方法装置

[发明专利]薄膜形成方法-CN201010165073.8无效
发明人：春日治;蛭间敬 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2005-06-24 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜形成方法，是将液体材料作为液滴喷出而在基板(20)上形成薄膜的薄膜形成方法，向比薄膜形成区域(A)更宽的液体材料配置区域(B)喷出所述液体材料，通过使所述液体材料干燥，将所述薄膜的端部的隆起部分(H1)配置在所述薄膜形成区域(A)外。根据本发明，可以更为可靠地并且更为简单地将给定的薄膜形成区域的薄膜的膜厚均匀化。
薄膜形成方法

[发明专利]薄膜形成方法-CN200510081303.1无效
发明人：春日治;蛭间敬 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2005-06-24 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜形成方法，是将液体材料作为液滴喷出而在基板(20)上形成薄膜的薄膜形成方法，向比薄膜形成区域(A)更宽的液体材料配置区域(B)喷出所述液体材料，通过使所述液体材料干燥，将所述薄膜的端部的隆起部分(H1)配置在所述薄膜形成区域(A)外。根据本发明，可以更为可靠地并且更为简单地将给定的薄膜形成区域的薄膜的膜厚均匀化。
薄膜形成方法

[发明专利]压电薄膜谐振器、使用压电薄膜谐振器的滤波器和复用器-CN200910165386.0有效
发明人：西原时弘;原基扬;谷口真司;坂下武;横山刚;岩城匡郁;上田政则 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2009-08-07 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明提供一种压电薄膜谐振器、使用压电薄膜谐振器的滤波器和复用器。压电薄膜谐振器包括：衬底、形成于衬底上的下电极、形成于下电极上的压电薄膜和形成于压电薄膜上的上电极，下电极和上电极隔着压电薄膜彼此相对从而形成相对区域，相对区域包括位于所述相对区域的边界处的空间。所述空间从所述相对区域的内侧延伸到外侧，并形成于压电薄膜中或形成于压电薄膜上。
压电薄膜谐振器使用滤波器复用器

[发明专利]薄膜图案形成方法-CN201380016813.3有效
发明人：工藤修二;水村通伸;梶山康一;哈尼·马赫·阿齐兹;梶山佳敬 -专利权人：株式会社V技术
申请日： 2013-03-25 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：本发明是薄膜图案形成方法，在基板(1)的表面形成具有规定形状的薄膜图案(14)，基板(1)在薄膜图案形成区域预先形成有电极，上述薄膜图案形成方法构成为包含：使透射可见光的树脂制成的膜(2)紧贴在上述基板(1)上的步骤；对上述基板(1)上的薄膜图案形成区域(11)照射激光(L)，在上述膜(2)中形成与薄膜图案(14)相同形状的开口图案(21)的步骤；通过上述膜(2)的开口图案(21)，在上述基板(1)上的上述薄膜图案形成区域(11)形成薄膜图案(14)的步骤；以及剥离上述膜(2)的步骤。由此，能在电极预先形成于薄膜图案形成区域的基板的表面容易形成高精细的薄膜图案。
薄膜图案形成方法

[发明专利]具有开孔薄膜的吸收物品-CN01142785.X无效
发明人：水谷聪;太田晶子;野田祐树 -专利权人：尤妮佳股份有限公司
申请日： 2001-09-27 - 公布日： 2002-05-22 - 主分类号： A61F13/512 文献下载
摘要：本发明提供一种吸收物品,本发明解决了多孔薄膜的因形成气孔使薄膜的强度下降,而引起孔塌陷和引起孔与孔之间的肋部断裂的问题,所述的多孔薄膜是通过使在树脂中混合填充物的薄膜延伸和在薄膜内部形成可透过蒸汽的气孔,再形成孔而制成的,技术方案是,用在内部混合填充物(13)的树脂形成薄膜,在该薄膜内形成延伸区域(14),低延伸或非延伸区域(15)。通过在延伸区域(14)的薄膜内形成许多气孔(16),提高蒸汽透过率。由于低延伸区域非延伸区域(15)可以保持强度,所以在形成孔后,使孔不容易塌陷。
具有薄膜吸收物品

[发明专利]薄膜形成装置和薄膜形成方法-CN200880119323.5有效
发明人：篠川泰治;本田和义;神山游马;山本昌裕;柳智文 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-11-19 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜形成装置和薄膜形成方法。在使用气体冷却的成膜方法中，达成充分的冷却效果，并且避免气体导入引起的成膜率的降低和对真空泵的过大的负荷。本发明的薄膜形成装置包括在薄膜形成区域(14)中接近基板(7)的背面配置的冷却体(10)；将气体向冷却体(10)与基板(7)的背面之间导入的气体导入机构；接近基板(7)的背面，将薄膜形成区域(14)分割为第一薄膜形成区域(14a)和成膜速度比第一薄膜形成区域(14a)低的第二薄膜形成区域(14b)，且维持冷却体(10)与基板(7)的间隙的间隙维持机构(11)。冷却条件被设定为第一区域(14a)的冷却量比第二区域(14b)的冷却量大。
薄膜形成装置方法

[发明专利]以ITO为P电极的两次光刻GaN基LED电极制作方法-CN200510026992.6无效
发明人：田洪涛;陈长清;刘伟;张栋;刘榕 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2005-06-22 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了以ITO为P电极的两次光刻GaN基LED电极制作方法，包括：步骤一，形成一ITO薄膜于一GaN基板上；步骤二，形成一SiO₂薄膜以覆盖所述ITO薄膜；步骤三，形成一窗口在SiO₂薄膜上；步骤四，在所述窗口上刻蚀露出ITO导电薄膜；步骤五，在所述露出的ITO导电薄膜上，形成一ITO导电薄膜被腐蚀区域，所述ITO导电薄膜被腐蚀的区域较所述窗口的区域略大；步骤六，对所述ITO导电薄膜被腐蚀区域部分的GaN基板和其余区域部分的SiO₂薄膜同时进行刻蚀；步骤七，在所述GaN基板上沉积形成P、N电极金属的窗口；步骤八，在所述P、N电极金属的窗口形成
ito 电极两次光刻 gan led 制作方法

[发明专利]一种薄膜图形化方法-CN201610979758.3有效
发明人：陈永胜 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜图形化方法，其包括：提供一基板，基板包括薄膜堆积区域以及非薄膜堆积区域；在非薄膜堆积区域上形成一可剥胶层；对可剥胶层进行固化处理；在可剥胶层以及薄膜堆积区域上形成一薄膜；去除可剥胶层以及位于可剥胶层上的薄膜本发明的薄膜图形化方法，采用可剥胶代替金属掩膜板，在非薄膜沉积区域上先形成可剥胶，再进行薄膜沉积，最后去除可剥胶，形成图形化薄膜，使得整个图形化步骤不会影响后续的制程，并且使用可剥胶代替金属掩膜板，降低了生产成本
胶层薄膜堆积薄膜图形金属掩膜板薄膜沉积基板去除薄膜图形化薄膜图形化步骤固化处理制程生产成本

[发明专利]ITO薄膜蚀刻方法-CN201210059887.2有效
发明人：程志政;唐根初;蔡荣军 -专利权人：深圳欧菲光科技股份有限公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：一种ITO薄膜蚀刻方法，包括：提供一ITO薄膜，ITO薄膜包括透明树脂基板及形成于透明树脂基板上的ITO导电层；将ITO薄膜位于预设视窗区域之外的ITO导电层蚀刻除去，ITO薄膜上留下的ITO导电层覆盖整个预设视窗区域；在ITO薄膜的ITO导电层的蚀刻区域上印刷导电银浆，形成线路；对印刷有导电银浆的ITO薄膜进行烘烤热处理；采用激光蚀刻的方法蚀刻预设视窗区域之内的ITO导电层，以形成图案。由于ITO薄膜在进行银浆烘烤热处理过程后，ITO薄膜预设视窗区域内相对保持平整完好，再通过激光蚀刻方法形成图案，避免形成的图案经过烘烤热处理而在预设视窗区域内产生应力差弯曲形变现象，因此，上述ITO薄膜蚀刻方法可减轻ITO薄膜的图案的可视性。
ito 薄膜蚀刻方法

[发明专利]避免控制栅形成中刻蚀返工导致无定型碳膜剥落的方法-CN201711242834.3有效
发明人：徐灵芝;张志刚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了避免控制栅形成中刻蚀返工导致无定型碳膜剥落的方法，包括：S1：提供一已形成单元区域和逻辑区域的晶圆；S2：在晶圆的上表面淀积具有填充能力的氧化物薄膜；S3：平整化氧化物薄膜；S4：去除单元区域的氧化物薄膜；S5：在单元区域的上表面以及逻辑区域的氧化物薄膜的上表面淀积无定形碳薄膜和介质抗反射薄膜；S6：进行单元区域的控制栅的形成；S7：去除逻辑区域的无定形碳薄膜和氧化物薄膜。本发明通过具有填充能力的氧化物填充逻辑区域的图形，能够避免无定形碳薄膜填充后造成空洞的问题，从而避免在控制栅形成的刻蚀返工工艺中出现无定形碳薄膜剥落的问题。
避免控制形成刻蚀返工导致定型剥落方法

[发明专利]薄膜构图方法及制造液晶显示装置的方法-CN200810223739.3有效
发明人：闵泰烨;林壮奎;宋省勳;高雪松 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2008-10-09 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜构图方法及制造液晶显示装置的方法，该薄膜构图方法包括：步骤1，基板上沉积第一薄膜，并涂布光刻胶；步骤2，采用双调掩模板对光刻胶进行曝光和显影后，形成第一区域、第二区域和第三区域；步骤3，对第一薄膜进行过刻，在第三区域去除第一薄膜，并且在第一区域的周边形成过刻区域；步骤4，对光刻胶进行灰化，露出位于第二区域的第一薄膜；步骤5，沉积第二薄膜，在第二区域第一薄膜与第二薄膜接触；步骤6，剥离光刻胶，去除位于第一区域的第二薄膜，并且在第一区域的过刻区域露出基板。该薄膜构图方法采用了双调掩模板，通过剥离工艺和过刻工艺，形成薄膜重叠的区域和薄膜都被去除的区域。
薄膜构图方法制造液晶显示装置

[发明专利]掩模坯料、转印用掩模、及半导体器件的制造方法-CN202011344580.8在审
发明人：桥本雅广 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种可以提高对于图案形成用的薄膜整体的湿法蚀刻的蚀刻速率、提高通过湿法蚀刻对薄膜形成图案时的图案侧壁的垂直性的掩模坯料。解决方法是该掩模坯料，其在基板上具备图案形成用的薄膜。上述薄膜由含有铬的材料形成。另外，上述薄膜由与基板侧相反侧的上部区域、和除该上部区域以外的区域构成。此处，上部区域的结晶尺寸比除上部区域以外的区域的结晶尺寸大。
坯料转印用掩模半导体器件制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及制造方法、使用该薄膜晶体管的平板显示器-CN200410096228.1有效
发明人：具在本;李相杰 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-11-25 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜晶体管，包括：有源层，该有源层形成在绝缘衬底上，并且具有源极/漏极区域和沟道区域；形成在有源层上的栅极绝缘薄膜；和形成在该栅极绝缘薄膜上的栅极电极。该栅极电极可由导电金属薄膜图案和覆盖该导电金属薄膜图案的导电氧化物薄膜制成。源极/漏极区域可具有LDD区域，该LDD区域与所述栅极电极至少部分重叠。
薄膜晶体管制造方法使用平板显示器

[发明专利]薄膜形成方法和半导体结构-CN201610802265.2在审
发明人：杨雪松 -专利权人：江苏纳沛斯半导体有限公司
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种薄膜形成方法和一种半导体结构，其中薄膜形成方法包括：提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述基底的第二区域表面具有凸起部；形成覆盖所述基底的第一区域和第二区域的薄膜，位于第二区域上的薄膜表面位置高于位于第一区域上的薄膜表面，且所述薄膜的厚度大于凸起部的高度；对所述薄膜进行平坦化，使第一区域和第二区域上的平坦化后的薄膜表面齐平且高于凸起部顶部。上述方法能够形成表面平整的薄膜，从而在后续制程中，基底进入设备固定于载台上时，载台与薄膜表面之间的真空度能够符合要求，不会出现基底从载台掉落、无法作业等问题。
薄膜形成方法半导体结构

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